• 한국응용과학기술학회지
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• 제34권4호
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• pp.1017-1024
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• 2017

HiPIMS(High Power Impulse Magnetron Sputtering)를 이용하여 탄소 박막을 증착하였다. 파워, 압력, 바이어스 전압, duty cycle에 따른 탄소 박막의 특성과 미세조직을 조사하였다. HiPIMS 파워가 증가할수록 증착 두께는 증가하였으며 표면이 거칠어지는 경향을 보였다. 압력의 증가 또한 표면이 거칠어지는 경향을 보였으나 증착 두께는 압력에 비례하지 않았다. 바이어스 전압이 증가함에 따라 조도가 나빠졌고 증착 두께는 증가하다가 임계 바이어스 전압부터는 감소하는 경향을 보였다. 듀티 사이클의 변화는 아크 발생과 같은 문제를 유발했으며 이는 챔버 구조나 타겟의 크기 등에 영향을 받는다. XPS로 $sp^2/sp^3$ 분율을 확인하였으며 $sp^2/sp^3$ 분율이 DC 스퍼터링의 경우보다 HiPIMS의 경우가 더 큰 것을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1764-1765
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• 2011

피에조 액추에이터는 세라믹 소재의 압전 특성을 이용한 전기식 액추에이터로, 이에 사용되어지는 세라믹스는 전자분야의 기초재료로 다양한 연구가 이루어지고 있다. 통신기기, 의료기기, 초정밀 액추에이터, 초음파 모터 등 각종 정밀 센서와 측정 계측기기와 같이 가정용에서부터 첨단 기술 분야 까지 광범위하게 이루어지고 있다. 이와 같이 첨단 기술 분야에 각광 받고 있는 압전 소재 제품중, 본 논문에서는 국내 개발 및 시장 진입이 어려운 초정밀 액추에이터를 선택 하였으며, 전압 이송소자를 활용하기 위한 연구소단위의 연구내용을 기술하였다. 즉, 정밀 제어에 영향을 미치는 피에조의 히스테리시스를 포함한 개루프 특성을 모델링하고, 컴퓨터 시뮬레이션으로 액추에이터의 동작을 검증한 후 PID제어기를 적용하여, 이에 따른 결과와 함께 제어기를 제작하였다.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.121-124
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• 2009

전 세계적인 에너지 절약 정책에 대응하여 새로운 고효율 LED 및 드라이버 IC의 출시가 활발하다. 단색 또는 칼라 LED를 사용하여 경관조명, 무대조명, 음악분수 등에 많이 활용되는데 다양한 전압 및 LED 구동 방식 등에 따라 LED의 수명과 비용이 달라질 수 있다. 또한 LED의 밝기 및 색상 등을 조절하여 멋진 연출을 위해 마이크로컨트롤러의 사용이 필수적이고, 다수의 장치를 함께 연동하는 경우에는 이들을 통신으로 연결하여 사용하는데, 본 논문에서 조명 장치에 표준으로 많이 사용하는 DMX512 통신 프로토콜, 몇 가지 정전류 구동 방식에 대해서 살펴보고, 저가격의 마이크로컨트롤러를 사용하여 DMX512 수신 장치를 구현해 보았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.39-40
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• 2007

대용량 고온 초전도 변압기에 적용하기 위한 1,500 A 급 초전도 병렬 선재를 제작하여 특성시험을 하였다. 병렬 선재는 21가닥의 BSCCO 선재를 250 mm 간격으로 전위한 뢰벨(Roebel)바 형태로 제작하였다. 특성시험을 통해 병렬 선재 제작기술을 확보하였다. 24 가닥의 병렬 선재를 이용하여 전압 분배나 절연 특성이 좋아 고전압 변압기에 채택할 수 있는 1,000 A급 연속 디스크 권선을 제작하였다. 전위를 고려하여 만든 병렬 선재로 제작한 1,000 A급 연속 디스크 권선의 임계전류와 교류손실을 측정하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1124-1125
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• 2015

밴드-갭이 큰 반도체는 실리콘에 비하여 다양한 전기 물성 장점을 가져 고주파수 증폭 소자나 차세대 전력 반도체 소자로 각광을 받고 있다. 다양한 와이드 밴드-갭 반도체 중 AlGaN/GaN 이종접합 반도체는 채널의 높은 전도성과 높은 임계 전계로 인하여 우수한 전기적 특성을 가진다. 최근 발전된 수치해석 시뮬레이션을 이용하여 AlGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (high-electron-mobility transistor, HEMT)의 설계연구를 진행하였다. AlGaN 장벽층의 두께가 증가할수록 채널의 전자 면 농도가 증가하도록 설계하였다. 또한 게이트 필드 플레이트 설계를 통하여 AlGaN/GaN HEMT의 역방향 전계 피크를 1개에서 2개로 증가시켜 항복전압을 368 V에서 최대 822 V로 개선하였다. 수렴문제를 개선한 수치해석 시뮬레이션은 RF power AlGaN/GaN HEMT의 설계에 유용하다.

• 한국항행학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.256-263
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• 2011

뉴런의 신경임펄스는 뉴런이나 축삭 자신의 자극에 의하여 유도되며, 이 자극전압이 임계치 이하이면 뉴런의 전도거리와 전도시간에 따라 지수함수적으로 감쇠된다. 이러한 현상은 전기회로에서의 전도현상과 매우 유사한 형태이므로 전기적인 등가회로를 이용하여 해석할 수 있다. 따라서 본 논문에서는 뉴런의 전기적인 각종 파라미터를 구한 후 전기회로의 분포정수회로 이론을 적용하여 자극전도 현상을 해석하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제5권3호
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• pp.278-283
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• 1992

123 초전도체에 마그네틱 모멘트가 큰 Ni불순물을 도핑하여 제작한 $Y_{1}$ Ba(C $u_{2.9}$ $N_{0.1}$) $O_{7-{\delta}}$ 초전도체의 X-ray diffraction pattern, susceptibility, 온도변화등에 따른 전류-전압관계, 임계온도 등에 대하여 연구하였다. 제작된 시료는 매우 뚜렷한 orthorhombic 피크를 가진 123상을 나타내고 있었다. N=0.1의 시료에서는 적은 양의 Ni 불순물과 단면적인 무정형상태의 잘 반응된 YBa(Cu, Ni)$_{3}$ $O_{7-{\delta}}$의 orthorhombic구조를 나타내고 있다. 전반적인 실험 결과로 부터 Ni는 Y-Ba-Cu-O 초전도 시스템에서 초전도에 중요한 역할을 담당하지 않는다는 결론을 얻었다.얻었다.다.

• 전기의세계
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• 제29권6호
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• pp.344-348
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• 1980

$SF_{6}$가스의 절연파괴특성 및 화학적특성에 관한 것을 종합해보면, 첫째, $SF_{6}$의 방전은 1개의 전자 avalanche중의 전자수가 임계치 Norit가 $10^{8}$정도에서 streamer에의 전이가 일어나므로서 이루어지며, 둘째, $SF_{6}$의 (.alpha.-.eta.)/.rho.와 E/.rho.의 관계는 .alpha.=.eta.근방에서 직선으로 상승되어 절연파괴에 극히 중요한 뜻을 가지며, 셋째, 두번째의 .alpha.=.eta.에 있어서의 구배는 보통의 기체보다 수 10배크기 때문에 최대전계를 부여하는 전극근방만이 공극의 방전개시를 지배하며, 넷째, 전기기구에 있어서 $SF_{6}$가스의 화학적변화의 energy원으로서는 arc, corona, 열을 들 수 있으며 특히 $SF_{6}$가스중과 공기중과의 내 Corona성을 구하기 위한 인가전압일내 Corona수명시간은 $SF_{6}$가스중이 공기중보다 길다는 것이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.134-136
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• 1993

This paper presents a novel and efficient method to calculate the critical point of voltage collapse. Conjugate gradient and modified Newton-Raphson methods are employed to calculate two pairs of multiple load flow solutions for two operating conditions, i.e., both +mode and -mode voltages for two loading conditions respectively. Then these four voltage magnitude-load data sets of the bus which is most susceptible to voltage collapse, are fitted to third order polynomial using Lagrangian interpolation in order to represent approximate nose curve (P-V curve). This nose curve locates first estimate of the critical point of voltage collapse. The procedure described above is repeated near the critical point and the new estimate will be very close to the critical point. The proposed method is tested for the eleven bus Klos-Kerner system, with good accuracy and fast computation time.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제3권4호
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• pp.76-82
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• 2010

기지국 섹터 배열안테나의 하향 빔틸트 각도를 조절하기 위해 전압제어 이상기를 사용하였다. 틸트 각도에 따른 각 안테나의 위상각을 도출하였으며 이때 생성되는 패턴의 수직과 수평 방향 성능을 분석 평가하였다. 이러한 분석을 통해 이동통신 기지국안테나의 셀커버리지 확보와 통화율 증대, 간섭 저감을 이룰 수 있어 최적의 기지국안테나 설계에 적용 가능할 것이다.