• Title/Summary/Keyword: 저압조건

Search Result 186, Processing Time 0.036 seconds

Analysis of Electric Shock Accidents and Check Results in Domestic and Foreign low-Voltage Handhole (국내.외 저압지중함 감전사고사례 및 점검결과의 분석)

  • Kim, Chong-Min;Han, Woon-Ki;Bang, Sun-Bae;Kim, Han-Sang;Shim, Keon-Bo
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
    • /
    • v.22 no.1
    • /
    • pp.124-131
    • /
    • 2008
  • Recently underground electrical power distribution is increased because people attach importance to aesthetics of the downtown areas. Lew-voltage handhole of underground distribution line for joint and branch point is mainly installed at the sidewalk. So, pedestrian can get a electric shock if fault is occurred in the low-voltage handhole. Furthermore the street was flooded by recently an unusual change in the weather. Fault is occurred in the low-voltage handhole that may create a shock hazard for the human body because a person's body resistance lower due to effect of water. This paper analyses causes of electric shock accidents and check results at the low-voltage handhole. At a result of analysis, the causes of electric shock accidents in domestic and foreign low-voltage handhole are same but environmental conditions of low-voltage handhole are different In the future, the analytical data can be applied to prevent the electric shock at the low-voltage handhole, and can be used to basic data for the improving installment of low-voltage handhole.

Plantar foot pressure distribution depending on ground conditions and shoe type (지반조건과 신발의 종류에 따른 족저압 분포)

  • Kim, Sang-Hwan;Lee, Hye-Yoon;Kim, Yeon-Deok
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
    • /
    • v.16 no.4
    • /
    • pp.2899-2905
    • /
    • 2015
  • This paper presents is a study on the pressure distribution families low in response to ground conditions. Indoor shoes, outdoor shoes, working shoes, are four categories of shoes sports shoes, has been used in the present study, Concrete to target men in their 20s of 45people wearing the 260mm(Euro Code EU40), the experiments were carried out in the sand ground. Measurement of stress and pressure at the time of walking, Techstorm company Insole System the measured toe of the foot using, foot binding, was the metatarsal, the low pressure come from Fujoku four areas measured. Depending on the shoes and ground conditions findings, the results of this study represents the distribution of other stress and pressure, is expected to be useful in the development of a wearable shoe sand soil.

PBMS용 전기 동역학적 입자 집속 모듈 연구

  • Kim, Myeong-Jun;Kim, Dong-Bin;Mun, Ji-Hun;Kim, Tae-Seong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2013.02a
    • /
    • pp.180-180
    • /
    • 2013
  • 반도체, 디스플레이와 같이 저압, 극청정 조건에서 진행되는 공정에서 발생한 오염입자는 수 율에 큰 영향을 미친다. 따라서 공정 중에 발생한 오염입자를 실시간으로 모니터링할 수 있는 장비에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Particle Beam Mass Spectrometer (PBMS)는 저압에서 실시간으로 나노 입자의 크기를 측정할 수 있는 대표적인 장비 중 하나이다. 입자를 포함한 가스 유동이 PBMS로 유입되면, 우선 입자를 입자빔의 형태로 집속하는 공기역학렌즈를 통과하게 된다. 집속된 입자는 노즐에 의해서 가속되며, 이로 인해 충분한 관성을 가지게 된 입자는 양극과 음극, 필라멘트로 구성된 electron gun에서 전자충돌에 의해 포화상태로 하전된다. 하전한 입자는 electrostatic deflector에서 크기에 따라 분류되어 Faraday detector와 electrometer에 의해 측정된다. 그러나 공기역학렌즈는 입자의 크기가 작아질수록 집속 효율이 급격히 낮아진다는 문제점을 지니고 있다. 이는 입자가 작아질수록 점성에 의한 영향이 관성에 의한 영향보다 커짐으로써 나타나는 현상이다. 최근 이러한 문제점을 해결하기 위해 사중극자를 사용하여 입자를 집속시키는 방법이 대안으로 제시되었다. 사중극자는 서로 마주보는 쌍곡선 형태의 전극구조에 AC 전기장을 인가하는 방식을 사용한다. 사중극자의 중심은 정확히 평형점을 가지게 되며 입자는 사중극자 내에서 진동을 반복하며 평형점을 향해 모이게 된다. 입자의 크기가 작을수록 전기력에 의한 영향을 크게 받으므로 사중극자를 이용한 입자집속 방법은 나노입자의 집속에 있어 공기역학렌즈를 이용한 집속에 비해 이점을 지닌다. 또한 집속 하고자 하는 입자 대상이 바뀔 경우 구조를 바꿔야 하는 공기역학렌즈와 달리 사중극자를 이용한 방법은 AC 전기장을 조절하는 것 만으로 제어가 가능하다. 본 연구에서는 저압 조건에서 나노입자를 집속하기 위한 사중극자의 전극 구조를 이론적인 계산을 통하여 구하였다. 그 결과 0.1 torr의 압력 조건하에서 5~100 nm 범위의 기본 입자를 AC 전압과 진동수를 조절하여 집속할 수 있는 사중극자 형태를 설계하였다.

  • PDF

Comparison of Plantar Foot Pressure and Shift of COP among Level walking, Stairs and Slope Climbing (평지 보행 그리고 계단과 경사로 오르기 동안 압력중심 이동경로 및 족저압 비교)

  • Han, Jin-Tae;Kim, Kyoung;Lim, Seung-Geon
    • Korean Journal of Applied Biomechanics
    • /
    • v.18 no.4
    • /
    • pp.59-65
    • /
    • 2008
  • The purpose of this study was to investigate the shift of COP pathway and the plantar foot pressure among level walking and stairs and ramp climbing in young and elderly people. Plantar foot pressure was measured by MatScan system(Tekscan, USA). Statistical analysis was used One-way ANOVA to know the characteristics of peak plantar pressure during walking with different the facilities. In young adults, COP pathway during stairs climbing was slightly shorten and trended to abduct at forefoot. COP pathway during ramp climbing was also shorten but trend to adduct at forefoot. Peak plantar pressure of 2-3 metatarsal head and heel during ramp climbing was more decreased than level walking. In elderly people, COP pathway during stairs climbing was more shorten and abducted than leve walking and COP pathway during ramp climbing was more unstable than level walking. Peak plantar pressure of first metatarsal head increased at stair climbing and decreased at ramp climbing. That of second metatarsal head and heel was more decreased at ramp climbing. Conclusionally, Peak plantar pressures of each foot region generally increased and more changed during ramp climbing.

Deposition of Tungsten Thin Film on Silicon Surface by Low Pressure Chemical Vapor Deposition Method (저압 화학 기상 증착법을 이용한 실리콘 표면 위의 텅스텐 박막의 증착)

  • Kim, Seong Hun
    • Journal of the Korean Chemical Society
    • /
    • v.38 no.7
    • /
    • pp.473-479
    • /
    • 1994
  • Tungsten thin film was deposited on p-(100) silicon substrate by using the LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) technique. $WF_6$ was used as a source gas for tungsten and $SiH_4$ was used as a reducing gas for $WF_6$. Tungsten thin film was deposited by either SiH4 or Si substrate reduction of $WF_6$ under cold-wall condition and it was deposited by $SiH_4$ reduction of $WF_6$ under hot-wall condition. The crystal structure of deposited thin film under both conditions were identified to be bcc (body centered cubic). The physical and electrical properties of deposited thin films were investigated. The deposited film under hot-wall condition changed to $WSi_2$ film by the annealing under $800^{\circ}C.$ From the experimental results and theoretical considerations, the change of the crystal structure of the thin film by annealing was discussed. $WSi_2$ thin film, which was known to have good compatibility with Si substrate, could be produced under hot-wall condition although the film properties were superior under cold-wall condition.

  • PDF

Combustion Stability Rating Test under Low Pressure Condition of a 75-$ton_f$ LRE Thrust Chamber (75톤급 액체로켓엔진 연소기의 저압 조건에서 수행된 연소안정성 시험)

  • Lee, Kwang-Jin;Kang, Dong-Hyuk;Lim, Mun-Ki;Ahn, Kyu-Bok;Han, Yeoung-Min;Choi, Hwan-Seok
    • Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
    • /
    • 2010.05a
    • /
    • pp.231-238
    • /
    • 2010
  • Combustion stability rating tests under condition low pressure of a 75-$ton_f$ liquid rocket engine(LRE) thrust chamber were carried out. Mixing head with decreased number of injectors than that of the other but with the same mass flow rate to the combustion chamber showed self-oscillation instability in chamber pressure of 30 bar. The other combustion chamber with increased number of injectors showed that high frequency combustion stability was maintained under condition of same pressure, but self-oscillation instability was generated in chamber pressure of 20 bar which can be considered as stability boundary region of this mixing head.

  • PDF

Diamond Nucleation Enhancement by Applying Substrate Bias in ECR Plasma CVD (기판 바이어스 인가에 의한 ECR플라즈마 CVD에서의 다이아몬드 핵생성 증진효과)

  • Jeon, Hyeong-Min;Lee, Jong-Mu
    • Korean Journal of Materials Research
    • /
    • v.6 no.11
    • /
    • pp.1113-1120
    • /
    • 1996
  • 다이아몬드 박막을 이용한 반도체소자를 실현시키기 위해서는 다이아몬드가 아닌 다른 재료의 기판위에 대면적에 걸쳐 다이아몬드막을 에피텍셜 성장시키는 것이 필수적이다. 그러나 이 분야의 연구는 아직 초보상태로 그 목표가 실현되지 못하고 있다. 본 논문에서는 저압의 ECR 마이크로파 플라즈마 CVD에 의하여 대면적의 Si(100)기판상에 방향성을 갖는 다이아몬드막을 성공적으로 성장시킨 결과를 보고자한다. 지금까지 얻어진 최적 핵생성 공정조건은 다음과 같다 : 반응압력 10Pa, 기판온도 80$0^{\circ}C$(마이크로파 전력이 3kW일 때), 원료가스 CH4/He 계로 농도비 3%/97%, 가스총유량 100sccm, 바이어스 전압 + 30V, 마이크로파 전력(microwave power)4kW, 바이어스 처리 시간 10분간이며, 성장단계에서의 증착공정 조건은 기판온도 80$0^{\circ}C$, 원료가스 CH4/CO2/H2계로 농도비 5%/15%/85%, 가스 총유량 1000sccm, 바이어스 전압 +30V, 마이크로파 전력 5kW, 성막시간 2시간으로 일정하게 유지하였다. 이 조건하에서 기판 면적 3x4$\textrm{cm}^2$의 대면적에 대해서 약 2x109cm-2의핵생성 밀도를 균일하게 재현성있게 얻었다. 원료가스로 CH4/H2를 사용한 경우보다 CH4/H2를 사용할 경우에 라디칼밀도의 증가에 의하여 더 높은 핵생성밀도를 얻을 수 있었다. 또한 저압의 ECR플라즈마 CVD의 경우에는 양의 바이어스전압이 막의 손상이 없어 다이아몬드 핵생성에 더 적합하였다.

  • PDF