• Title/Summary/Keyword: 자성 박막

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SOFT MAGNETIC PROPERTIES OF Fe-Hf-N FILMS REACTED WITH BONDIGN GLASS

  • Kim, K. N.;Kim, B. H.;H. J. Je
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.222-223
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    • 2002
  • 자기헤드에서 사용되는 연자성 박막에서 요구되는 특성 중 가장 중요한 것은 우수한 연자기 특성의 화보와 헤드제조공정에서 필수적인 유리접합공정(MIG 헤드의 경우 약 500~600 $^{\circ}C$의 열처리) 이후에도 연자기 특성이 유지되는 내열성이다. 이러한 관점에서 우수한 연자기 특성과 내열성을 동시에 보유하는 연자성 박막재료에 대한 연구가 활발히 진행되어 Fe-TM(Hf, Zr. Ta 등)-(B. C, N) 계 등이 보고되었다[1-4]. (중략)

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PLD 법으로 제조된 Co-doped $TiO_2$박막의 자기 특성 연구

  • 이재열;이우영;최덕균;오영제
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.96-97
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    • 2002
  • 최근에 스핀트로닉스 (spintronics) 분야에 대한 관심이 높아지면서 전기전도성과 자성을 동시에 지니는 자성반도체에 관한 연구가 다양하게 진행되어지고 있다. 특히 DMS (diluted magnetic semiconductor)는 상당한 관심을 가지고 많은 학자들에 의해 오랜 기간 연구되어져 왔고$^{1.3)}$ 특히, Matsumoto et al. $^{4.5)}$ 은 Co-doped anatase TiO$_2$ 박막을 LMBE (laser molecular beam epitaxy)로 제작하여 상온에서의 강자성을 발표한 바 있다. (중략)

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Characteristics of Planar Inductors Using FeZrBAg Magnetic Thin Films (FeZrBAg 자성막을 이용한 평면 인덕터의 특성)

  • 송재성;민복기;김현식;허정섭;김형준
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2000.07a
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    • pp.247-249
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    • 2000
  • 본 연구에서는 double rectangular spiral형 공심 인덕터를 제조하고, 인덕터 특성에 미치는 자성막의 특성 인자에 대해 연구하였다 공심 인덕터의 전류의 방향과 자성 박막의 자화 용이축의 방향이 수직일 경우 인덕터의 인덕턴스가 향상되었고, 도체막과 자성막 사이 절연막이 없는 경우 자성막의 자속 집속효과가 증가하여 절연막이 있는 경우보다 인덕턴스는 높고, 저항의 증가율이 높았으며, 자성막의 투자율이 높을수록 인덕터의 인덕턴스에 기여하는 부분이 증가하므로 인덕턴스는 향상되었다. 또한 인덕터의 주파수 특성은 공심 인덕터의 특성에 지배적인 영향을 받으므로 인덕터의 주파수 특성을 향상시키기 위해서는 자성막의 특성보다 공심 인덕터의 특성을 향상시키는 것이 바람직하다

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Magnetization Reversal Behavior of Submicron-sized Magnetic Films in Response to Sub-ns Longitudinal Field Pulses Along the Easy Axis (1 ns 이하의 자화 용이축 펄스 자기장에 의한 자성박막의 자화 반전 거동)

  • Lee, Jin-Won;Han, Yoon-Sung;Lee, Sang-Ho;Hong, Jong-Ill
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.17 no.5
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    • pp.188-193
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    • 2007
  • We simulated the magnetization reversal behavior of submicron-thickness magnetic films by applying pulses of sub-ns-long durations and amplitudes along the easy axis. The films were rectangular and elliptical $Ni_{80}Fe_{20}$, and their thickness was 2 nm and 4 nm. We observed different behaviors depending upon the shape and thickness of the films and found a normal non-switching in regions in which we expected complete switching after relaxation. In the elliptical film, the non-switching regions were found to be random and to be widely distributed throughout the switching map. The strong demagnetization field along the z-axis, the film thickness direction, is likely responsible for this abnormal behavior. In the rectangular film, the abnormal non-switching regions were less distributed than they were in the elliptical film due to edge domains resulting from the small $M_z$ or demagnetization field during the switching. Our simulation confirms that large demagnetization is detrimental to the ultra-fast magnetization reversal of magnetic ultra-thin films.

Structural determination of Fe-Zr-B-Ag Soft Magnetic Thin Films (Fe-Zr-B-Ag 연자성 박막의 제조 및 구조분석)

  • Min, B.K.;Lee, W.J.;Song, J.S.;Heo, J.S.;Kim, H.S.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2000.07c
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    • pp.1806-1808
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    • 2000
  • MHz영역에서 사용 가능한 Fe계 연자성 재료를 초미세 결정립으로 제조하기 위해 $Fe_{93}Zr_{3}B_4$ 박막을 기본조성으로 하여 Fe와 비고용이며 약반자성인 Ag 원소를 0, 3, 4, 5, 6, 10 at.% 첨가시킨 $Fe_{93-x}Zr_{3}B_{4}Ag_{x}$ 박막을 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 제조하였다. 그리고, 300-600$^{\circ}C$ 온도 범위에서 1시간동안 열처리한 후 강제공냉법으로 냉각한 후 XRD를 이용하여 열처리 온도 및 Ag 첨가량에 따른 결정상 동정을 조사하였다. Ag가 첨가되지 않은 $Fe_{93}Zr_{3}B_4$ 박막의 경우 $\alpha$-Fe의 (110) 피크만 관찰되었다. Ag가 첨가된 경우에는, Ag의 양이 증가함에 따라 $\alpha$-Fe 결정상의 형성이 억제되고, 비정질형태의 broad한 ${\alpha}-Fe_{(110)}$ 피크와 Ag피크가 관찰되었다. Ag가 첨가된 As-deposited 시편을 열처리 할 경우 박막의 비정질화로 주 peak인 $\alpha$-Fe 피크의 강도가 현저히 낮아지고 상대적으로 Ag peak가 두드러졌다. Ag의 양이 3a/o인 경우는 열처리온도 400$^{\circ}C$이상에서 박막의 결정화로 $\alpha$-Fe Peak가 나타나고 상대적으로 Ag 구성원소의 피크의 강도는 현저하게 낮아졌다 또한. Ag의 양 증가할수록 As-deposited 박막 내에 Ag 구성원소외 피크의 강도는 증가하여 $\alpha$-Fe와 Ag가 서로 비고용 상태로 서로 혼재되어 있었다.

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Characteristics of Thin-Film Inductors Using EeZrBAg Magnetic Thin Films (FeZrBAg 자성막을 이용한 박막 인덕터의 임피던스 특성)

  • 송재성;민복기;허정섭;김현식
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.10 no.5
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    • pp.250-255
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    • 2000
  • Double rectangular spiral thin-film inductors were fabricated using $Fe_{86.7}Zr_{3.3}B_{4}Ag_{6}$ thin film with high permeability and resistance, in which easy axis of magnetization of the thin-film was perpendicular or parallel to the current direction. The perpendicular geometry inductor revealed higher inductance than the parallel geometry one, because spin aligns of magnetic film were more easily along the field direction due to higher field intensity in the perpendicular geometry. The increase of the inductance, however, resulted in the decrease of resonance frequency. The permeability was monitored by annealing the thin-films at different temperatures. With increasing the permeability, the inductance increased, but total resistance also increased due to the increase in magnetic core loss. As the resonance frequency was higher in air-core inductor than in magnetic thin-film core inductor, it is suggested to increase the resonance frequency that the characteristic of air-core inductor rather than the magnetic properties of the thin-film should be enhanced..

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Substrate-induced Magnetic Anisotropy and GMR Effects in Cu/Co Multilayers (Cu/CO 다층 박막에서의 거대 자기 저항과 자기 비등방성)

  • Park, C.M.
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.13 no.6
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    • pp.243-245
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    • 2003
  • The anomalous angular modulation of magnetoresistance in Co/Cu multilayers is explained assuming substrate-induced magnetic anisotropy. The magnetic parameters of Co/Cu multilayers is determined using angular modulation of magnetoresistance and theoretical model including substrate-induced anisotropy. This mechanism introduces a new possible way of modulating the giant magnetoresistance.

HBr 가스를 이용한 MgO 박막의 고밀도 반응성 이온 식각

  • Kim, Eun-Ho;So, U-Bin;Gong, Seon-Mi;Jeong, Ji-Won
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.212-212
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    • 2010
  • 최근 차세대 반도체 메모리 소자로 대두된 magnetic random access memory(MRAM)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 MRAM의 magnetic tunnel junction(MTJ) stack을 구성하는 자성 재료의 건식 식각에 대한 연구에서는 좋은 profile을 얻고, 재층착의 문제를 해결하기 위한 노력이 계속해서 진행되고 있다. 본 연구에서는 photoresist(PR)과 Ti 하드 마스크로 패턴 된 배리어(barrier) 층인 MgO 박막의 식각 특성을 유도결합 플라즈마를 이용한 고밀도 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching-ICPRIE)을 통해서 연구하였다. PR 및 Ti 마스크를 이용한 자성 박막들은 HBr/Ar, HBr/$O_2$/Ar 식각 가스의 농도를 변화시키면서 식각되었다. HBr/Ar 가스를 이용 식각함에 있어서 좋은 식각 조건을 얻기 위한 parameter로서 pressure, bias voltage, rf power를 변화시켰다. 각 조건에서 Ti 하드마스크에 대한 터널 배리어층인 MgO 박막에 selectivity를 조사하였고 식각 profile을 관찰하였다. 식각 속도를 구하기 위해 alpha step(Tencor P-1)이 사용되었고 또한 field emission scanning electron microscopy(FESEM)를 이용하여 식각 profile을 관찰함으로써 최적의 식각 가스와 식각 조건을 찾고자 하였다.

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