• Ceramist
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• v.2 no.4
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• pp.35-46
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• 1999

GMR 재료의 응용은 매우 광범위하며 크게 세 분야로 대별할 수 있다. 첫째는 자기 재생 헤드로서 $10Gbit/in^2$ 이상의 고밀도 자기기록 기술에서는 필수 불가결한 재료이다. 둘째는 다양한 분야에 응용될 고감도 자기센서 분야이며, 셋째는 집접화된 자기저항메모리(MRAM) 분야이다. GMR 센서를 사용한 자기헤드는 이미 시판되고 있고 기존의 AMR 재료인 퍼멀로이에 비하여 3~20배 이상으로 신호준위가 크고 사용온도 범위에서 선형성 및 열적안정성도 우수한 것으로 보고되고 있다. MRAM의 경우에는 스핀밸브 GMR 및 TMR 소자를 사용한 연구가 한창 진행중이다. GMR 현상은 발견 된지 고작 10년 밖에 되지 않았으나 GMR 자기센서는 이미 상업적으로 개발되어 응용되고 있다. 이러한 실질적인 응용에 유리한 고지를 선점하고 있는 것은 이방성결합형 스핀밸브 다층박막 구조로서 그 내구성과 특성 향상을 위한 연구가 다양하게 시도되고 있다. GMR현상의 발견은 자성재료분야 연구 및 응용에 있어 새로운 전기를 마련하였으며 특히 자성과 이동현상이 연계된 분야로서 소위 "Magneto-electronics" 또는 "Spintronics" 라는 [51] 새로운 미래기술의 장이 열리고 있다. 현재의 반도체 중심의 "Microelectronics" 기술에서는 전자와 전자공공을 이용하는 기술이라면 "Magneto-electronics" 기술에서는 스핀${\uparrow}$ 및 스핀${\downarrow}$의 두 종류의 전자를 이용하게 된다. 자성체와 도체를 접목한 스핀 트랜지스터 또는 자성체와 반도체를 접목한 스핀-polarized FET(field effect transistor) 등의 새로운 개념의 magnetoelectronics 소자가 창출되고 있다. 따라서 자기이동 현상의 기초 연구, 재료 측면의 연구 및 헤드, MRAM, 센서 등의 응용기술연구가 국내에서 활발하게 이루어져 21세기 새로운 자성전자(magneto-electronics)소자 응용에 경쟁력을 키워야 할 것이다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.3
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• pp.178-181
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• 2006

We have investigated the Mn concentration-dependent structural, optical, magnetic properties in IV-VI diluted magnetic semiconductor $Si_{1-x}Mn_xTe_{1.5} $ crystals prepared by the vertical Bridgman technique. X-ray studies showed the single crystalline hexagonal crystal structure. From the optical absorption measurements energy band gap were found to decreases with increasing x and temperature. From the magnetization measurements the samples had ferromagnetic ordering with Curie temperature $T_C$ about 80 K. With increasing Mn concentration, the average magnetic moments per Mn atom determined from the saturated magnetization increased.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.1 no.3
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• pp.346-352
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• 1992

반자성 반도체인 MnxCd1-xGa2Se4의 단결정을 조성비 ( $0leq$ $X \leq$ 1) 영역에서 TVTP(time-varying temperature profile)에 의한 화학수송법으로 성장하였다. 성장된 단결정 은 자연면을 갖은 경면으로 성장되었으며, X = 1.0 경우인 단결정의 크기는 12 $\times$ 6 $\times$ 1.5mm3이었다. MnxCd1-xGa2Se4의 결정구조는 defect chalcopyrite 구조이었으며, 조성비 X 가 증가함에 따라 격자상수 a는 선형적으로 감소하고, 격자상수 c는 증가하였다. 또한 distortion factor 2-(c/a)는 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2003.08a
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• pp.169-169
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• 2003

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.279-279
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• 2007

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2002.11a
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• pp.63-63
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• 2002

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2004.12a
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• pp.163-164
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• 2004

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2005.05a
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• pp.107-107
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• 2005

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.110-111
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• 2002

최근 Y. Masumoto[1]등에 의하여 Co가 도핑된 anatase 구조의 TiO$_2$ 물질에서 상온 강자성 현상이 보고된 이후, 이에 대한 관심이 고조되면서 다른 연구 그룹들에 의해 실험적으로 상온 강자성을 성공하였다는 보고[2,3]가 있으나 현재 그 메커니즘에 대하여 명확한 해석이 되어있지 않고 있기 때문에 이것이 정말 자성반도체의 성질인지 아니면 clustering에 의한 것인지 아직 확실히 밝혀져 있지는 않다. (중략)

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.6 no.5
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• pp.340-352
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• 1996

최근 급속도로 발전하고 있는 첨단산업의 배경에는 반도체를 중심으로 한 디지틀 전자기술(Electronics)이 자리잡고 있음은 주지의 사실이다. 이러한 전자 및 정보기술 이후, 즉 포스트 일렉트로닉스(Post-electronics)시대를 겨냥한 새로운 돌파구로서 기대되고 있는 21세기 기술의 주도권을 잡을 기술이 어떤 기술이 될 것인가는 매우 흥미로운 질문이다. 현재 시점에서 볼 때 반도체를 매개로 한 20세기 정보전자혁명을 대신할 새로운 기술혁명으로 대두하고 있는것이 마이크로혁명이며, 이 마이크로혁명을 주도할 기술로서 세계적인 주목을 끌고 있는 기술중의 하나가 초소형 미소기계, 즉 마이크로머신(Micromachine)이다. 현재 '반도체를 능가할 수 있는 차세대 메카트로닉스(Mechatronics)혁명'이라 평가되고 있는 마이크로머신 기술은 과거 꿈으로나 가능하던 공상과학의 세계를 현실로 만들어 주는 경이로운 기술이며, 나아가 분자기술을 응용한 생체로봇, 생체컴퓨터 등 이른바 나노기술(Nano-technology)의 신세계로 향하는 입구라 할 수 있다. 이기술은 기계공학, 전자기술은 물론 물리학, 생물학, 화학, 재료공학 등 광범위한 분야의 기술이 총망라되어야 개발이 가능하며, 그 실현을 위해서는 매크로 한 세계와는 판이하게 다른 물리현상 등 마이크로한 세계의 특수성을 이해해야 함은 물론 에너지공급, 재료, 데이타통신, 구조조립 등 많은 기술적 난제를 극복해야 한다. 마이크로머신기술은 현재 일부 전문가를 제외하고는 일반은 물론 자기학분야의 연구자들에게도 별로 익숙하지 않은 분야이다. 그러나 이 기술의 미래 영향력이나 가능성, 필요성을 고려할 때 이제는 자기분야 연구자들도 이 분야에 관심을 가져야 할 것으로 생각하여 연구자들도 이 분야에 관심을 가져햐 할 것으로 생각하여 본고에서는 먼저 최근 마이크로머신의 기술동향을 개괄적으로 소개하고, 다음으로 마이크로머신에 사용되는 주요 재료들과 자성재료가 주도적인 기능을 하는 자기마이크로머신(Magnetic Micro-machine)에 사용되는 자성재료들에 관해 소개하고자 한다.