• Journal of Bio-Environment Control
• /
• v.15 no.4
• /
• pp.417-420
• /
• 2006

To investigated the dormancy of chicory (Cichorium intybus L.) for production of high quality rootstocks, growth characteristics and abscisic acid (ABA) contents was conducted. The accumulation hours below $5^{\circ}C$ in field was increased slowly from October 7 to December 3, but there after increased largely. The rootstock weights was increased from the end of October to December 3, there after was not changed to December 3. ABA contents within the rootstock was not changed from October 7 to December 3, and there was suddenly increased for two weeks to December 24. As results of the sudden changed date of accumulation hours below $5^{\circ}C$, stopped date and period of rootstock growth, and sudden changed period of ABA contents, chicory has internal dormancy for two weeks from December 3 and low temperature requirement hours for the dormancy breaking is about 240.

• Proceedings of the Ginseng society Conference
• /
• 1984.09a
• /
• pp.49-55
• /
• 1984

Dormant one-year-old ginseng roots were subjected to a range of stratification temperatures and time to define effective limits to these parameters and to quantify their effect on terminating dormancy. Effective storage temperatures tested ranged from $0^{\circ}C\;to\;9^{\circ}C.$ A low percentage of roots produced tops with as few as 30 days in stratification; however, 75 to 90 days were required for 100 percent emergence. Days to emergence, after planting, decreased with increased days in storage thru the maximum storage time of 120 days. The number of days of dormancy was relatively constant, near 126.5 days, over the range of effective temperatures and acceptable storage times. The minimum period of dormancy was associated with 75 days in storage at $3^{\circ}C.$ Root growth rate, after emergence, was greatest following 105 days of stratification. The frequency distribution of emergence with days in stratification suggests the potential of selecting for strains of ginseng with low chilling needs for satisfying dormancy requirements.

• Korean Journal of Plant Resources
• /
• v.19 no.1
• /
• pp.45-49
• /
• 2006

This study has been conducted to find out the possibility of the winter production for pot cultured plants, such as P. sieboldii, P. modesta var. fauriae and D. smilacinum in highland, 800 meter above sea level by early breaking dormancy. Low temperatures for breaking dormancy were treated for 300, 500, 700 and 900 hours under $5^{\circ}C$ in incubators and, then these plants were moved to greenhouse controlled at $10^{\circ}C$ of night temperature. Results showed that P. modesta var. fauriae and D. smilacinum, and P. smilacinum required more than 500 hours and 700 hours of low temperature $5^{\circ}C$ for breaking dormancy, respectively.

• Superconductivity and Cryogenics
• /
• v.6 no.2
• /
• pp.30-35
• /
• 2004

정보통신 기술이 발전하게 됨에 따라 빠른 시간 내에 다량의 점보를 처리해야 하기 때문에 전자산업 분야는 앞으로 점점 더 고속으로 작동하는 전자소자를 요구하게 될 것이다. 이에 따라 반도체 소자의 고속화 연구가 현재 많이 진행되고 있으나, 반도체 소자를 고속화할 경우 나노 구조의 선폭으로 제작하는 일이 기술적으로도 어려운 일이겠으나, 나노 구조의 제작 기술이 가능하다 해도 소비 전력 면에서 한계가 있기 때문에 10 GHz 이상의 획기적인 속도의 상승은 용이하지 않을 것으로 전망되고 있다.(중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2016.02a
• /
• pp.337.1-337.1
• /
• 2016

단일벽 탄소나노튜브(Single-walled carbon nanotubes, SWNTs)는 나노 스케일의 크기와 우수한 물성을 갖고 있어, 전자, 에너지, 바이오 등 다양한 분야로의 응용이 기대되고 있다. 이러한 응용의 실현을 위해서는 경제적, 산업적인 면에서 보다 손쉬운 합성법이 요구된다. SWNTs의 합성에는 대면적의 균일한 CNTs를 합성할 수 있다는 장점이 있는 열화학기상증착법(Thermal chemical vapor deposition, TCVD)이 가장 일반적으로 사용되고 있다. 하지만 탄화수소가스를 효율적으로 분해하기 위하여 $900^{\circ}C$ 이상의 고온공정이 요구되며, 이는 경제적, 산업적인 면에서 사용이 제한적이다. 따라서 저결함, 고수율의 SWNTs를 저온합성 할 수 있는 공정의 개발이 지속적으로 필요하다. 본 연구에서는, TCVD법을 이용하여 에틸렌 원료가스로 SWNTs의 저온합성 가능성을 확인하였다. 합성을 위한 기판과 촉매로는 실리콘 산화막 기판(SiO2/Si wafer)에 철 나노입자를 지닌 ferritin을 스핀코팅 후 산화하여 이용하였다. 저온합성 공정의 변수로는 합성온도와 원료가스인 에틸렌의 분율을 설정하여, 변수가 SWNTs의 결정성과 수율에 미치는 영향을 고찰하였다. 합성된 SWNTs의 분석의 용이함과 손지기(Chirality)의 제어 가능성을 확인하기 위하여 나노 다공성 물질인 제올라이트(Zeolite)를 보조 기판으로 사용하였다. 실험결과 에틸렌 원료가스로 합성한 SWNTs는 메탄을 원료가스로 사용한 경우보다 낮은 $700^{\circ}C$ 부근에서도 합성이 가능함을 확인하였다. 또한 에틸렌의 분율과 합성 시간의 정밀한 제어를 통해 SWNTs의 합성온도를 더욱 감소시키는 것도 가능할 것으로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2016.02a
• /
• pp.212-212
• /
• 2016

2차원 탄소나노재료인 그래핀은 우수한 물성으로 인하여 광범위한 분야로 응용이 가능할 것으로 예상되어 많은 주목을 받아왔다. 이러한 그래핀의 응용가능성을 실현시키기 위해서는 보다 손쉽고 신뢰할 수 있는 합성방법의 개발이 필요한 실정이다. 그래핀의 합성 방법들로 흑연을 물리적 및 화학적으로 박리하거나, 특정 결정표면 위에 방향성 성장의 흑연화를 통한 합성, 그리고 열화학기상증착법(Thermal chemical vapor deposition; T-CVD) 등의 합성방법들이 제기되었다. 이중 T-CVD법은 대면적으로 두께의 균일성이 높은 그래핀을 합성하기 위한 가장 적합한 방법으로 알려져 있다. 그러나 일반적으로 T-CVD공정은 원료 가스인 탄화수소가스를 효율적으로 분해하기 위하여 $1000^{\circ}C$부근의 온공정이 요구되며, 이는 산업적인 응용의 측면에서 그래핀의 접근성을 제한한다. 따라서 대면적으로 고품질의 그래핀을 저온합성 할 수 있는 공정의 개발은 필수적이다. 본 연구에서는, 플라즈마를 이용하여 원료가스를 효율적으로 분해함으로써 그래핀의 저온합성을 도모하였다. 퀄츠 튜브로 구성된 수평형 합성장치는 플라즈마 방전영역과 T-CVD 영역으로 구분되며, 방전되는 유도결합 플라즈마는 원료가스를 효율적으로 분해하는 역할을 한다. 합성을 위한 기판과 원료가스로는 각각 전자빔 증착법을 통하여 300nm 두께의 니켈 박막이 증착된 실리콘 웨이퍼와 메탄가스를 이용하였다. 저온합성공정의 변수로는 인가전력과 합성시간으로 설정하였으며, 공정변수의 영향을 확인함으로써 그래핀의 저온합성 메커니즘을 고찰하였다. 연구결과, 인가전력이 증가되고 합성시간이 길어짐에 따라 원료가스의 분해효율과 공급되는 탄소원자의 반응시간이 보장되어 그래핀의 합성온도가 저하가능함을 확인하였으며, $400^{\circ}C$에서 다층 그래핀이 합성됨을 확인하였다. 또한 플라즈마 변수의 보다 정밀한 제어를 통해 합성온도의 저온화와 그래핀의 결정성 향상이 가능할 것으로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.371.1-371.1
• /
• 2014

반도체 트랜지스터의 크기가 점점 미세화 함에 따라 이에 수반되는 절연막에 대한 요구 조건도 까다로워지고 있다. 특히 게이트 산화 막의 두께는 10 nm 이하에서 고밀도를 갖는 높은 유전율 막에 대한 요구가 증가되고 있으며 또한 증착 온도 역시 낮아져야 한다. 이러한 요구사항을 충족하는 기술중의 하나는 매우 낮은 압력 및 200도 이하 저온에서 절연막을 증착하는 것이다. 본 연구에서는 플라즈마 화학 기상 증착(PE-CVD) 시스템을 이용하여 $180^{\circ}C$의 온도 및 10 mTorr의 압력에서 SiN 및 SiCN 박막을 제조하였다. 박막의 특성은 원자층 증착 공정 결과와 유사하면서 증착 속도의 향상을 위해 개조된 사이클릭 화학 기상 증착 공정을 이용하였다. Si 전구체와 산화제는 기판에 공급되기 전에 혼합되어 1차 리간드 분해를 하였으며, 리간드가 일부 제거된 가스가 기판에 흡착되는 구조이다. 기판흡착 후 플라즈마 처리 공정을 이용하여 2차 리간드 분해 공정을 수행하였으며, 반응에 참여하지 않은 가스 제거를 위해 불활성 가스를 이용하여 퍼지 하였다. 공정 변수인 플라즈마 전력, 반응가스유량, 플라즈마 처리 시간은 최적화 되었다. 또한 효율적인 리간드 분해를 위해 ICP와 CCP를 포함하고 있는 이중 플라즈마 시스템에 의해 2회에 걸쳐 분해되어지고, 그 결과로 불순물이 들어있지 않는 순수한 SiN과 SiCN 박막을 증착하였다. XRD 측정 결과 증착된 박막들은 모두 비정질 상이며, 550 nm 파장에서 측정한 SiN 및 SiCN 박막의 굴절률은 각 각 1.801 및 1.795이다. 또한 증착된 박막의 밀도는 2.188 ($g/cm^3$)로서 유전체 박막으로 사용하기에 충분한 값임을 확인하였다. 추가적으로 300 mm 규모의 Si 웨이퍼에서 측정된 비 균일도는 2% 이었다. 저온에서 증착한 SiN 및 SiCN 박막 특성은 고온 공정의 그것과 유사함을 확인하였고, 이는 저온에서의 유전체 박막 증착 공정이 반도체 제조 공정에서 사용 가능하다는 것을 보여준다.

• Horticultural Science & Technology
• /
• v.31 no.6
• /
• pp.666-676
• /
• 2013

The study was carried out to examine the initial point of dormancy, breaking time of internal dormancy, and to find out the accumulated hours of low temperature (under $7.2^{\circ}C$ from $0.0^{\circ}C$ to $7.2^{\circ}C$) for bud-breaking. Over-all, the chilling requirement for breaking of internal dormancy in the commercial apple cultivars ('Fuji' and 'Tsugaru') and apple cultivars bred in Korea ('Hongro', 'Sunhong', 'Honggeum', 'Hongan', 'Hongso', 'Gamhong', 'Summer dream') at the Gunwi region for 4 years (from 2009 to 2012) was investigated. Also, the breaking time of internal dormancy in the field at the Gunwi region and the breaking time of dormancy if air temperature of Gunwi region rises $4^{\circ}C$ higher than the current one were investigated using the same data. The initial point of dormancy was set at the time when the lateral bud breaking did not occurred (when heading back cutting was done in the middle of terminal shoots). The occurrence of the breaking of internal dormancy was decided if the breaking of the terminal bud of bourse shoot occurred within 15 days or not in growth chamber. About 100 bourse shoots were collected by cultivar classification in early December every year and were stored at $5.0^{\circ}C$, and they were placed in growth chamber at one week interval. The chilling requirement of cultivars was expressed in accumulated hours in the field and in the growth chamber under $7.2^{\circ}C$ and $0.0-7.2^{\circ}C$ from the initial point of dormancy to the breaking time of internal dormancy. The results showed that the initial point of dormancy in selected cultivars could occur at the end of September. The breaking time of internal dormancy could occur from the end of January to the early of February. The accumulated hours under $7.2^{\circ}C$ for breaking of internal dormancy were 1,600-2,000 hours, while those of $0.0-7.2^{\circ}C$ were 1,300-1,800 hours. In comparing the different apple cultivars, the chilling requirement of the early flowering cultivars seemed lower than that of the late-flowering cultivars. Based on these results, if the air temperature of Gunwi region rises about $4.0^{\circ}C$ higher than the current one, the breaking time of internal dormancy will be delayed by 2-4 weeks.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2015.08a
• /
• pp.239.1-239.1
• /
• 2015

1차원 탄소나노재료이며 한 겹의 흑연을 말아 놓은 형태인 단일벽 탄소나노튜브(Single-walled carbon nanotubes, SWNTs)는 감긴 형태에 따라 반도체성, 금속성 성질을 나타내는 특이성과 우수한 기계적 성질을 지니고 있어 광범위한 분야로 응용이 기대되어왔다. 이러한 SWNTs의 응용가능성을 실현시키기 위해서는 보다 경제적, 산업적인 면에서 손쉬운 합성방법의 개발이 필요한 실정이다. SWNTs의 합성 방법들로는 아크방전법과 레이저 증발법, 그리고 열화학기상증착법(Thermal chemical vapor deposition, TCVD) 등이 이용되었다. 이 중 TCVD법은 대면적의 균일한 CNTs를 합성할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 탄화수소가스를 효율적으로 분해하기 위하여 $800^{\circ}C$ 이상의 고온 공정이 요구되며, 이는 경제적, 산업적인 면에서 사용이 제한적이다. 따라서 저결함, 고수율의 SWNTs를 저온합성 할 수 있는 공정의 개발이 지속적으로 필요하다. 본 연구에서는, TCVD법을 이용하여 에틸렌 원료가스로 SWNTs의 저온합성 가능성을 확인하였다. 합성을 위한 기판과 촉매로는 실리콘 산화막 기판(SiO2/Si wafer)에 철 나노입자를 지닌 ferritin을 스핀코팅 후 산화하여 이용하였다. 저온합성 공정의 변수로는 합성온도와 원료가스인 에틸렌의 분율을 설정하여, 변수가 SWNTs의 결정성과 수율에 미치는 영향을 고찰하였다. 합성된 SWNTs의 분석의 용이함과 손지기(Chirality)의 제어를 위하여 나노 다공성 물질인 제올라이트(Zeolite)를 보조 기판으로 사용하였다. 실험결과 에틸렌 원료가스로 합성한 SWNTs는 $700^{\circ}C$ 부근의 저온에서도 합성이 가능함을 확인하였다. 또한 에틸렌 원료가스의 분율과 합성시간의 정밀한 제어를 통해 SWNTs의 합성온도를 더욱 감소시키는 것도 가능할 것으로 예상된다.

• 기계와재료
• /
• v.23 no.3
• /
• pp.156-163
• /
• 2011

쥴톰순 냉동기는 스터링 냉동기, GM 냉동기, 스터링형 및 GM형 맥동관 냉동기 등 기계적 극저온냉동기에 비해 단순한 구조, 수 초의 급속한 냉각특성을 장점으로 중대형의 가스액화사이클 뿐만 아니라 적외선검출기의 급속냉각, 저온수술 등 다양한 분야에서 널리 사용되어지고 있다. 일반적으로 100K 이하의 작동온도 및 수 초 수준의 빠른 냉각을 요구하는 적외선검출기의 냉각을 위해서는 수 백기압 이상 고압의 질소 및 아르곤 가스를 사용하는 쥴톰슨 냉동기가 주로 사용되고 있다. 쥴톰슨 냉동기는 핀-관(fin-tube) 형태의 열교환기와 열교환기의 구조적 기반을 제공하는 멘드렐(mandrel), 쥴톰슨 노즐 등으로 구성되며, 열교환기의 열전달 성능 및 유량조절기구의 특성은 냉동기 저온부의 냉각온도, 냉각시간 및 운전시간에 큰 영향을 미친다.