본 고에서는 최근 주목받고 있는 적층형 유기 전계발광소자의 일반적 형태와 발광특성등에 대해 알아보고자 한다. 현재 완전한 유기 전계발광소자의 개발을 위해 캐리어 수송재 즉, 정공수송재와 전자수송계의 캐리어 수송능력을 증가시키기 위해서 여러가지 새로운 물질들이 연구되고 있으며, 고효율의 발광특성을 얻어내기 위한 발광재료의 개발과 동작시의 안정성을 향상시키기 위한 소자구조의 개선에 대해서도 연구가 국내외적으로 활발히 진행되고 있다. 특히, 조만간 일본에서 30cd/m$^{2}$의 휘도를 갖는 적층형 유기 전계발광 소자가 상용화 될것으로 알려져있어 이를 계기로 고휘도, 고효율의 유기 전계발광 소자의 개발이 가까운 시일내에 이루워지리라 전망된다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.10a
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pp.44-44
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2011
Unipolar 구조의 양자점 발광소자는 소자에 주입되는 전자로 구동 가능하게 설계되어 bipolar 구조와 달리 직류뿐만 아니라 교류로도 구동이 가능하다. 소자의 구조는 패턴된 ITO 유리기판 위에 Radio frequency magnetron sputter로 성장시킨 투명한 금속산화층 사이에 콜로이드로 분산된 양자점이 포함되어 있다. 본 연구에서는, 전하 수송층으로 사용되는 Zinc Tin Oxide (ZTO)가 전압 인가 시 발생하는 과부하로 인해 낮은 전계발광(electroluminescence, EL)특성이 나타나는 문제점이 있다. 이를 해결하고자 ZTO층의 비저항과 EL특성 사이의 관계를 알아보고, ZTO의 비저항 값을 변화시키기 위해 sputter 공정 중 인가 전력과 작업압력, 산소 분압 등의 성장 조건을 변화시켰다. ZTO의 조성비에 따른 비저항 및 전기적 특성을 홀 측정 장비로 측정하였다. 인가전력이 낮고 작업압력이 낮을수록 비저항 값이 낮았으며, 그에 따라 소자의 동작전압이 낮아지고 EL특성 또한 우수하게 나타났다.
평판 디스플레이 소자인 후막 전계발광소자는 평판형 조명부터 LCD 백라이트에 응용되고 있다. 후막 전계발광소자에 사용되는 ZnS:Cu 형광체는 저주파수에서는 녹색 발광을 하며, 고주파수에서는 청색 발광을 가진다. 본 연구는 저주파수에서도 청색을 가지는 소자를 제작하기 위하여 형광체와 염료의 혼합 비율에 따른 발광특성을 조사하였다. 염료의 혼합 비율은 0$\sim$5 wt%로 하였다. 소자의 발광현상을 고찰하기 위하여 발광 스펙트럼과 휘도를 측정하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.122-122
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2010
백색 유기발광소자를 제작하기 위한 여러 가지 유기물층을 사용할 때 제작공정이 어려워지고 유기발광소자의 발광 효율이 저하되고 색안정성이 나빠지는 문제점이 있다. 본 논문에서는 Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체를 사용한 유무기 혼성 유기발광소자를 제작하고 발광 메카니즘을 조사하였다. 색변환층으로 사용되는 Zn2SiO4:Mn 형광체는 졸겔 방법을 사용하여 형성하고 비이클용액 및 열처리 공정을 사용하여 유리기판 위에 도포하였다. 형성된 Zn2SiO4:Mn 형광체 층에 대하여 X선 회절측정한 결과는 형광체내의 Zn 이온이 도핑된 Mn 이온에 대체되었음을 보여준다. 제작된 진청색 OLED의 전계발광 스펙트럼은 461 nm 에서 peak 을 나타내고 Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체는 470 nm에서 여기 되어 Mn 이온의 4T1-6A1 전이에 의하여 527 nm에서 발광을 한다. Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체를 사용한 유기발광소자의 전계발광스펙트럼에서 나타나는 527nm peak 은 Zn2SiO4:Mn 무기물의 색변환에 의해 나타난 결과로서 제작된 유기발광소자에서 발광된 빛을 청색에서 녹색으로 변환한 결과이다. Zn2SiO4:Mn 무기물 색변환층을 사용하여 제작된 무기물/유기물 유기발광소자의 발광 메카니즘은 전계발광스펙트럼 및 광루미네센스 스펙트럼 결과를 기초로 설명하였다. 이 결과는 녹색 무기물 형광체를 진청색 유기발광소자와 결합하여 제작된 유기발광소자의 발광색을 조절할 수 있음을 보여주었다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.05a
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pp.27-31
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2001
We fabricated organic electroluminescent(EL) devices with mixed emitting layer of poly(N-vinylcarbazole)(PVK), 2,5-bis(5'-tert-butyl-2-benzoxazoly)thiophene(BBOT), N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methyphenyl)-1,1'-biphenyl-4, 4'-diarnine(TPD) and poly(3-hexylthiophene)(P3HT). To improve the external quantum efficiency of EL devices, we added the functional layer to the devices such as LiF insulating layer, carrier confinement layer(BBOT) and hole injection layer(CuPc). In the ITO/emitting layer/Al device, the maximum quantum efficiency at 15V was $1.88{\times}10^{-5}%$. And then, it is increased by a factor of 27 to $5.2{\times}10^{-3}%$ in ITO/CuPc/emitting layer/BBOT/LiF/Al device at 15V.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.602-605
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1999
We dried emitting layer of EL device at 30, 80, I20 and $150^{\circ}C$ for Ihr to investigate the effects to the emission characteristics of devices. PL intensity of P3HT thin film decreased with increasing the drying temperature. But, the EL intensity and stability of device with emitting layer dried at $150^{\circ}C$ were the best. We think it s because of absence of water and remaining solvent in P3HT emitting layer. So, We suggest that the drying temperature of emitting layer of EL device should be select slightly low temperature than its glass transition temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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