• 전기의세계
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• v.49 no.7
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• pp.9-12
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• 2000

현대의 이동통신 시장은 제3세대를 맞이하여 cellular에서 PCS(Personal Communication System) 그리고 IMT-2000으로 점차 광대역 서비스를 위한 하드웨어 및 소프트웨어가 발전하고 있다. 이러한 시스템을 구성하는 부품 중에서 신호를 송수신하는 부품은 전력소모와 소형화를 위한 노력이 지속적으로 진행되어 왔으며 hybrid 상태에서 점차적으로 one chip형태의 집적회로, 즉 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)에 대한 요구가 급격히 증가되고 있다. 특히 이동통신단말기의 가장 고가의 RF부품인 전력증폭기의 요구사양이 우수한 선형성 및 전력효율이라는 측면에서 GaAs MMIC 기술이 주도적으로 쓰일 것이라는 면과 또한 여러형태의 이동통신이 더욱 높은 주파수대역으로 이동함에 따라 관련시장의 폭발적인 발전이 예상되고 있다. 전략 분석가인 Stephen Entwistle은 1999년의 GaAs IC시장의 규모를 22.5억불로 평가하였으며, CIBC World Market의 Earl Lum은 24억불수준으로 평가하였다. 2004년에는 110억불 수준에 이를 것으로 예상되고 있다. 본 논문의 전반부에서는 최근의 MMIC시장의 동향을 최신 article을 참고로 하여 정리하였으며, 후반에서는 최근의 관련 워크샵의 내용 중 국내의 MMIC기술현황을 간추려 요약하였다.

• ETRI Journal
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• v.20 no.1
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• pp.37-45
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• 1998

Reduced surface field lateral double-diffused MOS transistor for the driving circuits of plasma display panel and field emission display in the 120V region have been integrated for the first time into a low-voltage $1.2{\mu}m$ analog CMOS process using p-type bulk silicon. This method of integration provides an excellent way of achieving both high power and low voltage functions on the same chip; it reduces the number of mask layers double-diffused MOS transistor with a drift length of $6.0{\mu}m$ and a breakdown voltage greater than 150V was self-isolated to the low voltage CMOS ICs. The measured specific on-resistance of the lateral double-diffused MOS in $4.8m{\Omega}{\cdot}cm^2$ at a gate voltage of 5V.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2024.05a
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• pp.546-547
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• 2024

의료용 헬스케어 데이터를 기반으로 혈당, 혈압, 온도와 같은 헬스케어 의료기기 개발에서 정확하고 정밀도가 높은 결과를 얻기 위해 다기능의 센서들이 집적화 되고 있다. 그러나 이러한 헬스케어용 의료기기들은 24 시간 구동하기 때문에 전력소모가 크므로 실시간 모니터링이 필요하다. 본 논문은 웨어러블 센서에 보조전력 구동을 위한 유연태양전지의 전기적 및 광학적 데이터 분석을 통해 향후 헬스케어 디바이스 장치 구동을 위한 고효율의 태양전지를 전원보조장치로 활용하고자 한다.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.2
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• pp.22-32
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• 2002

MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)는 전기적인 구성요소와 기계적인 구성요소를 작게 조합하여 구성한 소자나 시스템을 말한다. RF(Radio Frequency) MEMS는 MEMS를 이용한 RF 소자나 시스템을 의미하며, 본 고에서는 RF 소자에 대하여 논의하고자 한다. MEMS는 RF 소자의 성능, 기능, 집적화 등을 높여 주고, 크기, 가격, 부피, 전력 소모 등을 낮추어 주므로 소자 개발에 대한 연구는 매우 다양하지만, 본 고에서는 움직이는 소자 중에서 가장 많이 연구되고 있는 mechanical RF switch에 대하여 중점적으로 다루고자 한다. 이에 대한 연구 동향, 특성, 응용 분야 등을 살펴보고, 상품으로서의 가치를 인정 받기 위하여 고려해야 할 점들을 논의 하겠다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2011.06a
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• pp.69-70
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• 2011

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.84-85
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• 2017

본 논문은 LLC 공진형 컨버터의 고전력밀도를 위한 IM(Integrated Magnetics)을 제안한다. 일반적으로 컨버터의 전력밀도는 사용되는 변압기, 인덕터와 같은 자기소자에 의해 결정되므로, 평판형 자기소자(Planar Magnetics)는 고 전력밀도화에 매우 적합하다. 하지만 LLC 공진형 컨버터에 평판형 자기소자를 적용할 경우 높은 자기 결합도에 의해 공진을 위한 충분한 누설 인덕턴스를 얻을 수 없다. 따라서 공진동작을 위한 추가적인 인덕터의 사용이 필수적이며, 전력밀도는 감소하게 된다. 반면, 제안방식은 자기소자 내부에 형성되는 두 개의 자화 인덕터를 공진 인덕터로 사용하기 때문에 공진동작에 필요한 누설 인덕터가 필요하지 않다. 또한, 이러한 두 개의 자화 인덕터는 하나의 자기소자에 집적화 할 수 있으므로 고 전력밀도에 유리한 구조를 갖는다. 더불어, 공진동작에 필요한 모든 파마리터가 설계자의 의도대로 설계가능하기 때문에 컨버터 최적설계가 매우 유리하다. 제안방식의 타당성을 확인하기 위하여 자기소자 모델을 통한 효율분석 및 350W-800kHz 시작품에 대한 실험결과를 제시한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.46-46
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• 2018

메모리 소자의 수요가 데스크톱 컴퓨터의 정체와 모바일 기기의 폭발적인 증가로 NAND flash 메모리의 고집적화로 이어져서 3차원 집적 기술의 고도화가 중요한 요소가 되고 있다. 1 mm 정도의 얇은 웨이퍼 상에 만들어지는 메모리 소자는 실제 두께는 몇 마이크로미터 되지 않는다. 수직방향으로 여러 장의 웨이퍼를 연결하면 폭 방향으로 이미 거의 한계에 도달해있는 크기 축소(shrinking) 기술에 의지 하지 않고서도 메모리 소자의 용량을 증대 시킬 수 있다. CPU, AP등의 논리 연산 소자의 경우에는 발열 문제로 3D stacking 기술의 구현이 쉽지 않지만 메모리 소자의 경우에는 저 전력화를 통해서 실용화가 시작되었다. 스마트폰, 휴대용 보조 저장 매체(USB memory, SSD)등에 수 십 GB의 용량이 보편적인 현재, FEOL, BEOL 기술을 모두 가지고 있는 국내의 반도체 소자 업체들은 자연스럽게 TSV 기술과 이에 필요한 장비의 개발에 관심을 가지게 되었다. 특히 이 중 TSV용 스퍼터링 장치는 transistor의 main contact 공정에 전 세계 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 글로벌 업체의 경우에도 완전히 만족스러운 장비를 공급하지는 못하고 있는 상태여서 연구 개발의 적절한 시기이다. 기본 개념은 일반적인 마그네트론 스퍼터링이 중성 입자를 타겟 표면에서 발생시키는데 이를 다시 추가적인 전력 공급으로 전자 - 중성 충돌로 인한 이온화 과정을 추가하고 여기서 발생된 타겟 이온들을 웨이퍼의 표면에 최대한 수직 방향으로 입사시키려는 노력이 핵심이다. 본 발표에서는 고전력 이온화 스퍼터링 시스템의 자기장 해석, 냉각 효율 해석, 멀티 모듈 회전 자석 음극에 대한 동역학적 분석 결과를 발표한다. 그림1에는 이중 회전 모듈에 대한 다물체 동역학 해석을 Adams s/w package로 해석하기 위하여 작성한 모델이고 그림2는 180도 회전한 서브 모듈의 위상이 음극 냉각에 미치는 효과를 CFD-ACE+로 유동 해석한 결과를 나타내고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.10a
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• pp.54-55
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• 2011

In recently, microstrip antenna has been used to be communication devices through compact size, lightweight, and multi-layered integration. Also miniaturized communication system is expected to be power consumption and cost savings. In this paper, Long-distance communication is possible for the purpose of micro-strip antenna design, and prototype antenna were made and analyzed by using network analyzer.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.11 no.2 s.31
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• pp.43-47
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• 2004

A coupler or divider is a microwave passive component used for power coupling or dividing. Regarding the trend of current telecommunication systems monolithic integration of passive components is highly desirable. In this study by the LTCC(Low temperature co-fired ceramics) technology a 2012 size type dual band coupler with multi-layer structure was fabricated. To achieve the desired coupling values for both DCS and EGSM bands, broad side coupled patterns were used with multi-layer structure. Its characteristics such as coupling, insertion loss, isolation and directivity values were measured and compared with simulation results.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.285-285
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• 2011

최근 반도체 소자의 미세화에 따라, 단채널 효과에 의한 누설전류 및 소비전력의 증가 등이 문제되고 있다. 대표적인 휘발성 메모리인 dynammic random access memory (DRAM)의 경우, 소자의 집적화가 진행됨에 따라 저장되는 정보의 양을 유지하기 위해 캐패시터영역의 복잡한 공정을 요구하게 된다. 하나의 캐패시터와 하나의 트랜지스터로 이루어진 기존의 DRAM과 달리, single transistor (1T) DRAM은 silicon-on-insulator (SOI) 기술을 기반으로 하여, 하나의 트랜지스터로 DRAM 동작을 구현한다. 이러한 구조적인 이점 이외에도, 우수한 전기적 절연 특성과 기생 정전용량 및 소비 전력의 감소 등의 장점을 가지고 있다. 또한 strained-Si 층을 적용한 strained-Silicon-On-Insulator (sSOI) 기술을 이용하여, 전기적 특성 및 메모리 특성의 향상을 기대 할 수 있다. 본 연구에서는 sSOI 기판위에 1T-DRAM을 구현하였으며, impact ionization과 gate induced-drain-leakage (GIDL) 전류에 의한 메모리 구동 방법을 통해 sSOI 1T-DRAM의 메모리 특성을 평가하였다. 그 결과 strain 효과에 의한 전기적 특성의 향상을 확인하였으며, GIDL 전류를 이용한 메모리 구동 방법을 사용했을 경우 낮은 소비 전력과 개선된 메모리 윈도우를 확인하였다.