Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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v.23
no.3
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pp.67-75
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2019
The laminar burning velocity of endothermic fuel surrogates is measured in this study, in order to investigate combustion characteristics of aviation fuel after being used as coolant in an active cooling system of a hypersonic flight vehicle. A Bunsen burner was manufactured such that the laminar burning velocity can be taken for two types of surrogate fuels, SF-1 and 2. The results showed that the burning velocity of surrogate fuels was faster at high equivalence ratio conditions than that of the reference fuel (RF), and specifically, the velocity of SF-1 had the maximum value at the highest equivalence ratio compared with those of SF-2 and RF.
We have investigated the characteristics of hydrogen (H) plasma treated quantum dot infrared photodetectors (QDIPs). The structure used in this study consists of 3 stacked, self assembled $In_{0.5}Ga_{0.5}As/GaAs$ QD layer separated by GaAs barrier layers that were grown by molecular beam epitaxy. Optical characteristics of QDIPs, such as photoluminescence (PL) spectra and photocurrent spectra, have been studied and compared with each other for the as grown and H plasma treated QDIPs. H plasma treatment, resulted in the splitting of PL peak, which can be attributed to the redistribution of the size of QDs. The activation energies estimated from the temperature dependence of integrated PL intensity for as grown and H plasma treated QDIPs are found to be in good agreement with those determined from corresponding peaks of photocurrent spectra. It is also noted that photocurrent is detected up to 130 K for the H plasma treated QDIP, suggesting the future possibility for the development of infrared photodetectors with high temperature operation.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.146-147
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2012
InP 기판위에 자발성장법으로 성장된 InAs 양자점은 $1.55{\mu}m$ 영역에서 발진하는 양자점 반도체 레이저 다이오드 및 광 증폭기를 제작할 수 있기 때문에 많은 관심을 받고 있다. 광통신 대역의 $1.55{\mu}m$ 반도체 레이저 다이오드 및 광 증폭기 분야에서 InAs/InP 양자점이 많은 관심을 받고 있으나, InAs/GaAs 양자점에 비해 제작이 어려운 단점을 가지고 있다. InAs/InP 양자점은 InAs/GaAs 양자점에 비해 격자 불일치가 작아 양자점의 크기가 크고 특히 As 계 박막과 P 계박막의 계면에서 V 족 원소 교환 반응으로 계면 특성 저하가 발생하여 성장이 까다롭다. As 과 P 간의 교환반응은 성장온도와 V/III 에 의해 크게 영향을 받는 것으로 보고되었다. 그러나, P계 InGaAsP 박막 위에 InAs 성장 시 발생하는 As/P 교환반응에 대한 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 InGaAsP 박막 위에 InAs 양자점 성장 시 GI (growth interruption)에 의한 As/P 교환반응이 InAs 양자점의 형상 및 광학적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 시료는 수직형 저압 Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)를 이용하여 $520^{\circ}C$의 온도에서 성장하였다. 그림1(a) 구조의 양자점은 InP (100) 기판위에 InP buffer layer를 성장한 후 InP와 격자상수가 일치하는 $1.1{\mu}m$ 파장의 InGaAsP barrier를 50 nm 성장하였다. 그 후 As 분위기 하에서 다양한 GI 시간을 주었고 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 양자점 성장 후 InGaAsP barrier를 50 nm, InP capping layer를 50 nm 성장하였다. AFM측정을 위해 InP capping layer 위에 동일한 GI 조건의 InAs/InGaAsP 양자점을 성장하였고 양자점 성장 후 As분위기 하에 온도를 내려주었다. 그림1(b) 구조의 양자점은 그림1(a) 와 모든 조건은 동일하나 InAs 양자점과 InGaAsP barrier 사이에 GaAs 2ML를 삽입한 구조이다. 양자점 형상 특성 평가는 Atomic force microscopy를 이용하였으며, 광특성 분석은 Photoluminescence를 이용하였다.
We have evaluated the performance of an all-optical automatic gain-controlled (AGC) erbium-doped fiber amplifier (EDFA) to suppress the optical signal fluctuation induced by atmospheric turbulence in terrestrial free-space optical communication systems. In our measurements, the input power into the EDFA was set to be -30 dBm and -10 dBm to operate the amplifier in the small-signal and saturation regions, respectively. The fluctuations in the optical signal were emulated with an acousto-optic modulator driven with a sinusoidal voltage. From the measured results, we have found that an all-optical AGC EDFA could suppress the optical signal fluctuation effectively, as long as the EDFA operated in the small-signal region with a high feedback amplified spontaneous emission (ASE) power.
In this paper, we propose a new method for broadcasting in a WDM-PON system which has the merits of a simple and cost effective structure. It can be constructed using only an ASE (Amplified Spontaneous Emission) light source and a PI-RSOA (Polarization Independent - Reflective Semiconductor Optical Amplifier). Error-free broadcast signal transmission over 30 Km for 24 channels at 1.25 Gb/s has been successfully demonstrated.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.57-57
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2011
저차원 나노구조인 자발형성 양자점은 그 우수한 전기적, 광학적 특성으로 많은 주목을 받고 있다. 이미 양자점을 이용한 소자들의 우수성이 입증이 되고 있다. 그러나 양자점의 형성은 단결정 기판 위에서 Stranski-Krastanow 성장 방법을 통해 일어나기 때문에 성장표면에 존재하는 표면 계단구조 등의 국부적인 표면 불균일성에 의해서 모두 동시에 형성되는 것은 아니다. 표면 핵생성의 시간차에 의해 양자점의 크기 불균일성이 나타나게 되며 이는 양자점의 우수성을 저해하는 요인이 된다. 특히, 비정상적으로 크게 성장된 양자점은 내부에 전위 등의 결정결함을 내포하게 되고, 양자점의 우수한 광특성을 손상시키는 주 요인이 된다. 양자점의 우수한 광특성을 소자로 응용하기 위해서는 이러한 비정상적으로 큰 양자점이 없으면서 균일한 양자점을 성장하는 것이 매우 필요하다. 본 발표에서는 그 동안 본 연구실에서 제안한 새로운 양자점 성장 방법에 대한 소개를 하고자 한다. 유기화학금속화학성장(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 도중에 V족 소스가스인 $AsH_3$의 주입을 주기적으로 끊어 주는 새로운 성장 방법(Periodic Arsine Interruption; PAI)을 제안하였다. 이 방법을 통해서 비정상적으로 형성되는 큰 양자점을 완전히 제거할 수 있었다. $AsH_3$을 끊어주는 시간 동안에 표면에서 As의 탈착을 유도하여 표면을 In-rich 쪽으로 유도하였고, 이렇게 함으로써 성장 표면에너지를 높은 쪽으로 바꾸어 줌으로써 핵생성을 위한 표면 roughening이 시작되는 것을 억제하였다. 이렇게 함으로써 미리 핵생성이 되어 비정상적으로 크게 성장하는 양자점으로 억제하면서 거의 동시에 모든 양자점이 핵생성되게 유도하였다. $AsH_3$의 주입 방법의 변화에 따른 양자점의 형성 거동을 연구함으로써 PAI 의 메카니즘을 이해할 수 있었다.
To reduce the mode noise induced from a multimode dye laser, a modeless laser generating amplified spontaneous emission was used as Stokes beam of the broadband CARS. A new technique for measuring species concentration from the modulation dip of nonresonant background of broadband CARS spectrum was proposed. The modulation dip was numerically calculated and fitted as a function of the concentration of the minor species and temperature of gas sample. We applied this technique in measuring CO concentration in a static cell and also the profile of CO concentration in a CHdair premixed flame of a counterflow burner.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.18
no.4
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pp.1064-1071
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1994
There are three active radicals which become to the scale of flame diagnostics at the flame front. They are OH, CH and $C_2$ radical. For this, optical measurement system which could monitor simultaneously the luminous waves of three radicals, was constructed. These were analyzed statistically into the cross correlation, coherence and phase. Through such an statistical treatment, combustion characteristics was investigated at the primary zone of gas turbine combustor. The local equivalence ratio was predicted with the ratio of luminuous intensity between CH and $C_2$ radical. This result was matched up to the equivalence ratio calculated from gas composition within 5% error. In general, equivalence ratio was said to be 1.0 at flame front, but it could be increased up to about 1.2 depending on the degree of swirl intensity in case of changing properly the air amount of primary zone.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2003.02a
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pp.6-7
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2003
반도체 양자점 구조는 양자크기 효과를 이용하여, 인공적으로 원자와 같이 매우 좁은 선폭의 에너지준위를 만들어 낼 수 있다는 점에서 관심을 끌고 있는 물질 구조이다. 특히 양자점 구조는 크기에 따라 에너지 준위의 위치가 조절되므로, 기본적인 물성을 탐구하는 물리적인 관점에서 뿐만이 아니라 실용적인 관점에서도 이를 이용한 전자, 광전자 및 광소자에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 반도체 양자점은 여러 가지 다양한 방법으로 제작되고 있는데 대표적으로 유리 안에 반도체 미세구조를 첨가하는 방법, Stranski-Krastanow 생장에 의한 자발 형성 방법, 리소그래피에 의한 식각 방법, 그리고 화학반응에 의해 콜로이드 상태로 제작하는 방법 등이 있다. (중략)
The objective of this study is to investigate the combustion characteristics of dual type of sintering burner as a function of design parameters using lab-scale sintering burner through experimental and numerical approaches. Combustion characteristics were evaluated by the radical method. The numerical model was verified as a temperature using R type of thermocouple at the bed surface. The effect of nozzle distance and angle were performed through the CFD analysis, and the comparison of burner types. As a results, dual type burner has more wider and uniform flame distribution than single type burner. Asymmetry and 45 degree angle condition have been suggested as an optimal condition for the ignition of the sintering bed surface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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