자성-금속-자성 삼층구조로 반강자성 결합 특성을 갖는 박막 재료의 자화 곡선은 두 자성박막 각각의 자화량($M_1$, $M_2$) 변화 특성을 반영한다. 본 연구에서는 반강자성 결합 특성을 갖는 CoB/Ru/CoB 박막 재료의 두 자성 박막의 총자화량($M_{tot}=M_1+M_2$)과 상부 단일 박막의 자화량($M_1$)의 이론적 값을 Stoner-Wohlfarth 모델로 계산하였다. VSM으로 측정한 총자화량은 자기장의 반전에 따라 가역 특성을 보였으며, CoB/Ru/CoB 재료의 플롭자기장($H_F$)은 약 50 Oe였다. 한편 MOKE로 측정한 상부 단일 박막의 자화량($M_1$)은 $-H_F$ < H < $H_F$에서 비가역 자화 반전 특성을 보였다. 이러한 자화 거동 특성은 두 자성 박막에 서로 상호 작용하는 반강자성 결합에 의하여 두 자성 박막 각각의 자화 각도 변화에 기인함을 Stoner-Wohlfarth 모델 계산을 통하여 확인하였다.
강자계 내에서 영구자석의 자화량은 변한다. 따라서 영구자석을 포함하는 자기 시스템의 정확한 해석을 위해서는 영구자석의 자화량의 변화를 고려해 주어야 한다. 그런데 영구자석의 자화량 은 히스테리시스 특성을 가지고 변하므로 단순한 수식으로 표현이 되지 않으므로 종래의 방법으로는 수치모사가 불가능하다. 본 논문에서는 Preisach 모델과 결합된 유한요소법으로 히스테리시스 특성을 갖는 영구자석의 자화량을 수치모사하였다. 보자력과 잔류자속밀도 값이 다른 두 자석을 서로 접근시 킬 때 작용하는 힘을 본 방법으로 계산한 값과 strain gauge type load cell로 측정한 값이 잘 일치 함을 보임으로써, 본 방법이 자화량의 변화가 발생되는 영구자석기기의 해석에 적합함을 보였다.
자성체의 자화 특성을 해석하기 위해서는 자성체가 가지고 있는 포화 현상과 Hysteresis 현상을 고려해 주어야 한다. 하지만 현재 자화 특성 해석에서는 Hysteresis 현상을 무시하고 포화 현상만을 고려한 해석을 진행하거나 Hysteresis의 메이저 루프 특성만을 고려한 비선형 문제 해석만을 사용하고 있다. 하지만 자성체의 Hysteresis 특성은 메이저 루프적 특성 뿐만이 아닌 마이너 루프적인 특성을 가지고 있어 이 두 특성에 따라 많은 자화량적 변화를 가지게 된다. 또한 같은 재료적 특성을 가진 자성체라고 해도 그 형상에 따라 다른 자화 특성 분포를 가지고 있다. 이러한 두가지 특성을 전부 고려한 해석이 되어야 만이 정확한 자화 특성 해석 방법이라고 할 수 있다. 본 논문에서는 이와 같은 멀티브렌치적 특성과 자성체 형상에 따른 특성을 해석하기 위하여 Preisach 모델링을 이용하여 자성체의 형상에 따른 자화적 특성을 해석하는 연구를 진행하였다.
본 논문에서는 속도 제어를 위한 가변자속 메모리 모터(Variable Flux Memory Motor)의 특성과 감자전류 산정에 대하여 다루었다. 서론에서는 VFMM에 대한 특징 및 설계를 위한 분석 방안을 제시하였으며, 메모리모터의 동작 원리와, 정밀한 해석 방법은 본론을 통하여 자세히 다루었다. 감자전류는 프라이자흐 모델을 이용하여 초기 자석의 자화량을 비선형 적으로 구한 후 인가된 d축 전류에 따른 변화된 자화량 및 기전력 값들을 반복적인 연산을 통하여 신뢰성 있는 감자전류를 산정하였다.
영구자석의 착자상태는 영구자석이 사용된 기기의 특성에 큰 영향을 미친다. 따라서 영구 자석기기에서 원하는 특성을 얻기 위해서는 영구자석의 착자상태를 정밀하게 해석할 필요가 있다. 본 논문에서는 비선형과 이방성 특성이 고려된 유한요소법으로 착자기를 해석하였다. 착자전류가 변함에 따른 자화량의 분포와 그 자화량에 의하여 공극에 발생되는 저장의 값을 각도가 서로 다른 2가지 착 자요크에 대하여 구한 결과, 착자요크의 형상에 따라 과도한 착자전류는 자화량의 분포를 왜곡시키고, 이에따라 발생되는 공극에서의 자장의 값은 오히려 줄어듦을 알 수 있었다. 따라서 영구자석을 자화 시키기 위한 착자기를 설계할때 원하는 착자분포를 얻기위해서는, 착자요크의 각도에 따라 적절한 착 자전류의 값이 있음을 알 수 있다.
원자로 압력공기 재료인 SA508-3 강의 중성자 조사량에 따른 Hysteresis Loop 의 변화와 Barkhausen Noise 의 변화를 조사하였다. 조사량에 따른 최대자기유도, 보자력, 잔류자화 및 Barkhausen Amplitude 의 변화를 측정하였으며, 이를 격자변형에 의한 자구 벽의 pinning 과 중성자 조사에 의한 자기에너지의 변화로 설명하였다. 중성자 조사에의 한 자기적 성질은 기계적 성질의 변화보다 훨씬 민감하게 변화하였으며, 보자력과 잔류자화는 중성자 조사량에 따라 선형으로 증가하였다. 이를 이용하면 조사손상 평가와 함께 조사량을 측정하는 dosimetry 에도 적용될 수 있는 가능성이 있다.
본 논문은 다수의 비트레이트에서 변환하는 멀티레이트 변환 기능을 효율적으로 실현할 수 있는 비디오 트랜스코더를 제안하고자 한다. 이것을 구현하기 위해서는 부호 및 역 양자화기를 하나의 처리기로 공유해야 할 뿐만 아니라 유사한 재양자화 스텝값을 가지고 있는 출력 사이에 재양자화-재부호화 처리기를 공유시킴으로서 멀티레이트 변환시에 처리량을 감쇄시킬 수 있는 구조를 제안하고자 한다. 또, 이론적 평가 및 평가에 따른 실험 결과로부터 제안한 방식인 재양자화-재부호화기의 공유 방법이 출력 수에 대한 처리량을 효율적으로 감쇄시킴으로서 단일 레이트의 출력의 경우보다 약 3~6배의 처리량으로도 임의의 출력 수에 대응할 수 있는 결과를 얻을 수 있었다.
1983년도(年度) 보고(報告)된 잣나무 수형목(秀型木) 167 clone의 clone 보존원(保存園)에서 1986년(年)부터 1989년(年)까지, 개화시기(開花時期), 개화율(開花率), 개화량(開花量)을 조사(調査)한 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1) 자화(雌花)가 조기개화(早期開花)하는 소수 clone과 웅화(雄花)가 늦게 비산(飛散)하는 소수 clone들 사이에는 자연교배(自然交配) 될 수 없는 clone들도 있었다. 2) 웅화(雄花)의 개화율(開花率)은 낮았으며 자화(雌花)의 개화율(開花率)보다 유전적(遺傳的)인 영향을 많이 받고 있었다. 3) 자화(雌花)와 웅화(雄花)의 대화량(開花量)은 소수 clone에 의하여 영향을 받고 있었다. 4) 자화(雌花)와 웅화(雄花)의 개화량(開花量)은 상호(相互) 상관(相觀)이 없었으며 167 clone중 42 clone은 웅화(雄花)가 개화(開花)하지 않았다. 5) 167 clone의 개화량(開花量)은 L.S.D 5% 검정(檢定)에 의하여 자화(雌花)는 3 group, 웅화(雄花)는 4 group으로 분류(分類)되었다. 6) 주성분(主成分) 분석(分析)에 의하여 자화(雌花)와 웅화(雄花)가 다량개화(多量開花)하는 clone을 선발(選拔)할수 있었다. 7) 자화(雌花)의 개화율(開花率)과 개화량(開花量)을 기준으로 할 때 Juvenile phase 기간(期間)은 접목(接木)후 4년(年)까지 였으며 transition 기간(期間)은 접목(接木)후 5년(年)부터 7년(年)까지 adalt phase 기간(期間)은 접목(接木)후 8년(年)부터였다. 8) 잣나무 접목묘(接木苗)는 실생묘(實生苗) 보다 6년이상(年以上) 빠르게 개화(開花)하였다.
전자빔조사와 과산화수소를 사용하여 알지네이트(sodium alginate, SA)를 저분자화 시키는데 1.0, 2.5 MeV의 전자빔 에너지가 이용되었으며, 저분자화 수율($G_s$), 분자량의 제어를 위해 2.5 ~ 20 kGy의 조사량, 0 ~ 4.5%의 과산화수소의 양을 조절하였다. 전자빔조사에 의한 저분자화 알지네이트(depolymerized sodium alginate, DSA)는 주로 1,4-glicoside결합이 끊어지며, C2-C3결합이 끊어지며 생기는 약간의 formate 말단을 가지며, 전자빔 조사 저분자화 저분자 알지네이트 말단(end group)의 화학적 구조가 단순하며, 고분자 알지네이트와 유사한 구조를 가짐을 알 수 있었다. 도입된 전자빔의 에너지와 조사량이 증가하면 알지네이트의 분자량은 감소하였으며, 알지네이트의 농도(2.0w/v%)로 높을 때 저분자화수율이 높았다. 특히 2% 알지네이트 수용액에 20 kGy (2MeV)의 조사량과 1.5% 과산화수소를 도입하였을 때 가장 큰 저분자화 수율($7.919{\times}10^4mol/J$)을 얻을 수 있었다.
자성 박막 표면에서의 일축 자기이방성을 고려한 자화의 경계조건을 Maxwell 방정식과 자화에 대한 Gilbert 방정식을 동시에 만족하는 해에 적용하여 자성박막에서 여기되는 스핀파 공명신호에 대한 모의실험을 수행하였다. 공명신호에 영향을 주는 물리량은 박막두께, 교환강성 상수, 표면 자기이방성 상수, 포화자화, 감쇠 상수, 전기비저항 등이며, 이러한 물리량들이 자성 박막에서 여기되는 스핀파 거동에 미치는 영향을 공명흡수선의 공명자기장, 선폭, 세기로 구분하여 조사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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