The ac magnetic susceptibility was measured in iron-oxide nanoparticles with average size of 26 nm, which were uniformly dispersed in organic solvent. The ac magnetic susceptibility measured under zero magnetic fields was well fitted with Debye relaxation model and the relaxation frequency was 370 Hz. The relaxation frequency of the nanoparticles coincided with relaxation time of the Brownian motion, which is due to the viscosity of the liquid medium in which magnetic nanoparticles dwell. The Brown relaxation frequencies were linearly increased with magnetic field.
본 논문에서는 H.264/AVC 복호기의 성능을 향상시키기 위해 병렬 역양자화 구조와 역변환 구조를 제안한다. 제안하는 역양자화 구조는 공통 연산기를 사용하여 계산 복잡도를 감소시키고, 4개의 공통연산기를 사용하여 역양자화 수행 사이클 수를 1 사이클로 감소시킨다. 제안하는 역변환 구조는 4개의 변환 연산기를 사용하여 역변환 연산을 수행하는데 2 사이클이 소요된다. 또한 제안하는 구조는 역양자화 연산과 수평 역변환 연산을 동시에 수행하는 병렬 구조를 채택하여 역양자화 및 역변환 수행 사이클 수를 2 사이클로 감소시킨다. 제안하는 구조를 Magnachip 0.18um CMOS 공정 라이브러리를 이용하여 합성한 결과 1.5MHz의 동작 주파수에서 게이트 수는 14,173이고, 표준 참조 소프트웨어 JM 9.4에서 추출한 데이터를 이용하여 성능을 측정한 결과 제안하는 구조의 수행 사이클 수가 기존 구조 대비 38.74% 향상되었다.
Kim, Ji-Won;Kim, Wan-Su;Lee, U-Hyeon;Hwang, Gi-Ung
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.376-377
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2013
반도체산업이 발전함에 따라 패턴이 점점 더 복잡해 지고 있다. 이에 따라 웨이퍼 위에 올려지는 layer도 개수도 많아지고 점점 더 두꺼워진다. 예전에는 수백 nm였지만 최근에는 um단위까지 두꺼워지고 있다. 하지만 mask 역할을 하는 ACL과 substrate (SiO2)의 selectivity는 일정하기 때문에 mask 역할을 하는ACL layer 역시 두꺼워지는 것이 불가피하다. 이로인해 예전에는 없었던 문제들이 발생하기 시작한다. Mask 역할을 하는 ACL layer가 얇고 패턴 크기가 클 때에는 아무런 문제도 없었지만 ACL layer도 두꺼워 지고 패턴 크기도 수십 nm로 작아졌기 때문에 ACL 역시 식각 공정을 할 때 어려움이 생기기 시작한다. 이를 해결하기 위한 하나의 방법으로 자화된 ICP 챔버 substrate에 Dual bias frequency 인가하여 식각해 보고 이와같이 하였을 때 식각특성을 분석해 보았다. 자화된 ICP 챔버에서 substrate에 dual bias frequency를 인가함으로써 ion energy와 ion flux에 변화가 생기게 되고 이로 인해 다른 식각 특성이 나타나게 되었다. Dual bias frequency의 비율을 변화시켜 보고 변화에 따른 식각 특성을 분석해 보았다. 이와 같은 과정을 통하여 높은 주파수와 낮은 주파수의 각각의 변화에 따른 식각특성의 변화에 대한 이해를 할 수 있었다.
현 단계에서도 임계전류밀도가 약 $100A/mm^2$로 충분히 높아 전력분야 응용이 기대되는 Bi-2223테이프에 대한 교류손실을 초전도 전력기기의 실제 상황을 고려하여 측정하였다. 중요한 평가 결과로서는 먼저 통전손실 특성은 외부 교류자장의 세기뿐만 아니라 방향에 따라서도 매우 상이하였으며, 비교적 외부자장이 큰 경우는 동저항손실 메카니즘이, 작은 경우는 그 외의 또 다른 손실 메카니즘이 지배적이었다. 또한 수평자장에 대한 자화손실 특성은 코아 모델로부터 계산된 손실과 비교적 잘 일치하였다. 따라서 자화손실은 히스테리시스 손실 메카니즘이 지배적이라 할 수 있으며, 측정된 자화손실은 저온 초전도체에서는 볼 수 없었던 약한 주파수 의존성을 보였을 뿐만 아니라 외부자장의 세기에 따라서도 주파수 의존 특성이 상이하였다.
The microwave permeability was measured in order to analyze the thickness dependence of loss properties in CoFeHfO thin films with varying thickness of t = 57~1368 nm. A single resonance peak (P1) at 2.95 GHz was appeared in the samples with thickness less than 405 nm, while second resonance peak (P2) at 547MHz was additionally appeared in the samples with thickness greater than 405 nm. The P2 was originated by the angle distribution of the easy axis, which was confirmed from the measured results of the change of imaginary permeability with applied magnetic field in the sample of 1368 nm thickness and low field torque curves. If the second peaks can be reduced by minimizing the angle distribution of the easy axis, the CoFeHfO thin films with thickness greater than 400 nm can be used for the compact microwave devices operated at up to 2 GHz ranges.
Solving the stochastic Landau-Lifshitz-Gilbert equation numerically, we investigate the attempt frequency of magnetization in synthetic antiferromagnet (SyAF). The attempt frequency is estimated while varying the uniaxial anisotropy constant, the energy barrier and the geometry of a magnetic layer. It is found that the attempt frequency is decreased for the same magnetic volume by increasing the asymmetry of the geometry in the high damping region. Also, even for a constant height of energy barrier, the attempt frequency can vary dramatically with uniaxial anisotropy constant.
It has been well known that weak axial magnetic field on the process plasma enhances plasma density. As the magnetic field helps a specific polarized EM wave mode to penetrate into the plasma, the energy transfer to the plasma enhances and the ion density increases. We have analyzed systematic change of the dispersion relation caused by the cyclotron resonance condition. This resonance occurs at near 5 gauss to provide minimum penetration depth, as known before. RF penetration depth increases abruptly beyond the magnetic field of 5 gauss, and this phenomena lessen as the collision frequency increases.
Bi-2223도체의 종자계 손실에 대하여 실험적으로 조사하였으며, Bi-2223도체의 종자계 손실은 주파수에는 의존하지 않으며, 이는 수직 수평방향의 자장에 대한 자화손실처럼 히스테리시스손실이 지배적임을 의미한다. 또한 측정된 자계 손실은 절충 본수에도 그다지 의존하지 않으며, 필라멘트들 사이가 완전히 비결합된 모델로부터 계산된 손실에 더 유사하고, 수평방향의 자장에 대한 자화손실의 약 1/5정도로 작으며, 따라서 종자계 손실은 전력기기에서 그다지 중요하지 않음을 알수 있었다.
Hold-up time 조건에 의해 넓은 입력전압 범위에서 설계되는 하프-브리지 LLC 컨버터는 높은 전압 이득을 얻기 위해 작은 자화 인덕턴스와 넓은 스위칭 주파수 범위가 요구된다. 하지만 이는 큰 1차측 도통손실 및 코어 손실을 초래한다. 본 논문에서는 하프-브리지 LLC 컨버터가 좁은 입력전압에서 설계되기 위한 새로운 hold-up time 보상 기법을 제안한다. 따라서 제안된 기법에서의 하프-브리지 LLC 컨버터는 큰 자화 인덕턴스 및 좁은 스위칭 주파수 범위로 설계 될 수 있다. 제안된 회로의 효과는 90-264Vrms 입력, 250-400V 링크 전압, 48V/480W 출력을 갖는 prototype의 실험을 통해 검증된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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