• Title/Summary/Keyword: 전극재료

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Investigation of Ag front contact and Al back contact for screen printing solar cells (Screen printing 태양전지를 위한 Ag 전면전극과 Al 후면전극의 연구)

  • Kim, Do-Wan;Lee, Hyun-Woo;Lee, Eun-Joo;Lee, Soo-Hong
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.06a
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    • pp.127-128
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    • 2006
  • 일반적으로 screen printing 전극은 양산용 태양전지에 많이 응용되고 있다. 이것은 공정이 진공상태 내에서 이루어지지 않으므로 비교적 간단하게 증착 가능하고, co-firing으로 인한 공정단계의 함축과, 기판의 화학적인 오염이 적으며, 시료를 용도에 따라 다양하게 선택적으로 사용할 수 있고, 많은 수량의 태양전지에 전극을 저비용으로 빠르게 형성할 수 있기에 throughput 이 높은 장점이 있다. 하지만 lithography에 의한 전극보다 저항이 높고, uniformity가 낮은 단점이 있다. 본 연구에서는 Ag 전면전극과 Al 후면전극을 형성하고 conventional furnace에서 co-firing하여 열처리조건에 따라서 전극이 최적화된 가장 낮은 저항을 갖도록 하여 단점을 개선하여 보았다.

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나노 임프린트 리소그래피 기술을 이용한 투명 전극 재료의 직접 나노 패턴 형성 기술

  • Yang, Gi-Yeon;Yun, Gyeong-Min;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.51.1-51.1
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    • 2009
  • 나노 임프린트 리소그래피 기술은 마스터 몰드 표면의 나노 패턴을 물리적인 가열, 가압 공정을 통해 기판 위의 고분자 층으로 전사시키는 기술이다. 이 기술은 기존의 노광 기술과는 다르게 직접적인 접촉을 통해 패턴을 형성하기 때문에 기능성 물질의 직접 패턴 형성이 가능한 기술이다. 투명 전극 재료는 다양한 분야으로의 응용이 가능하기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. ITO는 높은 투과율과 전도성 때문에 대표적인 투명 전극 물질로 사용되고 있다. 본 연구에서는 ITO nano particle solution을 이용하여 thermal 임프린팅 공정을 진행해 ITO nano pattern을 형성하는 연구를 진행하였고 이와 같은 기술을 이용하여 glass와 LED 기판에 ITO nano pillar pattern을 제작하였고 이를 주사 전자 현미경과 UV/vis를 이용하여 형성된 나노 ITO 나노 패턴의 구조와 광학적 특성을 분석하였다.

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The Effect of Back Electrode on the Surface Discharge of polymeric Materials (고분자절연재료에서 배후전극이 연면방전에 미치는 영향)

  • 조기선;신태현;김영조
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.3 no.1
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    • pp.29-35
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    • 1990
  • 원통형 및 평판형 유전체에 임펄스전압을 인가하는 경우 나타나는 50%의 Flash over전압 (F.O.V)특성 및 Lichtenberg 도형에 미치는 배후전극의 영향을 관측하였다. F.O.V는 배후전극이 있는 경우가 없을 때보다 인가전압을 저하시킬 수 있었고 Lichtenberg도형에서 방전로의 진전상태는 배후전극의 존재로 인하여 크게 신장함을 알았다.

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전극 패드의 위치에 따른 발광다이오드의 전기적 및 광학적 특성 연구

  • Yang, Ji-Won;Kim, Dong-Ho;Lee, Wan-Ho;Kim, Su-Jin;Chae, Dong-Ju;Sim, Jae-In;Kim, Tae-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.11a
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    • pp.16-16
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    • 2009
  • 발광다이오드 (Light-Emitting-Diode, LED)의 균일한 전류분포, 높은 광출력 및 내부양자효율 확보를 위해서는 활성영역으로의 균일한 전류주입이 필수적이며 이를 위해서는 최적화된 전극패턴 설계가 매우 중요하다. 따라서 현재까지지도 균일한 전류확산을 위한 전극 패턴 설계에 많은 연구가 다각도로 진행되고 있으며, 전극 패턴에 따른 LED의 성능향상 또한 보고되고 있다. 전극패턴과 더불어 중요시 되는 것은 바로 전류주입에 필수적인 전극 패드이다. 최근에는 LED가 대면적화 되어감에 따라, 패드의 개수가 증가하고 그 위치에 따른 영향력 및 중요성 또한 높아지고 있다. 본 연구에서는 동일한 전극 패턴을 갖는 Planar LED에서의 전류확산 극대화를 위한 패드의 위치에 따른 전기적 및 광학적 특성에 대해 연구하였다.

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고밀도 플라즈마 응용 고효율 스퍼터링 증착 공정 개발

  • Kim, Jong-Guk;Lee, Seung-Hun;Kim, Chang-Su;Gang, Jae-Uk;Kim, Do-Geun
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.56.1-56.1
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    • 2011
  • 본 연구에서는 90% 이상의 스퍼터링 전극 사용이 가능한 새로운 방식의 스퍼터링 증착 기술을 개발하였다. 본 장치는 기존의 마그네트론 스퍼터링법과 달리 플라즈마 발생부와 스퍼터링 전극이 따로 존재하며, 플라즈마 발생부에서 생성된 이온을 통해 전극 스퍼터링을 일으킨다. 플라즈마 발생부에서 생성된 $10^{13}cm^{-3}$ 이상의 고밀도 Ar 플라즈마는 전자석 코일을 통해 형성된 자기장을 따라 스퍼터링 전극으로 균일하게 수송되며, 스퍼터링 전극 전압에 의해 가속된 이온은 전극 대부분 영역에서 스퍼터링을 발생시킨다. 스퍼터링 전류는 플라즈마 발생부의 전력에만 비례하며 직경 100 mm 스퍼터링 전극 사용시 최대 3.8 A의 이온 전류 값을 나타냈다. 따라서 스퍼터링 전압과 전류의 독립적인 제어가 가능하며 일정한 스퍼터링 전류 조건에서 300 V 이하의 저전압 스퍼터링 공정 및 1 kV 이상의 고전압 스퍼터링 공정이 가능하였다. 이를 통해 스퍼터링된 이온 및 중성입자의 에너지 조절이 가능하며, 다양한 증착공정 분야에 응용 가능하다.

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A study of the formation of the liner $\lambda$-DNA bridge using the electrostatic interactions on the gold nanoelectrodes (금 나노 전극위에 정전기적 상호작용을 이용한 선형 $\lambda$-DNA 브리지 형성에 관한 연구)

  • Kim, Hyung-Jin;Yi, In-Sun;Roh, Yong-Han;Hong, Byung-You
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2004.04b
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    • pp.64-67
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    • 2004
  • 본 논문에서는 DNA를 이용한 나노 소자에 응용하기 위하여, photo-lithograpy를 사용하여 나노크기(<100)의 간격을 갖는 금 전극을 제작하였다. 그리고 제작되어진 되어진 나노 전극위에 2-Amino ethanthiol(AET)를 코팅하여 AET와 $\lambda$-DNA 사이의 정전기적 상호 작용을 이용, 금 나노전극 사이에 간단하고 고착율을 높이는 실험을 하였다. SEM(Scanning Electron Microscope) 분석을 통해 나노 크기의 전극 간격을 확인하였고, 두 전극사이에 연결되어진 $\lambda$-DNA는 AFM(Atomic force microscope)을 확인하였다.

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Cold Spray 증착된 Cu의 전면전극 특성연구

  • Gang, Byeong-Jun;Park, Seong-Eun;Kim, Yeong-Do;Kim, Seong-Tak;Lee, Hae-Seok;Cha, Yu-Hong;Kim, Do-Yeon;Park, Jeong-Jae;Yun, Seok-Gu;Kim, Dong-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.482.1-482.1
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    • 2014
  • 고효율 셀 및 생산 단가 절감은 결정질 실리콘 태양전지에서 가장 중요시되고 있는 이슈이다. 그 중 박형 실리콘 웨이퍼를 사용하는 공정은 고효율 및 생산단가의 절감을 만족시킬수 있는 방안으로 개발되고 있으며, 전면 전극 재료인 Ag를 다른 금속 재료로 대체하는 방법 또한 단가 절감을 위한 방안으로 연구가 진행 중이다. 하지만 박형 웨이퍼를 기존 공정에 적용할 시 전후면 전극 형성을 위한 고온의 소성 공정 때문에 웨이퍼의 휨 현상이 문제가 되고 있다. Cu 금속 분말의 저온 분사법을 결정질 실리콘 태양전지 전면전극 형성에 적용할 경우, 박형 실리콘 웨이퍼에 적용하는 문제와 Ag 전극의 대체 전극 사용 문제를 동시에 해결할 수 있는 대안이 될 것으로 사료된다. 본 연구에서는 Cold spray법을 사용하여 결정질 실리콘 태양전지 에미터 위에 Cu 전면 전극을 형성하였으며 반복되는 증착 횟수에 따른 전기적 특성 및 형상학적 특성 등을 평가하였다. 전극 형성 전의 Cu 분말 크기는 1~10 마이크론 이었으며, 주사전자현미경을 이용하여 전극의 형상 및 종횡비를 측정하였다. 또한 transfer length method (TLM) 패턴을 실리콘 웨이퍼 표면에 형성하여 접촉 저항 특성 및 전극의 비저항을 평가하였다.

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주석 전기도금과 열압착본딩을 이용한 Bi2Te3계 열전모듈의 제작

  • Yun, Jong-Chan;Choe, Jun-Yeong;Son, In-Jun;Jo, Sang-Heum;Park, Gwan-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2017.05a
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    • pp.129-129
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    • 2017
  • 열전재료는 열에너지를 전기에너지로 또는 전기에너지를 열에너지로 직접 변환하는데 가장 널리 사용되는 재료이다. $Bi_2Te_3$계 열전 재료는 400K 이하의 비교적 저온 영역에서 높은 성능지수(Dimensionless Figure of merit, ZT($={\alpha}2{\sigma}T/{\kappa}$, ${\alpha}$: 제백계수, ${\sigma}$: 전기전도도, T: 절대온도, ${\kappa}$: 열전도도))를 나타내는 열전재료이며 자동차 시트나 정수기 등에 응용되고 있다. 열전모듈은 제조시 수십 개에서 수백 개 이상의 n형 및 p형 열전소자를 알루미나($Al_2O_3$)와 같은 세라믹 기판(substrate) 상에 접합된 동 전극 위에 전기적으로 서로 직렬로 접합시켜 제조한다. 기존의 열전모듈의 제조방법에는 동 전극 위에 위에 Sn합금 분말과 플럭스(flux)의 혼합물인 솔더페이스트를 스크린 인쇄법을 사용하여 동 전극에 도포한 다음, 그 위에 열전소자를 얹고 약 520K의 열풍을 가하여 솔더를 용융시켜 열전소자와 동 전극을 접합시킨다. 스크린 인쇄법에서는 인쇄 압력이 일정하지 않으면, 솔더페이스트 층의 두께가 균일하지 않게 되어 열전소자 접합부의 불량을 유발시킨다. 그러나 열모듈은 단 하나의 접합 불량이 모듈 전체의 열전변환성능에 심각한 영향을 줄 수 있기 때문에 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 솔더페이스트를 도포하지 않고 열전소자를 직접 동 전극과 접합할 수 있는 방법을 고안하였다. 무전해도금을 이용한 니켈층을 형성시킨 $Bi_2Te_3$계 열전소자 표면에 약 $50{\mu}m$의 주석도금층을 전기도금법을 구사하여 형성시켰다. 그 후, wire cutting을 통하여 $3mm{\times}3mm{\times}3mm$의 크기로 절단한 주석도금된 열전소자를 동 전극에 얹고 1.1KPa의 압력을 가하면서 523K의 핫플레이트 위에서 3분간 방치하여 직접(direct) 열압착 접합을 실시하였다. 접합부의 단면을 SEM을 이용하여 관찰한 결과, 동 전극과 열전소자 사이의 계면에 용융 후 응고된 주석층이 결함없이 균일하게 형성된 양호한 접합부를 관찰할 수 있었다. 따라서, 솔더페이스트를 이용하지 않고, 열전소자 표면에 주석도금을 실시한 후, 동 전극과 직접 열압착 본딩을 실시하는 방법은 균일한 접합계면을 얻을 수 있는 새로운 공정으로 기대된다.

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