• 전력전자학회지
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• 제10권5호
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• pp.15-19
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• 2005

• 전력전자학회지
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• 제2권1호
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• pp.37-39
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• 1997

• 전력전자학회지
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• 제23권3호
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• pp.72-75
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• 2018

• 전력전자학회지
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• 제8권2호
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• pp.17-20
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• 2003

• 전력전자학회지
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• 제8권4호
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• pp.26-29
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• 2003

• 전력전자학회지
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• 제8권4호
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• pp.30-35
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• 2003

• 전력전자학회지
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• 제24권3호
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• pp.78-81
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• 2019

• 전력전자학회지
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• 제25권1호
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• pp.64-71
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• 2020

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2019년도 전력전자학술대회
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• pp.332-333
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• 2019

본 논문에서는 전기자동차용 단상 양방향 온보드 충전기를 위한 Cycloconverter-type high frequency link 컨버터에 Si-IGBT와 SiC-FET을 적용하여 전력반도체의 전력 손실을 예측하고 비교하고 분석한다. 와이드밴드갭 전력반도체 중 하나인 SiC-FET은 기존 Si기반의 IGBT를 대신하여 사용될 전력반도체로써 각광 받고 있다. 또한, 낮은 온-저항으로 인해 적은 전력손실과 고주파 스위칭을 통한 직류단 필터의 크기감소를 통해 높은 전력밀도를 달성할 수 있다. 이에 Si-IGBT와 SiC-FET을 Cycloconverter-type high frequency link 컨버터에 적용하여 전력손실을 PSIM thermal module을 통해 시뮬레이션하고 비교 분석한다.

• 전력전자학회지
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• 제27권5호
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• pp.44-49
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• 2022