• KIPE Magazine
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• v.14 no.1
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• pp.34-39
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• 2009

2001년 1세대 SiC 쇼트키 다이오드의 상용화는 고압 다이오드의 Zero 스위칭손실를 가능하게 하여 기존의 CCM(continuous-current mode) PFC의 효율한계를 극복 시킬수 있었다. 2005년 서지전류와 애벌런치 내량을 향상시킨 2세대 SiC 쇼트키 다이오드는 적용의 범용성을 확대 시켰다. 2009년 전력내량이 증대된 3세대 다이오드는 이상적인 다이오드의 현실화를 위해 한발 더 나아가게 하고 있다. 본고에서는 이러한 노력을 경주해온 인피니언의 SiC 전력반도체 소자의 기술 및 개발 현황을 소개한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.80-81
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• 2017

본 논문은 3상 비엔나 정류기의 효율 향상을 위한 전력 반도체 소자 선정 방법을 제안한다. 제안하는 방법은 비엔나 정류기의 스위칭 상태에 따른 전류 특성을 고려하여 전력 반도체 소자를 선정한다. 한 레그에서 스위칭 한 주기에 세 개의 다이오드가 사용되며 직류단 및 중성단 연결된 다이오드는 고속 스위칭을 하고 입력단에 연결된 다이오드는 라인 주파수에 맞춰 저속 스위칭을 한다. 따라서, 다이오드 동작을 고려하여 전력 반도체 소자를 선정하여 비엔나 정류기의 효율을 향상 시킬 수 있다. 제안하는 소자 선정 방법은 실험 결과를 통하여 그 타당성을 확인한다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.11 no.8
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• pp.1386-1391
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• 2000

In this paper, the method to linearize the non-linearity of diode and to compensate the characteristics change of diode with the temperature is studied. Square root circuit is used to linearize the non-linearity of diode about the input power, and two identical diodes and OP-Amps, which have variable reference, are used to compensate the characteristic change of diode with the temperature. As the result, designed diode power detector (with the square root circuit and temperature compensation circuit) can detect the output power linearly with the 0.23 $\pm$0.025V/dBm rate in the case the input power is greater than -6 dBm, and the designed circuit operates stably with no variation in the output data about the temperature change from the room temperature to 8$0^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.268-268
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• 2011

열전소자를 사용하여 발광다이오드의 발열을 개선한다. 열전소자(Thermoelectric device: TED)의 펠티에효과(Peltier effect)를 이용하여 발광다이오드(Light Emitting Diodes: LED)의 접합온도 (Junction Temperature)를 제어한다. 열전소자의 구동 전력을 제어하여, 발광다이오드의 사용 전류에 대한 접합온도의 특성을 조사한다. 열전소자의 입력 전력 0.2W에 대하여, 일반 조명용 또는 표시 장치로 사용되는 1W급 고전력 LED를 정격전류(350 mA)로 구동할 때 접합온도를 최저 $69^{\circ}C$로 유지할 수 있다. 열전소자의 구동 전력이 0.2W일 때, 발광다이오드의 접합온도 $110^{\circ}C$에 대하여 최대 사용 가능 전류는 560 mA로 예측된다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.216-218
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• 2018

Weinberg 컨버터는 입출력 전류 리플이 작아 필터 사이즈가 작고, 스위치 및 다이오드가 소프트 스위칭을 하여 높은 효율을 갖는 장점으로 인해 정지궤도 위성용 배터리 방전 조절기와(Battery Discharge Regulator, BDR) 같이 높은 전력밀도 및 높은 효율을 요구하는 제품에 유용한 승압형 컨버터이다. 최근 정지궤도 위성의 큰 전력 요구사양에 맞춰 버스 전압 사양이 커지면서 Weinberg 컨버터는 몇 가지 문제점을 갖게 되었다. 첫째 다이오드의 큰 순 방향 전압 강하로 인해 도통 손실이 증가한다. 둘째 다이오드의 기생 커패시터와 누설 인덕턴스간의 공진으로 인한 전압 맥동이 심화되면서 EMI 특성이 악화된다. 셋째 스위치 턴-오프 시 발생하는 큰 출력 전류 스파이크로 인해 출력 필터 크기가 커진다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 개선하기 위해 추가 스위치 및 커패시터를 이용해 다이오드 차단시 그 전압을 기존보다 크게 낮춤으로 써 도통 손실 개선 및 EMI 특성 개선을 하는 방법을 제안한다. 또한, 출력 필터 사이즈 저감을 위해 출력 전류 리플을 줄일 수 있는 추가 스위치의 적절한 구동 방법에 대해 제안한다. 제안하는 컨버터는 더욱 높은 전력 밀도 및 효율을 얻을 수 있어 차세대 정지궤도 위성용 BDR에 적합하다. 본 컨버터는 100V/750W의 출력전압/전력을 갖는 시작품을 통해 그 유효성을 검증하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10d
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• pp.179-181
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• 2006

본 논문에서는 전력용 반도체 소자인 싸이리스터 및 다이오드의 열화에 관하여 조사하였다. 발전소의 동기발전기 여자시스템 정류기의 싸이리스터 및 다이오드가 오랜 기간 사용됨으로써 반도체 소자의 열화가 진행이 되며 전기적 특성이 변하여 발전소 운전에 크게 영향을 줄 수가 있다. 한국중부발전(주) 보령화력 발전소의 요청에 따라 전력연구원은 계획 예방 정비 공사 기간 중에 동기발전기 여자시스템 정류기에 사용되는 싸이리스터 및 다이오드 누설전류를 측정하여 전력소자의 건전성을 평가하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.276-277
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• 2020

본 논문은 Full-bridge converter 2차측 다이오드의 Ringing 전압을 제거하는 방법으로 Active Snubber를 제안한다. 기존 RCD Snubber는 다이오드의 Ringing 에너지를 저항으로 소모하는 방식으로 전압 서지를 줄이는데 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 Active Snubber가 제안 되었으며, Active Snubber는 다이오드의 Ringing 전압을 회생시킴으로써, 전압스트레스를 줄이고 효율을 개선하는 이점을 보여준다. 본 논문에서는 7KW Full-bridge converter에 제안하는 Active Snubber를 적용하여 그 유도성을 입증하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.26 no.5
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• pp.471-482
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• 2015

In this paper, design and implementation of the 94 GHz Gunn oscillator and the evaluation of the maximum power of the Gunn diode used in the oscillator are presented. The 94 GHz Gunn oscillator is used InP Gunn diode and designed employing a WR-10 waveguide. The designed oscillator is fabricated through machining and its performance is measured. The fabricated oscillator shows an oscillation frequency of 95 GHz, output power of 12.64 dBm, and phase noise of -92.7 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency. To evaluation the maximum power of the InP Gunn diode used in oscillator, the oscillator structure is modified to a structure having a diaphram. The height of thick diaphram which is used in the oscillator is varied. As a result, an oscillator has several different load impedances, which makes it possible to plot $G_L-V^2$ plot at the post plane. Using the $G_L-V^2$ plot, the maximum power of used Gunn diode including post is computed to be 16.8 dBm. Furthermore using the shorted and zero bias Gunn diode, the post loss used for DC biasing can be computed. Using the two losses, The maximum power of a InP Gunn diode is computed to be 18.55 dBm at 95 GHz. This result is close to a datasheet.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.18 no.4 s.119
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• pp.364-371
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• 2007

In this paper, the design and implementation of high-power PIN diode switch modules and high-speed switch driver circuits are presented for Wibro base stations. To prevent isolation degradation due to parasitic inductances of conventional packaged PIN diodes and to improve power handling capabilities of the switch modules, bare diode chips are used and carefully placed in a PCB layout, which makes bonding wire inductances to be absorbed in the impedance of a transmission line. The switch module is designed and implemented to have a maximum performance while using a minimum number of the diodes. It shows an insertion loss of ${\sim}0.84\;dB$ and isolation of 80 dB or more at 2.35 GHz. The switch driver circuit is also fabricated and measured to have a switching speed of ${\sim}200\;nsec$. The power handling capability test demonstrates that the module operates normally even under a digitally modulated 70 W RF signal stress.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.27 no.10C
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• pp.993-998
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• 2002

At Power amplifier, distortion of output is appeared because of non-linearlity, so we must study method of compensation for non-linearity. In this paper, it was studied about the characteristic of predistorter using serial schottky diode for an amplifier. As a result, we confirmed that power amplifier was able to linearize when we put predistorter using non-linearity of schottky diode before power amplifier. When input carrier level was low, input carrier was delivered directly into power amplifier but input carrier level was high, input carrier was delivered into power amplifier through predistorter with suppressed level. As a result power amplifier always was at saturation region. Through simulation using serenade 8.0, we have concluded that efficiency was improved about 3%, and predistorter got best linearity at 1.8㎓ between 800㎒∼2.2㎓.