• Proceedings of the KGS Conference
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• 2005.05a
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• pp.63-64
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• 2005

• Proceedings of the KSEEG Conference
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• 2000.04b
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• pp.228-230
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• 2000

• Food Science and Industry
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• v.40 no.4
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• pp.19-26
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• 2007

• The Optical Journal
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• s.177
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• pp.60-60
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• 2020

• Proceedings of the Korean Institute of Landscape Architecture Conference
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• 2023.10a
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• pp.60-61
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• 2023

• Journal of Fashion Business
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• v.14 no.2
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• pp.166-178
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• 2010

The purposes of this study were to investigate the impacts of interactivity, site stickiness, and switching barrier on intention to use. For this purpose, the study tested covariance structural model which set relationships among independent variable(interactivity), meditated variables(site stickiness and switching barrier), and dependent variable(intention to use). The data were collected from a sample of 239 internet shopper of college female students. The covariance structural model and research hypothesis analyzed by using SPSS 16.0 and AMOS 5.0 program. The results are as follows: First, the structural model is accepted significantly. Second, interactivity had a positive influence on site stickiness, switching barrier, and intention to use. And it was found to have a indirect effect on intention to use through site stickiness and switching barrier. Third, site stickiness had a positive influence on switching barrier. Forth, site stickiness and switching barrier had a positive impact on intention to use.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.213.2-213.2
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• 2015

모바일 기기의 성장세로 인해 낸드 플래시 메모리에 대한 수요가 급격히 증가하면서 높은 집적도의 소자에 대한 요구가 커지고 있다. 그러나 기존의 MOSFET 구조의 소자는 비례 축소에 의한 게이트 누설 전류, 셀간 간섭, 단 채널 효과 같은 여러 어려움에 직면해 있다. 특히 트윈 실리콘 나노 와이어 전계 효과 트랜지스터 (TSNWFETs)는 소자의 크기를 줄이기 쉬우며 게이트 비례 축소가 용이하여 차세대 메모리 소자로 각광받고 있다. 그러나 TSNWFETs의 공정 방법과 실험적인 전기적 특성에 대한 연구는 많이 이루어 졌지만, TSNWFETs의 전기적 특성에 대한 이론적인 연구는 많이 진행되지 않았다. 본 연구는 직경의 크기가 다른 나노 와이어를 사용한 TSNWFETs의 전기적 특성에 대해 이론적으로 계산하였다. TSNWFETs과 실리콘 나노 와이어를 사용하지 않은 전계 효과 트랜지스터(FET)를 3차원 시뮬레이션 툴을 이용하여 계산하였다. TSNWFETs와 FETs의 드레인 전류와 문턱전압 이하 기울기, 드레인에 유기된 장벽의 감소 값, 게이트에 유기된 드레인 누설 전류 값을 이용하여 전류-전압 특성을 계산하였다. 이론적인 결과를 분석하여 TSNWFETs의 스위칭 특성과 단 채널 효과를 최소화하는 특성 및 전류 밀도를 볼 수 있었으며, 나노 와이어의 직경이 감소하면 증가하는 드레인에 유기된 장벽의 감소를 볼 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.111-113
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• 2007

본 논문에서는 제논 유전체 장벽 방전형 평판형광램프용 Fly-Back방식 전자식 안정기를 설계하였다. 본 전자식 안정기는 Fly-Back방식의 능동형 역률 보상 회로와 인버터회로를 사용하여 기존의 Sine wave의 형태가 아닌 펄스파 형태의 출력을 만드는 고역률, 고신뢰성 전자식 안정기를 제작하였다. 제논 평판형광램프의 점등전압은 고압이 사용되므로 램프 파손의 경우와 무부하의 경우로부터 사고를 방지하기 위해 보호회로를 사용하여 이상전압, 이상전류에 의한 사고를 차단했다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.2 no.1
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• pp.33-40
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• 1989

낮은 에너지(60KeV) 비소 이온주입으로 고종도의 얇은 표면층을 형성시켜 Pt-nSi 쇼트키 다이오드의 유효 장벽높이를 감소시켰다. 역방향 특성을 크게 저하시키지 않고 순방향 임계전압을 400mV에서 200mV로 낮추는데 필요한 이온주입량은 얇은 산화막(215.angs.)이 존재하는 상태에서 비소 이온주입을 한 경우는 9.0*$10^{12}$$cm^{-2}$이고, 산화막이 없는 상태에서 이온주입한 경우는 5.1*$10^{12}$$cm^{-2}$이었다. 이온주입후 열처리 조건은 900.deg.C에서 30분간 N$_{2}$분위기에서 행하였으며 얇은 산화막을 통한 이온주입으로 다이오드의 역방향 특성을 개선하였다.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2003.05b
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• pp.393-394
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• 2003

최근 들어 질소산화물 (NOx)을 저온 플라즈마로 처리하려는 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 플라즈마 공정의 단점 중 하나는 다른 공정에 비해 비교적 에너지 소모가 높다는 것인데, 전원 (wall plug)에서 나오는 전력 중 일부만이 플라즈마를 발생시키는데 이용되어, 에너지 효율이 낮은 것으로 보고되고있다. 따라서 플라즈마 공정을 실제 공정에 적용하기 위해 선결되어야할 과제는 에너지 효율을 높이는 것이다. 이러한 에너지 효율은 가스의 조성과 인가 전압 등에 많은 영향을 받는다. 본 연구에서는 교류 유전체 장벽 방전 (Dielectric Barrier Discharge)의 가스 조성과 인가 전압을 변화시키면서 전원에서 반응기로 전달되는 에너지 전달 효율을 살펴보았으며, 에너지 전달효율과 NO의 전환이 상관관계를 살펴보았다. (중략)