• KIPE Magazine
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• v.22 no.2
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• pp.33-37
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• 2017

• KIPE Magazine
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• v.7 no.1
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• pp.21-25
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• 2002

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.302-303
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• 2020

본 논문은 모듈 평가를 위한 태양광 PCS 개발과 이에 적용되는 모듈 성능 비교에 대해 다룬다. 개발되는 인버터는 3상 380V, 26.5kW 급으로 MNPC 타입의 전력반도체 모듈을 적용한다. 전력반도체 모듈 국내 개발품과 해외 선진사 제품(Vincotech사)의 성능비교를 위해 데이터시트를 기반으로 손실 분석을 수행하였다. 그리고 이를 검증하기 위해 개발된 전력모듈을 평가용 인버터에 적용하여 부하별 효율 비교 평가를 진행하였다.

• 전기의세계
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• v.48 no.10
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• pp.19-25
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• 1999

• Science & Technology Policy
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• v.7 no.8 s.101
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• pp.80-90
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• 1997

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.284-285
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• 2020

기존 국내 도시철도차량 추진시스템의 주변압기의 경우 권선형의 유입식 변압기가 사용되고 있다. 이러한 입력용 주변압기는 일반적으로 무게가 많이 나가며 전력밀도가 낮다. 또한 기존의 변압기의 경우 오일을 이용하여 절연을 하기 때문에, 정기적인 유지 보수에 따른 비용 발생 및 절연유의 오염에 따라 변압기 수명 단축 및 전력 품질 저하, 전력 손실증가, 전압 강하, 누유에 의한 환경 문제 등 여러 문제를 가지고 있다. 본 논문에서는 권선형 유입식 변압기를 대체하는 반도체 변압기 시스템 모델을 제안하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.1
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• pp.74-85
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• 2012

차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$) 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.5 no.1
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• pp.39-45
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• 2000

최근에 전력용 반도체 스위치의 정격이 커지면서 IGBT와 같은 소자는 그 편리성과 대용량화로 점차 많은 응용분야에 이용되고 있다. 특히 보다 높은 전압 정격을 용구하는 중·대용량 분야, 소용량이면서 고압 정격을 요구하는 분야의 저가의 전력용 반도체 고압 스위치가 요구되는 분야 등에서 높은 정격을 가지는 IGBT스위치를 구현하기 위하여 그 소자들간의 직렬로 연결하는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 수 kV의 동작전압을 가지는 스위치를 실현하기 위하여 기존의 직렬 연결된 IGBT에 제안된 보조회로를 삽입하였다. 본 논문에서는 IGBT를 이용한 고압스위칭 동작원리와 그 기능을 검증하기 위해 4개의 IGBT를 직렬연결한 3kV/45A급 스위치를 제작하여 과도상태 및 정상상태에서의 전압 분배를 실험하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.9
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• pp.969-977
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• 1996

본고에서는 여러가지 Wide Band-gap중에서 특히 최근에 많은 관심을 끌고 있는 GaN와 4H-SiC, 6H0SiC의 전자기적 물성을 소개하고 현재 이들로부터 제작된 prototype소자들의 성능을 비교함으로써 그 발전현황을 알아보기로 한다. 본고에서 관심을 두는 소자분야는 광전소자(optoelectronic devices)라기보다는 고주파 고출력용 전력소자임을 밝힌다. 아울러 GaN로부터 제작된 MESFET(MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)소자의 고주파 대역에서의 Large-Signal특성을 Device/Circuit Model을 통하여 실험치와 비교하여보고 이로부터 최적화된 channel 구조를 갖는 소자구조에서의 RF특성을 조사한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.512-513
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• 2015

최근 다양한 형태의 비선형 부하가 계통에 연계됨에 따라 이러한 부하에 적절한 전원을 공급하는 전력변환장치의 보급이 활발히 진행되고 있다. 이러한 전력변환장치들은 전력용반도체소자의 스위칭에 의해 동작하기 때문에 전류의 고조파를 발생시키고, 이때 발생하는 고조파는 변압기의 손실을 증대시키고 역률을 저하시키며 온도의 과도한 상승을 유발하여 결국 변압기의 수명을 단축시킨다. 따라서 본 논문에서는 과열을 방지하면서 비선형 부하에 적절하게 연계하기 위하여 전류 고조파에 의한 변압기에서의 손실을 해석한다.