• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.22 no.4
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• pp.71-76
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• 2015

Recently, light emitting diodes (LEDs) have been studied to improve their efficiencies for the uses in various fields. Particularly in the aspect of chip structure, via hole type vertical LED chip is developed for improvement of light output power, and heat dissipations. However, current vertical type LEDs have still drawback, which is current concentration around the n-contact holes. In this research, to solve this phenomenon, we introduced isolation layer under n-contact electrodes. With this sub-electrode, even though the active area was decreased by about 2.7% compared with conventional via-hole type vertical LED, we could decrease the forward voltage by 0.2 V and wall-plug efficiency was improved approximately 4.2%. This is owing to uniform current flow through the area of n-contact.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.10 no.6
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• pp.814-821
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• 1999

The specific capacitance characteristics of the electric double layer capacitors(ELDC) which were made of phenol based activated carbon fiber(ACF) electrodes. Also the effect of aqueous electrolytes on the cell performance has been investigated with respect to different specific surface areas of electrodes and different kinds of aqueous electrolytes. It has been shown that larger surface area and pore size, higher conductivity of electrodes, and higher ion mobility of electrolytes have better specific capacitances. It has been found that heat treatment at $1200^{\circ}C$ and $CO_2$ post-activation at $900^{\circ}C$ of the electrode are effective to improve the specific capacitance over 145F/g and 165F/g, respectively. The EDLC showed high efficiency and long cycle life over 30000 cycles.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.294-294
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• 2010

CdS는 $CuInSe_2$계, CdTe계 이종접합 태양전지의 junction partner로 많이 이용되어 왔다. CdS는 전극으로 쓰일 뿐만 아니라 빛을 투과시키는 창문층으로 사용되어 높은 변환 효율을 나타낸다. 이종접합 태양전지에서 창문층은 가시광 영역에서 광투과율이 높고, 전기적으로 비저항이 낮아야 에너지 손실 없이 태양광을 광흡수층까지 투과시킬 수 있다. CdS 박막은 CBD법(solution growth technique), 진공증착법(vacuum evaporation), 스퍼터법(sputtering), 스프레이 열분해법(spray pyrolysis), 전착법(electrodeposition)에 의해 제조되고, 그 중 용액성장법(solution growth technique)이라고도 불리는 CBD법(chemical bath deposition)을 이용하여 CdS 박막을 제조하였다. CBD법은 다른 방법에 비해 제조 과정이 비교적 간단할 뿐만 아니라 제조 단가가 저렴하고, 넓은 면적의 박막 제조가 가능하며 재현성도 우수하다는 장점이 있다. CdS 박막을 제조하기 위한 cadmuim 이온공급원으로는 $CdSO_4$를 사용하였고 sulfur 이온공급원으로는 $SC(NH_2)_2$를 사용하였다. CBD법에서 박막의 물성에 영향을 미칠 수 있는 요인인 sulfur 이온공급원과 cadmium 이온공급원의 비, 용액의 온도, pH를 변화시켜 CdS 박막을 제조하였다. 각각의 조건에 의해 제조된 CdS의 박막의 두께는 Tencor P-1을 이용하여 측정되었고, UV-Visible spectrometer를 이용하여 파장에 따른 광투과율을 측정하였다. CdS 박막의 결정 구조를 조사하기 위해 X선 회절분석(XRD ; X-ray diffraction)을 하였고, AFM(Atomic Force Microscope)으로 표면 특성을 관찰하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.241-241
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• 2003

고체산화물 연료전지(Solid oxide fuel cell : SOFC)는 연료기체가 소유하고 있는 화학에너지를 전기화학반응에 의해 직접 전기에너지로 변화시키는 에너지 변환 장치이다. 고체산화물 연료전지의 특성은 인산형, 용융탄산염형 및 고분자연료전지 둥 다른 연료전지에 비해 효율이 높고 공해가 적으며, 연료개질기가 필요 없고 복합발전이 가능하다. 그러나 작동온도가 고온(100$0^{\circ}C$)이어서 연결재 및 전지의 구성요소가 고가이고 전류집전 및 밀봉 둥 문제점을 가지고 있다. 전극 지지체식 연료전지의 개발은 얇고 치밀한 전해질 제조를 가능하게 하여 낮은 저항을 가지기 때문에 저온에서 작동을 용이하게 하여 고온작동시의 문제점을 해결하기 위한 방안으로 박막제조공정에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 또한 전지성능을 향상시키기 위해 전기화학적 반응면적과 가스 확산층을 넓게 하기 위한 기공률이 높고 전기전도도가 우수한 지지체 제작에도 많이 연구가 이루어지고 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.189-189
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• 2003

최근, Low-temperature Poly-Si(LTPS) TFT시장이 새롭게 형성됨에 따라 저온결정화 기술 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나, 기존의 저온결정화방법에 비해 수율이 높고 생산단가를 낮출 수 있으며 대 면적 프로세스 적용이 가능한 결정화공정개발이 시급히 필요한 실정이다. 본 연구에서는 TFT-LCD array를 구성하고 있는 데이터 라인과 ITO 공통 전극이 개별 트랜지스터의 소스와 드레인에 연결되어있다는 점에 착안하여, 전계를 이용한 방향성유도결정화법(Field Aided Lateral Crystallization)을 이에 적용하였으며 채널영 역의 균일한 결정화를 위하여 컨택홀의 모양에 변화를 주어 결정화 실험을 진행하였다. 이 방법은 간단한 공정(TFT-LCD way를 통한 전계 인가 및 열처리)으로 패널내의 모든 채널영 역을 균일하게 결정화할 수 있을 것으로 기대되는 방식이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1552-1554
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• 2002

본 논문에서는 실리콘을 기초로 한 포토다이오드를 제작하여 현재 바이오센서에서 이용되고 있는 luminol 화학 발광을 전기적으로 검출하였다. 우선, 실리콘 웨이퍼에 이온주입을 통해 p-n 접합을 형성하고 Al 전극을 형성시켜 포토다이오드를 제작하였다. PDMS을 passivation 막으로 사용하여 horseradish peroxidase(HRP) 농도 변화에 따른 발광의 최적조건과 luminol, HRP가 섞인 용액에 서로 다른 양의 과산화수소를 넣어 발광이 최대로 발생하는 혼합비를 측정하였다. 최종적으로 2mM luminol, 25U HRP 조건 하에서 과산화수소 농도에 따른 화학 발광을 측정하였으며, $10{\mu}M$부터 $500{\mu}M$ 범위의 과산화수소 농도 변화에 따른 포토다이오드의 감도는 단위 면적당 23.429pA/ ${\mu}M$이다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.12a
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• pp.54-58
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• 2003

본 연구에서는 $SiO_2/Si$ 기판 위에 $1.1\mu\textrm{m}$ 두께의 ZRO 압전층을 다양한 조건 하에서 증착하고, 그 특성을 분석하고, film bulk acoustic wave resonator 소자에 적용하였다. 증착조건으로 $Ar/O_2$ 유량비를 25-75 %로 변화시켰으며, working pressure는 3~15 mtorr, RF power는 213~300 W로 변화시켜가며 실험을 하였다. 증착된 ZnO 박막은 XRD (X-ray diffractomter)와 SEM (scanning electron microscopy)을 통해 특성이 분석되었다. LFE모드의 BAW 공진기는 $50\times50\mu\textrm{m}^2$ 공진면적을 가지며, $W/SiO_2$의 5층 Bragg reflector와 상하부 전극으로 $1800{\AA}$의 Al-3% Cu, 그리고 $1.4\mu\textrm{m}$ 두께의 ZnO 압전박막으로 구성되었다. 2.128-2.151 GHz 주파수 사이에서 공진이 일어났으며, Q factor는 400으로 측정되었다.

• Composites Research
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• v.32 no.6
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• pp.388-394
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• 2019

Inherited the excellent electrical and mechanical properties based on the low dimensional structure of graphene, three-dimensional graphene nanostructures have gathered great attention as electrochemical energy storage electrodes owing to their high porosity and large specific surface area. Also, having the catecholamine structure, dopamine has been regarded as a multifunctional material to possess high affinity to various organic/inorganic materials and to modify a hydrophobic surface to a hydrophilic one. In this work, through coating dopamine on the three-dimensional graphene nanostructure, we tried to increase the specific capacitance by enhancing the wettability with electrolyte and to improve the mechanical compressive property by strengthening the nano-architecture. As a result, the dopamine-coated nanostructure exhibited significant improvement on the specific capacitance (51.5% increase) and compressive stress (59.6% increase).

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.29 no.6
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• pp.759-764
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• 2018

3D porous carbon electrodes (cNPIM), prepared by solution casting of a polymer of intrinsic microporosity (PIM-1) followed by nonsolvent-induced phase separation (NIPS) and carbonization are presented. In order to effectively control the pore size of 3D porous carbon structures, cNPIM was prepared by varying the THF ratio of mixed solvents. The SEM analysis revealed that cNPIMs have a unique 3D macroporous structure having a gradient pore structure, which is expected to grant a smooth and easy ion transfer capability as an electrode material. In addition, the cNPIMs presented a very large specific surface area ($2,101.1m^2/g$) with a narrow micropore size distribution (0.75 nm). Consequently, the cNPIM exhibits a high specific capacitance (304.8 F/g) and superior rate capability of 77% in an aqueous electrolyte. We believe that our approach can provide a variety of new 3D porous carbon materials for the application to an electrochemical energy storage.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.12
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• pp.1263-1269
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• 1999

An FBAR(Solidly Mounted Resonator) was fabricated using reflector layers which prohibit the penetration of bulk acoustic wave into substrate. The SMR consisted of top and bottom electrodes(Al films), a piezoelectric layer (ZnO film), reflector layers(W/$Si_2$ films) and Si substrate. The electrodes were deposited by dc sputtering. The piezoelectric layer and the reflector layers were deposited by rf magnetron sputtering. The control of crystallinity, microstructures and electric properties of each layer was essential for attaining the optimum FBAR characteristics. Under the best deposition conditions for FBAR devices, the ZnO films had highly c-axis preferred orientation(${\sigma}=2.17^{\circ}$), resistivity of $10^4\;{\omega}cm$, and surface roughness of 10.6 ${\AA}$. On the other hand, the surface roughness of W and $Si_2$ films was 16 ${\AA}$ and 33 ${\AA}$, respectively, and the resistivity of Al film was $5.1{\times}10^{-6}\;{\Omega}cm$. The SMR devices were fabricated by the conventional semiconductor processes. In the resonance conditions of the SMR, the series resonance frequency (fs) and the parallel resonance frequency(fp) were 1.244 GHz and 1.251 GHz, respectively and the quality factor(Q) was 1200.