• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.6
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• pp.524-535
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• 1993

본 연구에서는 SF$_{6}$가스의 전자이동속도를 더블히트파이프 실험장치를 이용하여 유도전류법에 의해 실험적으로 측정하였다. 그리고 전자수송계수의 정량적인 산출은 볼츠만 수송 방정식의 Backward-Prolongation을 이용하여 계산하고 해석하였다. 이때 전자에너지 분포함수와 전리 및 부착계수를 구하고 운동량변환단면적을 결정하였다. 그리고 실험적으로 측정된 SF$_{6}$가스의 전자이동속도와 계산된 전자수송계수를 비교 검토하여 해석함으로서 절연체의 기초적인 물성자료로 사용할 수 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.100-100
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• 2003

본 연구에서는 Si에 Mn을 첨가한 Si$_{l-x}$Mn$_{x}$ 박막의 전기적 및 자기적 특성을 조사하였다. Si$_{l-x}$Mn$_{x}$ 박막은 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 native oxide층을 제거하지 않은 (100)Si wafer 위에 성장하였다. Substrate 온도는 50$0^{\circ}C$로 하였으며, 첨가한 Mn 농도는 20%에서부터 80%까지였다. 전기적 특성은 Hall, 4-point probe를 통하여 측정하였고, 자기적 특성은 VSM, FMR, SQUID을 이용하여 측정하였다. 상 분석은 XRD, TEM을 이용하여 관찰하였다 Si$_{l-x}$Mn$_{x}$ 박막은 Hall 측정 결과 상온에서 P-type carrier를 가지며, 비저항은 반도체 영역인 7.6$\times$$10^{-4}$~4.2$\times$$10^{-2}$(ohm-cm)의 값을 가진다. 상온 VSM, 측정결과 Mn의 양이 52% 첨가 시 포화 자화 값이 가장 높은 40emu/cc를 가지며, Mn의 양이 증가할수록 포화 자화 값이 증가하다 다시 감소하는 경향을 가진다. FMR, SQUID 측정에서도 이러한 경향을 확인할 수 있었다 특히, SQUID 분석 결과 두 개 이상의 자성 상이 존재하는 것을 관찰할 수 있었다. XRD, TEM 관찰결과, Si$_{l-x}$Mn$_{x}$은 poly crystal로 성장하였으며, Mn 농도에 따라 여러 상들이 관찰되었다.따라 여러 상들이 관찰되었다.

• Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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• v.32 no.6
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• pp.581-586
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• 2010

Generally, electrokinetic potential has been considered as an intensive property. In other words, electrokinetic potential is not affected by the amount of particulate matter. Montmorillonite, one of essential inorganic matter, was chosen to measure electrokinetic potential. The result of electrokinetic potential measuring experiment showed that the value observed to decrease as the amount of montmorillonite clay increased. This is due to the fact that total ions that adsorbed per unit mass were decreased as the amount of montmorillonite was increased. As a result, electrokinetic potential is considered as an extensive property. By using these results, total interaction energy of suspension was also checked, and revealed that total interaction energy was decreased as the amount of montmorillonite increased.

• Korean Journal of Environment and Ecology
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• v.15 no.1
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• pp.17-25
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• 2001

본 연구는 조경수목의 목질 내부의 상태 진단과 변색 및 부후 부위의 탐색을 통하여 병든 부위를 조기에 제거. 병의 확산 방지 및 효율적인 예방관리를 위해 Shigometer의 이용가능성을 제시하고자 하였다. 본 연구대상지는 충남 천안시 성환흡 수향리에 위치한 연암축산원예대학으로 하였으며, 대학 구내에 식재된 조경수를 대상수종으로 하였다. 대상수종은 침엽수 7종과 활엽수 16종으로 총 23종을 선정하였다. 조사한 조경수목의 내부 전기저항치는 수종별로 매우 다양하게 나타났다. 평균 내부 전기저항치가 500k$\Omega$이상인 수종은 은행나무, 섬잣나무, 소나무, 단풍나무, 중국단풍. 홍단풍이었으며, 개체간 차이와 측정 깊이에 따른 차이도 심하지 않았다. 그러나 메타세쿼이아, 수양버들, 자귀나무, 회화나무는 200k$\Omega$이하의 낮은 내부 전기저항치를 나타냈다. 측정 깊이에 따른 변화가 심한 수종은 전나무, 메타세쿼이아, 수양버들, 느티나무, 튤립나무, 목련, 일본목련, 핀오크, 벚나무등으로 이들은 측정 깊이에 따라 전기저항치가 갑자기 하락하는 부위를 포함하고 있었으며, 전기저항치가 갑자기 하락하는 부위의 목재는 부후되어 있었다. 결론적으로 Shigometer는 가시적인 피해증상이 나타나기 전 초기단계에서 목재의 변색 및 부후 부위를 찾아내는데 유용하게 이용될 수 있을 것으로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.169-169
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• 2010

박막형 CIGS 태양전지의 배면전극으로 사용되는 Mo 박막은 낮은 저항으로 인한 전기전도성과 열적 안전성이 아주 우수하다. 연구에서는 연성 CIGS 태양전지의 제조를 위한 Mo 배면전극의 대면적 증착기술에 관한 것으로 DC Magnetron Sputtering 공정을 이용하여 전주기술을 통한 Ni-Fe계 연성기판재 위에 졸걸법으로 합성된 $SiO_2$ 절연박막에 Mo 박막을 증착하는 것을 목적으로 하고 있다. 실험에서는 연성기판재 대신 시편을 Sodalime glass, Si wafer, SUS계 소재를 사용하여 스퍼터링 공정에 의한 Mo 박막을 증착하였다. 실험에서 타겟에 인가되는 전력과 공정압력을 변수로 하여 Mo 박막의 증착율, 전기저항성을 측정하였다. 타겟의 크기는 $80mm{\times}350mm$, 타겟과 기판간 거리 20cm 이었으며, 공정 압력은 2~50 mtorr 영역에서 인가전력을 0.5-1.5kW로 하였다. Mo 박막의 증착율과 전기적 특성을 측정하기 위하여 $\alpha$-step과 4-point probe(CMT-SR 1000N)를 이용하였다. 그리고 Mo 박막의 잔류응력을 측정하기 위하여 잔류응력측정기를 이용하였다. Mo 박막의 미세구조분석을 위하여 SEM 및 XRD를 분석을 실시하였다. 배면전극으로서 전기저항성은 공정압력에 따라 좌우 되었으며, 2 mTorr 공정압력과 1.5kW의 전력에서 최소값인 $8.2\;{\mu}{\Omega}-cm$의 저항값과 증착율 약 $6\;{\mu}/h$를 보였다. 기판재와의 밀착성과 관련한 잔류응력 측정과 XRD분석을 통한 결정립 크기를 분석하여 공정압력에 따른 Mo 박막의 잔류응력과 전기 저항 및 결정립 크기의 상관관계를 조사하였다. 그리고 대면적 CIGS 증착공정을 위해 직각형 타겟을 통해 증착된 Mo 박막의 증착분포를 20cm 이내 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.350-350
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• 2012

본 연구에서는 Oxide 두께가 각각 4, 6 nm인 Symmetric NMOSFET의 전기적 특성 분석에 관한 연구를 진행하였다. 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), Threshold Voltage(VT) 및 드레인 전압에 따른 Off-states 특성 변화를 분석하였다. 소자 측정 결과 oxide 두께가 4 nm인 경우 Vt는 0.3 V, IDSAT은 73 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로, oxide 두께가 6 nm인 경우 Vt는 0.65 V, IDSAT은 66 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로 각각 측정되었다. 이는 oxide 두께가 얇은 경우 게이트 전압 인가 시 Electric field 증가에 따른 것으로 판단된다. 또한 드레인 전압 인가에 따른 소자 특성 분석 결과 oxide 두께가 4nm인 경우 급격한 Gate leakage 증가를 보였으며, 이에 따라 Off-state에서의 leakage current가 증가함을 확인하였다. 본 연구는 Oxide 두께에 따른 MOSFET 소자의 전기적 특성 분석을 위해 진행되었으며, 상기 결과와 같이 oxide 두께 가변은 Idsat, Vt, leakage current 등의 주요 파라미터에 영향을 주어 NMOSFET 소자의 전기적 특성을 변화시킴을 확인하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.2
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• pp.175-184
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• 1991

급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA. $V_{fb}$ )와 계면 상태밀도( $D_{itm}$)의 증가가 산화막보다 적은 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.10a
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• pp.819-820
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• 2016

Electrical power distribution is consists of high voltage, low voltage and motor control center(MCC). Motor control centers involves turning the motor on and off, it is configured electronic over current relay to detect a motor overcurrent flows. Existing electronic over current relay detects electrical fault such as overcurrent, undercurrent, phase sequence, negative sequence current, current unbalance and earth fault. However, it is difficult to detect mechanical fault such as locked rotor, motor stator and rotor and bearing fault. In this paper, we propose a condition monitoring and fault diagnosis system for electrical and mechanical fault detection of rotating machinery. The proposed system is designed with signal input and control part, system interface part and data acquisition board for condition monitoring and fault diagnosis, it was possible to detect electrical fault and mechanical fault through measurement and control of insulation resistance, locked rotor, MC counter and bearing temperature.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.189-189
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• 2009

다양한 증착 조건에서 마그네트론 2원 동시 방전법을 이용하여 유리기판위에 ITO (10wt% $SnO_2$ 타겟과 $Yb_{2}O_{3}$ 타겟을 사용하여 증착한 ITO:Yb 박막의 구조적, 전기적 특성을 연구하였다. 스퍼터 가스로서는 Ar 가스를 사용하였고, RF power가 0W이고 어닐링온도가 $200^{\circ}C$일 때, 가장 낮은 비저항 $2.442{\times}10^{-4}{\Omega}cm$을 나타내었다. ITO:Yb 박막의 전기적 특성은 Hall 효과 측정장비, 박막의 결정구조는 X-선 회절(XRD), 광학적 특성은 UV 측정장비를 사용하여 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.35-36
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• 2013

본 발표는 atomic force microscopy (원자력현미경) 기법을 이용하여 그래핀을 포함한 다양한 나노물질의 물리적, 화학적, 역학적, 또한 전기적 특성의 상호영향 (correlation)의 이해를 목표로 한다. 원자력 현미경은 표면과 검침사이의 물리적 힘을 측정하고 이를 피드백시킴으로써 표면의 형상을 얻는 원리이며 표면의 역학적 (마찰력, 점착력), 전기수송적 특성을 동시에 측정할 수 있는 이점이 있다. 또한 원자력 현미경은 표면의 구조적인 특성과 표면에너지에 대한 정보를 나노미터 스케일에서 줄 수 있다. 나노선, 나노입자, 또한 연료전지의 모델 시스템에서 원자력현미경을 이용한 표면의 나노역학적 특성 및 점착력의 측정이 다루어질 것이며 표면공학을 통한 표면처리에 따른 마찰력과 점착력의 제어를 논의할 것이다.