• Title/Summary/Keyword: 재결합층

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The characteristics of dye-sensitized solar cells using carbon nanotube in working and counter electrodes (작업전극과 상대전극에 탄소나노튜브를 이용한 염료감응 태양전지의 특성연구)

  • Kim, Bora;Song, Suil;Lee, Hak Soo;Cho, Namjun
    • Analytical Science and Technology
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    • v.27 no.6
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    • pp.308-313
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    • 2014
  • The effect of electrochemical characteristics of dye-sensitized solar cells (DSSC) upon employing multi-wall carbon nanotube (MWCNT) on both working electrode and counter electrode were examined with using EIS, J-V curves and UV-Vis absorption spectrometry. When 0.1 wt% of MWCNT was employed in the $TiO_2$-MWCNT composit on working electrode, the energy conversion efficiency increased about 12.5% compared to the $TiO_2$ only working electrode. The higher light conversion efficiency may attribut to the high electrical conductivity of MWCNT in $TiO_2$-MWCNT composite which improves the electron transport in the working electrode. However, higher amount of MWCNT than 0.1 wt% in the $TiO_2$-MWCNT composite decreases the light conversion efficiency, which is mainly ascribed to the decreased transmittance of light by MWCNT and to the decreased adsorption of dye onto $TiO_2$. The MWCNT employed counter electrode exhibited much lower light conversion efficiency of DSSC than the Pt-counter electrode, while the MWCNT-Pt counter electrode showed similar in light conversion efficiency to that of Pt-counter electrode.

Investigation on the Electrical Characteristics of mc-Si Wafer and Solar Cell with a Textured Surface by RIE (플라즈마기반 표면 Texturing 공정에 따른 다결정 실리콘 웨이퍼 표면물성과 태양전지 동작특성 연구)

  • Park, Kwang-Mook;Jung, Jee-Hee;Bae, So-Ik;Choi, Si-Young;Lee, Myoung-Bok
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.20 no.3
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    • pp.225-232
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    • 2011
  • Reactive ion etching (RIE) technique for maskless surface texturing of mc-silicon solar wafers has been applied and succeed in fabricating a grass-like black-silicon with an average reflectance of $4{\pm}1%$ in a wavelength range of 300~1,200 nm. In order to investigate the optimized texturing conditions for mass production of high quantum efficiency solar cell Surface characteristics such as the spatial distribution of average reflectance, micrscopic surface morphology and minority carrier lifetime were monitored for samples from saw-damaged $15.6{\times}15.6\;cm^2$ bare wafer to key-processed wafers as well as the mc-Si solar cells. We observed that RIE textured wafers reveal lower average reflectance along from center to edges by 1% and referred the origin to the non-uniform surface structures with a depth of 2 times deeper and half-maximum width of 3 times. Samples with anti-reflection coating after forming emitter layer also revealed longer minority carrier lifetime by 40% for the edge compared to wafer center due to size effects. As results, mc-Si solar cells with RIE-textured surface also revealed higher efficiency by 2% and better external quantum efficiency by 15% for edge positions with higher height.

극성 (0001) 및 반극성 (11-22) n-ZnO/p-GaN 이종접합 발광 다이오드의 광전 특성 분석에 대한 연구

  • Choe, Nak-Jeong;Lee, Jae-Hwan;Han, Sang-Hyeon;Son, Hyo-Su;Lee, Seong-Nam
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.310-310
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    • 2014
  • ZnO박막은 넓은 밴드갭 (3.37 eV), 높은 여기 결합 에너지 (60 meV)를 가지는 육방정계 우르자이트(hexagonal wurtzite) 결정구조를 가지는 II-VI족 화합물 반도체로, 가시광선 영역에서의 높은 광학적 투과도 특성과 자외선 파장에서 발광이 가능한 장점을 가진다. 최근, ZnO박막 성장 기술이 상당히 발전하였지만, 아직까지도 p-형 ZnO박막 성장 기술은 충분히 발전하지 못하여 ZnO의 동종접합 LED는 아직 상용화되지 않고 있는 실정이다. 따라서, 많은 연구 그룹에서 p-GaN, p-SiC, p-diamond, p-Si 등과 같은 p-type 물질 위에 n-type ZnO를 성장시킨 이종접합 다이오드가 연구되고 있다. 특히, p-GaN의 경우 ZnO와의 격자 불일치 정도가 1.8 % 정도로 작다는 장점이 있어 많은 연구가 이루어 지고 있다. 일반적으로 c-축을 기반으로 한 극성ZnO 발광다이오드에서는 자발 분극과 압전 분극 현상에 의해 밴드 휨 현상이 발생하고, 이로 인해 전자와 정공의 공간적 분리가 발생하게 되어 발광 재결합 효율이 제한되고 있다는 문제가 발생한다. 따라서, 본 연구에서는 극성 (0001) 및 비극성 (10-10) n-ZnO/p-GaN 발광다이오드의 성장 및 발광 소자의 전기 및 광학적 특성에 대한 비교 연구를 진행하였다. 금속유기 화학증착법을 이용하여 c-면과 m-면 위에 각각 극성 (0001) 및 반극성 (11-22) GaN박막을 $2.0{\mu}m$ 성장시킨 후 Mg 도핑을 한 p-GaN을 $0.4{\mu}m$ 성장시켜 각각 극성 (0001) 및 반극성 (11-22) p-GaN템플릿을 준비하였다. 이후, N2분위기 $700^{\circ}C$에서 3분동안 열처리를 통하여 Mg 도펀트를 활성화시킨 후 원자층 증착법을 이용하여 동시에 극성 및 반극성 p-GaN의 위에 n-ZnO를 $0.11{\mu}m$ 성장시켜 이종접합구조의 발광소자를 형성하였다. 이때, 극성 (0001) p-GaN 위에는 극성의 n-ZnO 박막이 성장되는 반면, 반극성 (11-22) p-GaN 위에는 비극성 (10-10) n-ZnO 박막이 성장됨을 HR-XRD로 확인하였다. 극성 (0001) n-ZnO/p-GaN이종접합 발광다이오드의 전계 발광 스펙트럼에서는 430 nm 와 550 nm의 두 피크가 동시에 관찰되었다. 430 nm 대역의 파장은 p-GaN의 깊은 준위에서 발광하는 것으로 판단되며, 550 nm 피크 영역은 ZnO의 깊은 준위에서 발광되는 것으로 판단된다. 특히, 10 mA 이하의 저전류 주입시 550 nm의 피크는 430 nm 영역보다 더 큰 발광세기를 나타내고 있다. 하지만, 10 mA 이상의 전류주입 하에서는 550 nm의 영역보다 430 nm의 발광세기가 더욱 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이것은 ZnO의 밴드갭이 3.37 eV로 GaN의 밴드갭인 3.4 eV다 작기 때문에 우선적으로 ZnO의 깊은 준위에서 발광하는 550 nm가 더욱 우세하지만, 지속적으로 전류주입 증가에 따른 캐리어 증가시 n-ZnO에서 p-GaN로 전자가 넘어가며 p-GaN의 깊은 준위인 430 nm에서의 피크가 우세해지는 것으로 판단된다. 반면에, 비극성 (10-10) n-ZnO/반극성 (11-22) p-GaN 구조의 이종접합 발광다이오드로 전계 발광 스펙트럼에서는 극성 (0001) n-ZnO/p-GaN에 비하여 매우 낮은 전계 발광 세기를 나타내고 있다. 이는, 극성 n-ZnO/p-GaN에 비하여 비극성 n-ZnO/반극성 p-GaN의 결정성이 상대적으로 낮기 때문으로 판단된다. 또한, 20 mA 영역에서도 510 nm의 깊은 준위와 430 nm의 발광이 관찰되었다. 동일한 20 mA하에서 두 피크의 발광세기를 비교하면 430 nm의 영역은 극성 n-ZnO/p-GaN에 비하여 매우 낮은 값을 나타내고 있다. 이는 반극성 (11-22) p-GaN의 경우 극성 (0001) p-GaN에 비하여 우수한 p-형 특성에 기인한 것으로 판단된다.

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THE INFLUENCE OF pH AND LACTIC ACID CONCENTRATION ON THE FORMATION OF ARTIFICIAL ROOT CARIES IN ACID BUFFER SOLUTION (산 완충용액의 pH 및 유산의 농도가 인공치근우식의 형성에 미치는 영향)

  • Oh, Hyun-Suk;Roh, Byoung-Duck;Lee, Chan-Young
    • Restorative Dentistry and Endodontics
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    • v.32 no.1
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    • pp.47-60
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    • 2007
  • The purpose of this study is to compare and to evaluate the effect of pH and lactic acid concentration on the progression of artificial root caries lesion using polarizing microscope, and to evaluate the morphological changes of hydroxyapatite crystals of the demineralized area and to investigate the process of demineralization using scanning electron microscope. Artificial root caries lesion was created by dividing specimens into 3 pH groups (pH 4.3, 5.0, 5.5), and each pH group was divided into 3 lactic acid concentration groups (25 mM, 50 mM, 100 mM). Each group was immersed in acid buffer solution for 5 days and examined. The results were as follows : 1. Under polarized microscope, the depth of lesion was more effected by the lactic acid concentration rather than the pH. 2. Under scanning electron microscope, dissolution of hydroxyapatite crystals were increased as the lactic acid concentration increased and the pH decreased. 3. Demineralized hydroxyapatite crystals showed peripheral dissolution and decreased size and number within cluster of hydroxyapatite crystals and widening of intercluster and intercrystal spaces as the pH decreased and the lactic acid concentration increased. 4. Under scanning electron microscope evaluation of the surface zone, clusters of hydroxyapatite crystals were dissolved, and dissolution and reattachment of crystals on the surface of collagen fibrils were observed as the lactic acid concentration increased. 5. Under scanning electron microscope, demineralizatlon of dentin occurred not only independently but also with remineralization simultaneously. In conclusion, the study showed that pH and lactic acid concentration influenced the rate of progression of the lesion in artificial root caries. Demineralization process was progressed from the surface of the cluster of hydroxyapatite crystals and the morphology of hydroxyapatite crystals changed from round or elliptical shape into irregular shape as time elapsed.