• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.10a
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• pp.888-891
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• 2011

In this paper, drain induced barrier lowering(DIBL) has been analyzed as one of short channel effects occurred in double gate(DG) MOSFET. The DIBL is very important short channel effects as phenomenon that barrier height becomes lower since drain voltage influences on potential barrier of source in short channel. The analytical potential distribution of Poisson equation, validated in previous papers, has been used to analyze DIBL. Since Gaussian function been used as carrier distribution for solving Poisson's equation to obtain analytical solution of potential distribution, we expect our results using this model agree with experimental results. The change of DIBL has been investigated for device parameters such as channel thickness, oxide thickness and channel doping intensity.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.13-14
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• 2005

ZnO 단일 나노선 field effect transistor (FET) 소자의 2단자 전류-전압 특성을 조사해 보면 n-type 반도체 특성이 나타남을 알 수 있다. 그러나 2단자로 측정 할 경우 반도체 나노선과 금속 전극사이에 존재하는 접촉저항의 영향이 필연적으로 포함된다. 따라서 측정한 결과가 나노선에 의해서 나타나는 고유한 특성인지 접촉저항의 원인이 되는 에너지 장벽의 성질인지 명확히 밝힐 필요가 있다. 그래서 이번 연구에서는 4단자 측정방법을 이용하여 접촉저항 성분을 배제한 소자의 고유한 성질을 밝혀낼 뿐만 아니라, 이것을 2단자의 결과와 비교함으로써 접촉점에서 나타나는 에너지 장벽의 특징도 파악해 낼 수 있었다. 실험에서 사용된 ZnO FET 소자의 경우, 접촉점에서 생기는 에너지 장벽을 터널링을 통해 극복하는 것으로 분석되었고 이는 온도 변화에 따른 4 단자 및 2 단자 전류-전압 측정을 통해 확인될 수 있었다.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2023.05a
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• pp.492-492
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• 2023

담수 생물종 시식역의 보전을 위해 하천 연결성 유지와 회복이 중요하지만, 하천관리에 있어 이를 고려하기 위한 기초자료나 관련 연구가 부족한 실정이다. 특히 인공장벽(artificial barrier) 영향에 대한 대부분의 연구는 어류이동에 초점을 두고 있거나, 그 공간적 범위를 제한하는 경향이 있다. 본 연구는 강과 하천을 연속체 개념으로 접근하여 생태학적 과정을 방해할 수 있는 모든 인위적 구조물을 인공장벽으로 간주하고, 댐과 저수지, 보와 같이 하천의 종적 연결성을 저해하는 3개 유형의 인공 구조물에 대해 공간자료를 구축하였다. 수치지형도로부터 하천중심선과 수리시설물(보), 호소 및 저수지 경계를 교차(intersection) 분석하여 유형별 구조물의 위치 정보를 추출하고, 기존 자료와의 비교·검증을 통해 자료의 신뢰성을 도모하였다. 인공장벽에 대한 공간자료는 구조물의 유형에 따라 국가하천과 지방하천, 소하천으로 구분하고 낙동강 대권역 내 총 195개 표준유역에 대해 밀도(barrier density)를 계산하였는데, 여기서의 밀도는 하천 연장에 대한 총 인공장벽의 수로 정의(barriers/km)된다. 본 연구의 주요 결과는 낙동강 유역 내 인공 장벽의 밀도와 유형, 하천별 공간분포에 대한 정량적 평가를 포함하고 있으며, 이를 기반으로 수생태계 연결성 회복을 위한 하천관리방안을 모색하고자 하였다. 분석 방법과 결과 등 자세한 내용은 발표를 통해 제시될 예정이다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2013.04a
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• pp.234-237
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• 2013

본 논문에서는 실리콘 나노선 구조를 갖는 모스펫 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors, MOSFETs)과 쇼트키 장벽 트랜지스터 (Schottky-Barrier(SB) MOSFETs, SB-MOSFETs)의 전기적인 특성을 양자역학적 시뮬레이션 계산을 통해 비교하였다. 쇼트키 장벽 높이 (Schottky Barrier, ${\phi}_{SBH}$)에 따른 SB-MOSFETs의 터널링 특성을 분석하고, 소스/드레인 (S/D) 길이가 변함에 따라 달라지는 S/D 저항을 계산하여, ${\phi}_{SBH}$가 0eV인 SB-MOSFETs의 On과 Off $I_D$ 비율 ($I_{ON}/I_{OFF}$)이 MOSFETs보다 개선될 수 있음을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.147-150
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• 2007

본 논문은 일반조명용과 LCD Backlight에 적용 가능한 제논 유전체 장벽형 평판형광램프에 대한 연구이다. 일반적으로, 수은을 포함한 형광램프는 낮은 온도에서의 휘도문제와 상대적으로 긴 점등시간, 수명, 그리고 환경 문제가 있다. 이러한 문제점들을 해결하기 위해서 제논 유전체 장벽형 평판형광램프가 연구되었다. 100(W)급($384{\times}321{\times}10mm$)으로 제작된 램프는 AC 펄스 전압에 의해 균일도, 안정한 방전, 우수한 전기적 및 광학적 특성을 가진다. 더 높아진 효율은 빠른 상승시간을 가진 AC 펄스전압, 주파수와 듀티의 구동 최적화, 전극의 형상, 압력 최적화 등에서 얻어진다. 이 연구에서 제논 유전체 장벽형 평판형광램프는 90(%)의 균일 도에서 7,600(cd/$m^2$)의 휘도와 32[1m/W] 이상의 효율을 얻었다.

• 월간 기계설비
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• s.51
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• pp.62-68
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• 1994

최근 우리 건설업계는 UR타결의 영향등으로 세계 경제의 개발화와 국제화가 급속히 진전됨에 따라 대내적으로는 우루과이라운드가 발효되는 95년부터 국내건설시장의 개방으로 외국업체의 시장잠식 및 우리 업체와의 치열한 수주경쟁이 예상되며, 대외적으로 세계 양대 건설시장인 미국과 일본을 포함한 선진국시장이 개방되는 등 건설서비스 교역자유화가 구체적으로 실현되고 있다. 우리 업계는 이처럼 급변하는 세계건설시장의 환경변화에 능동적이고 효율적으로 대처하기 위하여 국내건설업 제도의 정비와 국제경쟁력강화, 해외시장 진출 다변화 등 해결해야 할 많은 과제에 직면하고 있는데 해외건설협회에서는 UR건설서비스 타결 결과에 대한 전반적인 이해를 도모하고 특히 세계 주요 건설시장의 진입장벽 및 규제를 조사, 분석함으로써 수주전략수립 및 해외진출확대에 기여하고자 $\ulcorner$시계건설시장의 진입장벽과 대응방안$\lrcorner$ 이라는 보고서를 발간했다. 본고는 해외건설협회에서 발간한 $\ulcorner$시계건설시장의 진입장벽과 대응방안$\lrcorner$의 내용을 발췌, 정리한 것이다.

• 월간 기계설비
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• s.52
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• pp.44-57
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• 1994

최근 우리 건설업계는 UDR타결의 영향 등으로 세계 경제의 개방화와 국제화가 급속히 진전됨에 따라 대내적으로는 우루과이라운드가 발효되는 95년부터 국내건설시장의 개방으로 외국업체의 시장 잠식 및 우리 업체와의 치열한 수주경쟁이 예상되며, 대외적으로는 세계 양대 건설시장인 미국과 일본을 포함한 선진국시장이 개방되는 등 건설서비스 교역자유화가 구체적으로 실현되고 있다. 우리 업계는 이처럼 급변하는 세계건설시장의 환경변화에 능동적이고 효율적으로 대처하기 위하여 국내건설업 제도의 정비와 국제경쟁력강화, 해외시장 진출 다변화 등 해결해야 할 많은 과제에 직면하고 있는데 해외건설협회에서는 UR건설서비스 타결 결과에 대한 전반적인 이해를 도모하고 특히 세계 주요 건설시장의 진입장벽 및 규제를 조사, 분석함으로써 수주전략수립 및 해외진출확대에 기여하고자 $\ulcorner$세계건설시장의 진입장벽과 대응방안$\lrcorner$ 이라는 보고서를 발간했다. 본고는 해외건설협회에서 발간한 $\ulcorner$세계건설시장의 진입장벽과 대응방안$\lrcorner$ 의 내용을 발췌, 정리한 것으로 지난 10월에 이어 연제한다.

• Journal of KSNVE
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• v.9 no.3
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• pp.466-471
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• 1999

The prediction methods of diffraction field in barrier has beenreported much about the infinite length barrier and it is very few work that reasonable sound source was used in experiment. This study, however, has worked about the several model barrier with acoustic scale model experiment. In the case of scale model experiment, it is difficult to use the kind of source with sufficiently characteristics. A spark discharge sound source with the high repeatability, broad band spectra, small size and omnidirectivity has veen used for the prediction of diffraction field. Several model barriers with different length on the ground were considered for the experiment and compared with the the results calculated by the approximation.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.11a
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• pp.3-5
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• 2005

Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 항복전압이 증가하고 누설 전류가 감소한 수평방향 GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였다. 산화 과정 후, 턴-온 전압이 미세하게 증가하였으며 높은 애노드 전압하에서 애노드 전류가 증가하였다. 5분과 10분의 산화 과정 후, 누설 전류는 1nA 이하 수준으로 현저히 감소하였다. Edge Termination 방법으로 Floating Metal Ring을 사용하고, 산화 과정을 적용하여 제안된 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 항복전압은 750볼트의 큰 값을 얻을 수 있었다. 상온과 $125^{\circ}C$ 에서 제작한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 회복 파형도 측정하였으며, 제작한 소자는 매우 빠른 역방향 회복 특성을 보였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.1 no.1
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• pp.134-138
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• 1992

The GaAs/AlAs double barrier structures was grown by MBE(Mo1ecular Beam Epitaxy). Mesa diode was fabricated and I-V characteristics of the diode were measured by semiconductor parameter analyser at room temperature. TEM pictures show the double barrier structure with abrupt interface. PVCR(Peak to Valley Current Ratio) proves to be independent of barrier thickness. These results show that increase in barrier thickness leads to larger valley current by non-resonant tunneling.