• Title/Summary/Keyword: 저유전율

Search Result 62, Processing Time 0.024 seconds

Warpage of Co-fired High K/Low K LTCC Substrate (고유전율/저유전율 LTCC 동시소성 기판의 휨 현상)

  • Cho, Hyun-Min;Kim, Hyeong-Joon;Lee, Chung-Seok;Bang, Kyu-Seok;Kang, Nam-Kee
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
    • /
    • v.11 no.3 s.32
    • /
    • pp.77-82
    • /
    • 2004
  • In this paper, warpages of heterogeneous LTCC substrates comprised of high K/low K hi-layered structure were investigated. The effect of glass content in high K LTCC layer on the warpage of substrate during co-firing process was examined. Shrinkage and dielectric properties of high K and low K green sheets were measured. In-situ camber observation by hot stage microscopy showed different camber development of heterogeneous LTCC substrates according to glass content in high K green sheet. High K green sheet containing $50\%$ glass was matched to low K green sheet in the shrinkage. Therefore, LTCC substrate of Low K/High K+$50\%$ glass structure showed flat surface after sintering.

  • PDF

SoP (System on Package)를 위한 기판 재료의 요구 특성

  • 이효종
    • Ceramist
    • /
    • v.8 no.3
    • /
    • pp.25-30
    • /
    • 2005
  • 최근 SOP에 대한 관심이 늘어나고 있으며 그에 따라 새로운 재료에 대한 관심도 증폭되고 있다. 예전의 단순한 신호 전달의 매개체 역할에서 벗어나 많은 수동 소자나 RF소자들을 내장하고 궁극적으로는 능동 소자까지 단일 기판위에 탑재하기 위해서는 기존의 RF 적인 전기적인 요구 특성 위에 많은 부가 특성들이 요구된다. 특히 SI이나 GaAs같은 능동 소자들과의 Assembly과정에서의 신뢰성을 확보하기 위해 낮은 선팽창 계수나 높은 탄성 계수 등의 기계적인 특성들이 요구되고 있으며 또한 점차 복잡한 회로 구조 등을 구현하기 위해 무수축이라는 새로운 공법 또한 요구되어 지고 있다. 그리고 사용주파수가 점차 높아짐에 따라 한편으로는 저유전율과 저손실의 재료가 요구되고 있으며 다른 한편으로는 embedded Capacitance의 요구에 맞춰 고유전율의 기판재료 또한 요구되어 지고 있다. 따라서 궁극적으로는 회로 구현의 목적에 따라 저유전율과 고유전율의 이종 재료의 접합이라는 문제 또한 자연스럽게 대두되고 있다. 이처럼 SoP에 대한 시장의 요구가 증가함에 따라 새로운 재료개발의 요구 또한 늘어나게 될 것으로 예상된다.

  • PDF

Study of compact for Extra high voltage Acc (초고압 케이블용 접속재의 소형화 방안 연구)

  • Chae, Byung-Ha;Ryu, Jeong-Hyun;Han, Bong-Soo
    • Proceedings of the KIEE Conference
    • /
    • 2007.07a
    • /
    • pp.619-620
    • /
    • 2007
  • 본 논문에서는 초고압 케이블용 중간접속재의 하나인 프리몰드형 직선접속재의 기본 설계를 바탕으로 당사에서 지난 2006년 네덜란드 KEMA에서 IEC 62067 규격에 맞는 접속재를 개발하여 신뢰성 인증을 받았다. 그 접속재에 저유전율을 갖는 실리콘 고무를 적용했을 때의 전계집중지역의 전계를 완화시키는 방안을 고안하였다. 프리몰드형 직선접속재의 소형화를 위해 고유전율 실리콘 고무와 저유전율 실리콘를 적용하였다. 실제 제품을 생산에 앞서 전계해석 시뮬레이션을 통해 프리몰드형 직선 접속재의 소형화 가능성을 예측해 본다.

  • PDF

Properties SiOF Thin Films Deposited by ECR Plasma CVD (ECR plasma CVD법에 의한 저유전율 SiOF 박막의 특성)

  • Lee, Seok-Hyeong;O, Gyeong-Hui
    • Korean Journal of Materials Research
    • /
    • v.7 no.10
    • /
    • pp.851-855
    • /
    • 1997
  • 본 실험에서는 저유전율 층간절연물질로서 SiOF박막을 ECR plasma CVD를 이용하여 증착하였다. 또한 증착시에 발생시킨 플라즈마의 특성 분석을 위하여 Langmuir probe를 반응챔버에 부착하여 플라즈마 밀도, 마이크로파 전력은 700W, 기판온도는 30$0^{\circ}C$에서 행하였다. 증착된 SiOF 박막을 분석한 결과, 가스유량비(SiF$_{4}$/O$_{2}$)가 0.2에서 1.6으로 증가하였을 때 불소의 함량은 약 5.3at%에서 14.5at%로 증가하였으며, 굴절률은 1.501에서 1.391로 감소하였고 이는 불소 첨가에 의한 박막의 밀도감소에 의한 것으로 생각된다. 또한 박막의 유전상수는 가스유량비가 1.0(11.8qt.% F함유)일 때 3.14였다.

  • PDF