고주파 스퍼터링 방법에 의하여 상온에서 Si(100)기판 위에 AIN막을 형성하였다. 기판의 온도, 고주파 출력, 스퍼터링 시간, 질소의 비율을 변화인자로 해서 각 조건하에서 제작된 AIN의 결정질을 X선 회절법, 적외선 분광법, 전자현미경으로 상호비교 하였다. 자외선 투과법에 의해, 제작된 AIN 막의 금지대 폭은 4.27eV 이었다. 질소 비율에 따른 AIN 막두께의 변화는 질소비율 40∼60%에서 급격하게 일어났다.
두발이나 인체 세정 과정에서 일어나는 오일 흡착은 내부 성분량 변화와 컨디셔닝 기능에 큰 영향을 준다. 본 연구에서는 오일을 흡착재에서 직접 검출하여 편리하게오일량을 정량할 수 있는 흡수 분광 평가법을 개발하였다. 먼저, 오일 흡착량에 영향을 미치는 코아세르베이트 함량을 판단하기 위해서 음이온과 양쪽성 계면 활성제간 몰비율에 따른 코아세르베이트 함량을 조사하였다. 이 데이터를 활용하여 오일 흡착량 평가에 가장 적합한 오일 점도값을 확보하였고 세정제의 계면활성제간 몰비 조정 등을 통해 모발 대체 흡착재와 흡착 및 용출에 필요한 가장 최적의 방법을 확립하였다. 이렇게 확립한 평가법으로 자외선 흡광도가 있는 오일을 자외선 흡광도가 없는 실리콘 같은 오일 대신 배합해서 흡착시키고 용출시킨 후 흡수 분광법으로 오일 흡착량을 정량 계산해 본 결과를 HPLC의 질량분석과 AFM을 이용한 점착력 결과와 비교하였다. 오일 흡착에 영향을 미치는 요인인 양이온 폴리머를 다르게 하고 복합 폴리머를 사용해 본 결과 본 평가법이 모든 오일의 흡착량 평가에 적용할 수 있음을 입증하였다.
본 논문은 전기화학 합성으로 형성한 폴리피롤(polypyrrole : PPy) 전극에 신경 전달물질(neurotransmitter)인 에피네프린(epinephrine : Ep)을 치환도핑하여 전압인가에 따른 방출과 자외선 분광법에 의한 검출 결과를 보인다. 폴리피롤 막은 정전압법으로 금 전극에 합성하였고, potassium phosphate buffer(pH 7.0) 내에서 에피네프린을 폴리피롤 막에 치환도핑하였다. 폴리피롤 막에 10mM Ep 농도로 치환도핑한 후 염화나트륨 수용액에서 -0.9V의 환원전압을 인가하여 에피네프린을 방출하였다. 자외선 분광법을 이용하여 파장 250$^{\sim}$400nm 영역에서 방출된 에피네프린 용액의 최대흡광도가 약 0.021 임을 확인하였고 이는 에피네프린 표준용액의 정량선으로부터 16${\mu}$g 이 방출되었음을 의미한다.
반투명 전도성 음극 (semi-transparent conducting cathode)인 Ba (x nm)/Au (20 nm)/ITO (100 nm)을 이용하여 전면발광 유기전계 발광 소자 (top-emitting organic light-emitting didodes, TEOLEDs)를 제작했다. Ba과 bis(8-quinolinolato)aluminum (III) ($Alq_3$) 계면의 전자구조는 엑스선 광전자 분광법 (X-ray photoelectron spectroscopy, XPS), 자외선 광전자 분광법 (ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) 및 가까운 끝머리 엑스선 흡수 미세구조 (near-edge x-ray absorption fine structure, NEXAFS) 스펙트럼의 광 방출 특성을 통하여 조사되었다. $Alq_3$/Ba 계면 특성에 있어서 XPS와 NEXAFS 특성에 의하면, $Alq_3$ (10.0 nm) 위에 Ba이 연속적으로 증착됨에 따라 Ba으로부터 $Alq_3$로의 전자전달 (electron charge transfer) 특성은 꾸준희 증가된다. 그러나 Ba의 두께가 1.0 nm 이상 초과되면 Ba의 전자전달에 기인한 반응성때문에 $Alq_3$의 분자구조가 해리된다. 한편, 제작된 TEOLEDE의 전류-전압-휘도 곡선의 경우에서도 바륨의 증착 두께가 1.0 nm일 때 가장 우수한 구동특성을 나타냈다.
대기압 저온 Ar 플라즈마 제트에서 발생되는 플라즈마에 대해 연구하였다. 플라즈마 제트의 본체는 주사기 바늘, 유리관 그리고 테프론 튜브로 구성되어 있다. 바늘의 앞부분은 유리관에 삽입되어 있으며 바늘의 뒷부분은 테프론 튜브와 연결되어 있다. 주사기 바늘에는 수십 kHz의 사인파를 발생시키는 DC-AC 인버터로 수 kV의 고전압을 인가해준다. 기체는 테프론 튜브를 통해 바늘의 안쪽으로 흐른다. 사용 기체는 Ar이며 유량은 3 lpm이다. 주사기 바늘형 전극의 내경은 1.3 mm, 외경은 1.8 mm, 총 길이는 39.0 mm이며 재질은 스테인레스강이다. 유리관의 내경은 2.0 mm, 외경은 2.4 mm, 총 길이는 80.0 mm이다. 자외선-근적외선 분광계를 이용하여 대기압 저온 Ar 플라즈마 제트에서 발생된 플라즈마의 분광 분석을 하였다. 플라즈마 제트에서 발생되는 플라즈마의 휘도는 대략 $10{\sim}30cd/m^2$이다. 플라즈마의 측정 위치, 플라즈마 제트의 입력 전압과 입력 전류, 기체 종류 등의 변수에 따른 분광 실험을 하였으며 이를 통해 얻은 분광 데이터를 일반적인 볼츠만 기울기법에 대입하여 플라즈마의 들뜸 온도를 측정하였다. 또한 Ar 플라즈마 제트의 분광 데이터를 수정된 볼츠만 기울기법에 대입하여 플라즈마의 전자 온도를 측정하였다. 이는 바이오-의료용 플라즈마 및 플라즈마 공정 등의 다양한 응용 분야에서 유용하게 활용할 수 있을 것이다.
아미노실리케이트로 안정화한 금 콜로이드 용액으로부터 산화인듐주석(ITO) 위에 전해석출법으로 금 나노입자의 박막을 만들고, 이 박막을 순환 전압전류법(CV), 주사전자현미경법(SEM), 자외선-가시선 및 에너지분산 X-선 분광법(EDXS)으로 조사하였다. 박막 위 금 나노입자의 표면덮힘율은 1.2 나노몰/cm2였다. 금 박막을 0.10 M HClO4 용액에 든 0.1mM anthraquinone-2,6-disulfonic acid, disodium 염(AQDS) 용액에 20시간 이상 담가서 AQDS의 자체조립 단막층을 생성하였다. 그 결과 690 nm에서 다중층(AQDS/금박막/ITO)의 새로운 흡수 봉우리가 얻어졌다. 또한, +0.5V에서 -0.5V까지 전위를 변화시키는 시간전류법과 자외선-가시선 분광법으로 다중충의 표면 플라스몬 흡수를 측정하였다. 음의 전위를 걸어주었을 때 550 nm에서 나타나는 최대 표면 플라스몬 흡수띠가 감소하였다. 흡광도의 변화와 AQDS의 표면덮힘율과의 상관관계로부터 AQDS층의 유사용량 표면상태가 음전위를 걸어줄 때 플라스몬 띠의 에너지준위와 연관되어 있음을 알았다.
인삼(人蔘)에 번식(繁殖)하는 진균류(眞菌類)가 인삼(人蔘)의 유리지방산(遊離脂肪酸)과 saponin의 화학적(化學的) 변화(變化)에 미치는 영향(影響)을 조사(調査)하기 위하여 전보(前報)에서 분리(分離)한 Rhizopus delemar RH-1을 인삼(人蔘)에 접종(接種), 배양(培養)한 다음 그 spent media 와 colony 별(別)로 유리지방산(遊離脂肪酸)과 saponin을 추출(抽出)하여 이 추출물(抽出物)의 가시선(可視線), 자외선(紫外線) 및 적외선(赤外線)의 분광분석(分光分析)과 가스크로마토그래피로 얻은 분석결과(分析結果)는 다음과 같다. 즉, 인삼(人蔘)의 유리지방산(遊離脂肪酸) 19종(種)을 가스크로마토그래피법(法)으로 동정(同定)하였으며 그 중 colony에서는 $iC_{12:0},\:C_{16:2},\;C_{17:0},\;C_{18:3}\; and\;C_{20:0}$산(酸)을, spent media에서는 $C_{16:1}$산(酸)을 대조군(對照群)에서는 $C_{20:0}$산(酸)을 추출(抽出)할 수 없었다. 가시분광분석법(可視分光分析法)으로는 미생물(微生物)에 의(依)한 유리지방산(遊離脂肪酸)과 saponin의 화학적(化學的) 변화(變化)를 확인(確認)할 수 없으나 자외선(紫外線)과 적외선(赤外線)의 스펙트럼에서는 흡수대(吸收帶)의 이동(移動) 내지(乃至)는 소장(消長)관계를 알 수 있었다. 또한 saponin의 화학적(化學的) 변화(變化)를 자외선(紫外線)과 적외선(赤外線)의 분광분석법(分光分析法)과 가스크로마토그래피법(法)으로 확인(確認)하였다.
[X=ortho (L1), meta(L2) 및 para(L3)]리간드를 갖는 주석(II) 화합물들을 합성하고, 그 특성을 원소분석, 적외선 분광광도법, 자외선/가시광선 분광광도법 및 열분석법을 이용하여 확인하였다. 자외선 분광광도법을 통하여, 주어진 ONNO 주게 리간드들의 이민(imine) 및 카보닐기의 배위 모드가 C2v 대칭성을 갖는 것으로 나타났다. 또한 열분석 결과, Sn(L3) 화합물이 가장 높은 활성화 에너지를 가지는 반면, Sn(L2) 화합물이 가장 낮은 활성화 에너지를 가짐을 알 수 있었다.
고분해능 전자에너지손실 및 자외선광전자 분광법을 사용하여 단결정 NbC(111)면의 산소횹착을 연구하였다. NbC(111) 표면에는 산소가 원자 및 분자상태로 흡착되었다. 산소원자는 3-fold hollow site에 흡착되며 진동수는 548c$m^{-1}$이었다. 산소분자의 신축진동수는 968c$m^{-1}$로서 기체상태인 산소분자의 진동수보다 크게 낮았으며, 산소분자의 흡착으로 일함수가 증가하였다. 이는 NbC(111) 기판으로부터 산소분자의 2p${pi}_g$ 궤도로 전자가 이동하였음을 보여주는 증거이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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