• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.21-21
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• 2007

Strained silicon 기술은 MOSFET 채널 내 캐리어 이동도를 향상시켜 집적회로의 성능을 향상시키는 기술이다. 최근에는 strained 실리콘 기술과 SOI(silicon On Insulator) 기술을 접목시켜 집적회로 소자의 특성을 더욱 향상시킨 SSOI(Strained Silicon On Insulator) 기술이 연구되고 있다. 본 연구에서는 pseudo MOSFET 측정법을 이용하여 strained SOI 웨이퍼의 전기적 특성 분석을 행하였다. pseudo MOSFET 측정법은 SOI 웨이퍼의 전기적 특성분석을 위해 고안된 방법으로써 산화, 도핑 등의 소자 제조 공정 없이도 SOI 표면 실리콘층의 이동도와 매몰산화막과의 계면 특성 등을 분석해 낼 수 있는 기술이다. 표면 실리콘층의 두께와 매몰산화막의 두께가 각각 60nm, 150nm인 SOI 웨이퍼와 동일한 막 두께를 가지며 표면 실리콘층이 strained silicon인 SSOI 웨이퍼를 제작하여 그 특성을 비교 분석하였다. Pseudo MOSFET 측정 결과 Strained SOI 웨이퍼에서 표면 실리콘총 내의 전자 이동도가 일반적인 SOI 웨이퍼보다 약 25% 향상되었으며 정공 이동도나 매몰산화막의 계면 트랩밀도는 큰 차이를 보이지 않았다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• summer
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• pp.375-377
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• 2004

22.9kV급 가공배전선에서의 뇌격현상은 직접측정이 어렵기 때문에 지금까지 절연협조수준의 도출은 수치적인 모의해석과정에서 얻어진 과전압강도를 근거로 하고 있다. 대표적인 모델에 대해서 만이라도 실측자료를 확보할 수 있다면 해석과정의 정확도를 높이는 중요한 전기가 될 수 있다. 이러한 가공배전선로의 뇌격현상을 측정하기 위한 상용설비를 이용한 경제적 측정시스템을 구성하였다. 접지회로에서 발생하는 과전압으로 인한 인명뿐 아니라 계측설비의 안전성도 확보하고 과 경제성확보를 위하여 전주 중간에 장시간용 UPS 및 파형측정설비를 2중 차폐함 안에 넣어 1점 접지상태가 되도록 고정하고 측정point에 HV divider 및 로고스키코일을 설치하여 한 지점에서의 측정회로를 구성하였다. 전체적으로 뇌격전류 주입 위치에서부터 3지점을 선정하여 측정설비를 설치하고 경제적인 Rs485 multi-drop 회로를 구성하여 통신망을 확보하였다. 직렬통신망에는 뇌격시험 시 발생하는 과전압에 대한 보호회로로서 간단한 수동식 개폐회로를 구성하였다. 측정파형을 전체적으로 전송받는 속도가 약간 늦기는 하나 간단한 data acquisition program을 사용하여 전체 측정회로를 가동시킬 수 있었다.

• 전기의세계
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• v.38 no.9
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• pp.18-27
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• 1989

국내 EMI/EMC연구는 이제 태동기에 접어들고 있다고 생각된다. 이 연구는 크게 측정과 대책에 관한 연구로 구분될 수 있을 것이나, 두 분야가 상호보완적으로 접근되어야만 보다 효과적으로 연구를 수행할 수 있으리라 여겨진다. EMI/EMC 측정기술과 측정표준에 관련된 분야만 하더라도, 매우 넓은 범위의 다양한 대상이 있기 때문에 제한된 지면으로는 시각과 다른 각도에서 보는 경우도 많이 있으리라 생각된다. 아무튼 EMI/EMC 측정기술의 이해에 조금이나마 도움이되었으면 하는 바램이다. 끝으로 국내 EMI/EMC 측정기술의 향상과 국내적인 측정 신뢰도를 확보하기 위해서 미국립표준기술원(NIST)에서 시행하고 있는 프로그램을 소개하고자 한다.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.29 no.4
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• pp.323-330
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• 2009

The objective of this research was to develop a practical integrated approach using extracted features from electrical resistance measurements and coupled electromechanical models of damage, for in-situ damage detection and sensing in carbon fiber reinforced plastic(CFRP) composites. To achieve this objective, we introduced specific known damage (in terms of type, size, and location) into CFRP laminates and established quantitative relationships with the electrical resistance measurements. For processing of numerous measurement data, an autonomous data acquisition system was devised. We also established a specimen preparation procedure and a method for electrode setup. Coupon and panel CFRP laminate specimens with several known damage were tested. Coupon specimens with various sizes of artificial delaminations obtained by inserting Teflon film were manufactured and the resistance was measured. The measurement results showed that increase of delamination size led to increase of resistance implying that it is possible to sense the existence and size of delamination. A quasi-isotropic panel was manufactured and electrical resistance was measured. Then three different sizes of holes were drilled at a chosen location. The panel was prepared using the established procedures with six electrode connections on each side making a total of twenty-four electrodes. Vertical, horizontal, and diagonal pairs of electrodes were chosen and the resistance was measured. The measurement results showed the possibility of the established measurement system for an in-situ damage detection method for CFRP composite structures.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.4 no.4
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• pp.68-78
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• 1990

절연파괴의 원인이 되는 절연체중의 공간전하의 여러 특성을 정량적으로 측정하였다. 전극에서의 주입전하가 트랩되어 주로 공간전하를 형성하는 것을 확인하였다. TSSP측정법으로 컬렉팅 전위를 결정하고 바이어스의 시간, 전압, 온도에 따른 공간전하 변화량을 측정하여 공간적 분포의 깊이를 조사하였다. 그리고 정상상태에 있어서 모델과 해석과 시험 결과가 비교적 잘 일치함을 발견하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.60-60
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• 1999

단결정 다이아몬드의 열전도도는 약 22W/cm.K로 열전도도가 가장 큰 물질로 알려져 있으며, 비저항은 10$\Omega$.cm 이상의 높은 값을 갖는다. 대부분 열전도도가 큰 것으로 알려진 물질들은 Cu, Ag 등과 같이 전자의 흐름에 의하여 열이 전도되기 때문에 큰 전기전도도를 함께 갖는 것일 일반적이다, 그러나, 다이아몬드는 빠른 phonon의 이동에 의하여 열전도가 이루어지므로 전기적으로 절연 특성을 갖으면서도 큰 열전도가 가능하다. 단결정 다이아몬드는 고방열 절연체로서 이상적인 물질 특성을 보여준다. 전기절연성을 갖는 열전도층으로 다이아몬드를 이용하기 위해서는 저가로 제조가 용이한 화학기상증착법을 이용하여야 한다. 화학기상증착법으로 제조된 다결정 다이아몬드 박막의 열전도도는 약 21W/cm.K로 여전히 매우 높은 값을 갖는 것으로 알려져 있지만, 비저항 값은 인위적으로 도핑을 전혀 하지 않은 상태에서도 106$\Omega$.cm 정도의 낮은 값을 갖는다. 전혀 도핑을 하지 않았음에도 전도성을 갖는 특이한 특성을 다결정 다이아몬드가 보여 주고 있으므로 이에 대한 연구는 주로 전기 전도성을 갖는 특이한 특성을 다결정 다이아몬드가 보여주고 있으므로 이에 대한 연구는 주로 전기전도성의 원인을 규명하는데 집중되고 있다. 아직 명확한 전도 기구는 제안되고 있지 못하지만 전도성의 원인은 수소와 관련이 있고 전도는 표면을 통하여 이루어진다는 것이다. 산(acid)을 이용하여 다결정 다이아몬드 박막을 세척하면 전기 전도성이 사라지고 높은 저항값을 갖는 박막을 얻게 되는데 박막을 세척하는 공정은 박막의 표면만을 변호시키므로 표면에 있던 전기전도층이 용액 처리를 통하여 제거되므로 전도성이 사라진다고 생각하는 것이다. 그러나, 본 연구에서는 두께가 두꺼울수록 저항값이 증가하는 것이 관찰되었고 기존의 측정방식인 수평적인 저항 측정법에 대하여 수직적 방향으로 저항을 측정하면 저항값이 1/2 정도 작게 측정되었다. 다결정 다이아몬드에서 표면을 통하여 전류가 흐른다면 박막의 두께에 따른 변화가 나타나지 않아야 하고 수직적인 전류 측정법이 오히려 더 큰 저항을 보여주어야 한다. 기존의 표면 전도 모델로는 설명되지 못하는 현상들이 관찰되었고 정확한 전기 전도 경로를 확인하기 위하여 전해 도금법으로 금속들이 석출되는 모습을 관찰하였다. 이 방법을 통하여 다결정 다이아몬드에서 전류는 결정입계를 통하여 전도됨을 알 수 있었다. 온도에 따른 다결정 다이아몬드의 전기전도도 변화를 관찰하였고 이로부터 활성화 에너지 값을 구할 수 있었다. 다결정 다이아몬드의 전도도는 온도에 따라서 0.049eV와 0.979eV의 두 개의 활성화 에너지를 갖는 구간으로 나뉘어졌다. 이로부터 다결정 다이아몬드에는 활성화 에너지 값이 다른 두 종류의 defect level이 형성되는 것으로 추정할 수 있고 이 낮은 defect level에 의하여 전도성을 갖는 것으로 생각된다.

• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• 1998.06c
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• pp.455-458
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• 1998

초음파 산업분야에 널리 사용되고 있는 PZT 압전 세라믹 진동자의 경우 높은 품질계수로 인하여 대역폭이 좁고, 진동 시 두께방향 진동뿐만 아니라 횡방향 진동으로 인하여 초음파 신호를 분석하는데 여러 가지 어려움이 항상 존재하였다. 따라서 본 연구에서는 PZT 세라믹스와 고분자 재료인 Epoxy를 사용하여 1-3 접속도를 갖는 압전 복합재료를 제조하였다. 이를 이용하여 초음파 트랜스듀서를 제작하였고, 이에 대한 전기음향변환능률을 어드미턴스 loop를 측정하여 구하였다. 유전율, 공진 주파수 등을 포함한 기본적인 트랜스듀서의 파라메터들은 공진 부근에서 전기적인 임피던스로부터 측정하였다. 이러한 파라메터들을 적용하여 주파수에 대한 트랜스듀서의 성능을 평가하였다. Pulse-echo법을 이용하여 삽입손실율을 구하고 임펄스 반응을 통하여 주파수 대역폭에 대해서 측정하였다. 그 결과 어드미턴스 loop로부터 두께방향모드를 제외한 횡방향 모드는 거의 나타나지 않았다. 유전율은 5.25㎊m이었고, 공진주파수 1.65MHz에서 -8dB의 최소 손실이 발생하였다. 주파수대역폭은 -6dB에서 64%(Q ; 1.56)의 대역폭이 측정되었고 전기기계 결합계수는 0.54이고 전기기계변환능률은 52%, 기계음향변환능률은 31%로 측정되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.33-33
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• 2011

반도체 산업기술이 발달함에 따라 고청정 공정 환경이 요구되고 있으며, 반도체 공정용 장비에 이용되는 부품 중 양극산화피막법(Anodizing)으로 피막을 성장시킨 anodic aluminum oxide (AAO)부품은 플라즈마에 의해 화학적, 물리적 침식이 발생하여 코팅막과 모재에 손상을 일으키며 코팅막이 깨지거나 박리되면서 다량의 Particle이 생성됨으로써 공정상의 여러 가지 문제를 야기 시킨다고 알려져 있다. 하지만 코팅막을 평가하는 방법은 거의 전무하며 기본물성 측정방법인 피막두께, 내전압, 임피던스, 내식성 측정방법을 통하여 여러 기본물성측정방법으로 부품의 평가기술을 연구하였다. 본 연구에서는 이러한 진공 부품의 하나인 anodic aluminum oxide (AAO)부품샘플을 누설전류 및 내전압 측정하여 샘플의 전기적 특성을 측정하였고, 표면 미세구조의 변화를 관찰하였다. 부식실험으로는 HCl 가스를 발생시켜 부식정도를 알아봤으며, 부식처리와 플라즈마 처리 모두 코팅 막의 손상과 전기적 특성의 감소를 보였다. 진공장비 전극 부품평가의 유익한 평가 항목으로서 플라즈마 데미지를 주는 도중에 실시간으로 부품평가에 따른 Particle을 측정함으로써 ISPM 장비를 이용하여 진공 장비용 코팅부품이 플라즈마공정에서 발생하는 오염입자를 측정할 수 있는 방법을 연구하였다. 이러한 결과를 이용하여 진공공정에서 사용되는 코팅부품이 플라즈마에 의한 손상정도를 정량화 하고 평가방법을 개발하여 진공장비용 공정 중 실시간으로 부품의 성능평가가 가능하고 코팅부품 신뢰성 향상이 가능할 것으로 본다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.123-123
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• 2010

투명전극 물질인 ITO는 가시광선 영역에서 높은 투과율과 낮은 전기저항을 나타내어 OLED, PDP, LCD등 다양한 분야에서 널리 사용되는 물질이다. 하지만 차세대 조명으로 개발이 확대되고 있는 OLED 조명 등 더 많은 분야에 적용하기 위해서는 많은 개선점이 필요하다. 특히 픽셀 구조가 아닌 OLED 조명의 경우 ITO의 저항에 의해 전압 강하가 발생하여 휘도 불균일, 발열 등의 문제가 발생할 수 있다. 이 때문에 보다 우수한 전기적인 특성과 높은 투과율을 갖는 투명전극이 필요하다. 현재 이러한 문제점을 개선하기 위해 ITO 박막 내부에 얇은 금속 층을 삽입하여 다층 박막으로 증착하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 기존의 투명 전극인 ITO 대신 ITO 중간에 Ag를 삽입한 3층 박막인 ITO/Ag/ITO와 5층 박막인 ITO/Ag/ITO/Ag/ITO를 투명 전극으로 대체하였을 때 수반되는 전기적, 광학적 특성을 알아보고자 한다. 또한 열처리 조건을 다르게 하여 열처리에 따른 다층 박막의 특성 변화도 비교해보았다. In-line 형태의 RF-DC sputter를 이용하여 다층박막을 증착시킨 후 Oven과 Vacuum Oven에 열처리를 하여 특성을 알아보았다. 전기적 특성을 알아보기 위해 4-point probe를 이용하여 비저항을 측정하였고, UV-VLS spectrometer를 이용하여 투과율을 측정하였다. 또한, Atomic force microscopy(AFM)을 이용하여 표면 형상을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.07a
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• pp.561-564
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• 2003

본 연구는 고온 초전도 자속 흐름 트랜지스터의 채널 식각 두께에 따른 임계 특성의 자동 측정을 위해 나노옴/마이크로 볼트 미터 와 전원공급기 등 측정에 필요한 장비들을 GPIB 인터페이스 보드를 통해 PC와 연결하여 측정 장치를 구축후 직접 제작한 측정 프로그램을 통해 자동으로 시편에 전류, 전압을 가한후 임계 특성값을 효율적인 방법으로 측정하고 측정 결과값들을 시간순서 및 측정 대상에 따라 데이터 베이스화 하는 방법에 대하여 소개한다. 부수적으로 임계 특성의 정확한 측정을 위해 실험에 변수가 되는 요소들을 찾아내고 실험 데이터값들로부터 오차를 발견, 오차의 원인이 되는 식각 방법 및 실험 환경등의 부가적인 요소들을 고려하여 개선된 측정 장치를 구축하는데 경제적, 시간적인 효율성 측면에 대해 언급했다.