4',5'-디히드로소랄렌(DHP)을 합성하여 상온 및 77K에서 이 화합물의 형광 양자수율은 0.08, 인광양자수율은 0.013, 형광수명은 0.95ns, 인광수명은 0.039s 임을 알았다. 이 결과로부터 형광수명은 5,7-디메톡시쿠마린보다 작은반면 소랄렌보다 크고 반면 인광수명은 DMC 보다 크고 소랄렌보다 작음을 알았다. 소랄렌 유도체들의 광독성을 분자적 차원에서 규명하고 DNA에의 광부가 반응을 알아내기 위하여 DHP와 TME의 광부가 반응을 연구하였다. 주 생성물은 TLC로 분석하고 Preparative TLC와 용매추출로 분리해냈다. 분리된 생성물의 구조는 질량분석기, UV, IR, NMR 그리고 원소분석결과에 의해 DHP와 TME외 광고리화첨가반응에 의한 생성물 임을 알았다. DHP는 형광의 자체소광 효과를 볼 수 없으며 TME, 에틸푸마레이트, 푸마로니트릴에 의해 형광이 효과적으로 소광된다. 광부가 반응의 양자수율과 소광실험에서 DHP의 광첨가반응은 단일상태와 삼중상태에서 다 일어나는 것으로 추측된다.
유기발광다이오드(organic light emitting diodes, OLEDs)는 높은 효율, 안정성, 신물질 개발과 같은 연구들을 바탕으로 차세대 디스플레이 및 조명으로써의 높은 기술력과 학문적 발전을 달성하였다. 본 논문에서는 hexaazatrinaphthylene (HAT) 유도체들을 OLEDs 소자의 정공주입층으로 사용하여 제작된 고효율의 녹색 인광 OLEDs 소자의 특성을 연구하였다. Indium Tin Oxide (ITO)전극과 정공수송층 사이에 삽입된 박막의 HAT 유도체층은 $1,000cd/m^2$의 구동 조건에서 OLEDs 소자의 외부양자효율을 기존의 8.8%에서 13.6%로, 전류효율을 30.8 cd/A에서 47.7 cd/A로 각각 향상시켰다. 삽입된 HAT 유도체층은 발광층 내부에서 최적화된 전자-정공의 균형을 이루게 하여 소자의 효율 향상에 기여하였다.
유기전기발광소자(Organic light diodes, OLEDs)의 전기발광특성을 향상시키기 위해, 본 논문에서는 용액 공정 정공주입층으로 신규 hexaazatrinaphthylene(HATNA) 유도체들을 도입한 고효율 녹색인광 OLED소자의 특성을 연구하였다. HATNA 유도체는 Indium Tin Oxide(ITO)의 일함수와 비슷한 낮은 the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) 에너지 준위를 가져 다른 개념의 정공주입 메커니즘을 보여주었다. HATNA 유도체를 hole injection layer(HIL)로 사용한 OLED소자들은 HTL로의 정공주입장벽을 효과적으로 감소시키고 발광층 내에 전자와 정공의 균형을 최적화 시켜 외부양자효율이 10.8%에서 15.6%로, 전류 효율은 34.3 cd/A에서 42.7 cd/A로 소자 효율이 크게 향상 되었다.
본 논문에서는 반응속도론적 인광 분석기(Kinetic Phosphorescence Analyzer, KPA)를 이 용하여 환경 시료 중의 우라늄 동위원소 분석에 대한 연구를 기술하였다. 극초단파 산분해 기술을 이용하여 토양 및 유리 재질 시료로부터 우라늄 성분을 추출한 후, UTEVA 수지를 통해서 우라늄 동위원소를 순수하게 분리하였고 KPA로 우라늄 농도를 정량하였다. 우라늄 표준용액을 사용하여 KPA를 이용한 우라늄 측정법에 대한 선형성 및 재현성 실험을 수행하였다. 우라늄 표준용액, 지하수 및 인증 표준시료에 대해 KPA를 사용하여 우라늄 농도를 측정하여 KPA를 이용한 우라늄 분석법에 대한 신뢰도를 검증하였다.
전색 디스플레이의 배경조명과 일반조명으로 응용 가능한 백색 유기발광소자를 제작하기 위해서는 삼원색을 혼합하는 방법과 단색광원의 색변환을 이용하는 방법등이 제안되었다. 삼원색을 혼합하는 방법의 연구가 접근방법 및 효율개선이 용이하기 때문에 많은 연구가 진행되어왔다. 그러나 색변환 방법을 사용하는 구조는 삼원색을 혼합하는 방법에 비해 공정이 단순하며 공정 가격이 낮아지고 안정적인 구조라는 장점이 있기에, 본 연구에서는 무기물 형광체를 청색유기발광 소자에 결합하여 제작된 백색 유기발광소자의 전기적 성질과 광학적 성질을 규명하는 연구를 진행하였다. 본 연구에서는 나노크기의 균일한 형광체를 제작 할 수 있는 졸겔 방법으로 적색 형광체를 제작하였다. 졸겔 방법으로 제작된 형광체에 대한 주사현미경 측정 결과 입자의 표면이 고르며 크기가 작고 균일 하였고, 높은 온도 열처리에 따라서 용매제가 대부분 제거되었기 때문에 형광체 발광 특성이 잘 일어났음을 확인 할 수 있었다. 제작된 형광체의 광학적 성질을 조사하기 위해 형광 루미네센스 측정을 하여 발광특성을 분석하였으며 실제 청색 유기발광소자에 적용하기 위해 tris((3,5-difluoro-4-cyanophenyl)pyridine)iridium (FCNIr)-doped 3,5-bis (N-carbazolyl) benzene (mCP)를 발광층으로 사용하는 진청색의 인광 유기발광소자 배면에 무기물 형광체를 결합하여 인가한 전압에 따른 전계발광분광특성의 변화를 조사하였다. 유기발광소자와 결합된 적색 무기물 형광체는 진청색 인광 유기발광소자에서 발광된 청색빛의 일부를 흡수하여 적색으로 색변환을 하였고 이는 무기물 형광체내에 첨가된 Mn 원자에 의해 색변환이 이루어졌음을 확인하였다. 무기물 형광체를 사용한 백색 유기발광소자의 색변환 메카니즘 및 효율 증진에 대한 연구는 고효율 유기발광소자 제작을 가능하게 할 것이다.
We have studied the effect of the hole transporting layers on the device efficiencies blue phosphorescent organic light emitting diodes (PHOLED) with of iridiumIIIbis4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2picolinate (FIrpic) doped 3,5--N,N-dicarbazole-benzene (mCP) host. The highest efficiency of blue PHOLED is strongy dependent on the hole transporting materials, exhibiting the maximum current efficiency.
In this study, we have invastigated the recombination zone in the blue phosphorescent organic light-emitting devices with various partially doped structures. The basic device structure of the blue PHOLED was anode / hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL) / emittingvastigated the recombination zone in the blue layer (EML) / hole blocking layer (HBL) / electron transport layer (ETL) / electron injection layer (EIL) / cathode. After the preparation of the blue PHOLED, the current density (J) - voltage (V) - luminance (L) and current efficiency characteristics were measured.
We have developed red phosphorescent top emission organic light-emitting diodes with transparent metal cathodes deposited by using thermal evaporation technique. Phosphorescent guest molecule, BtpIr(acac), was doped in host CBP for the red phosphorescent emission, Ca/Ag, Ba/Ag, and Mg/Ag double layers were used as cathode materials of top emission devices, which were composed of glass/Ni/2TNATA(15 nm)/${\alpha}$-NPD(35 nm)/CBP:BtpIr(acac)(40 nm, 10%)/BCP(5 nm)/$Alq_3$(5 nm)/cathodes. The optical transparencies of these metal cathodes strongly depend on underlying Ca, Ba, and Mg layers. These layers also strongly affect the electrical conduction and emission properties of the red phosphorescent top emission devices.
In this paper, We have studied Electron Transport Layer(ETL) in the New Organics applied to Red phosphorescent organic light-emitting devices. The structure of ITO/2-TNATA(15nm)/CBP;$Ir(piq)_3$/DPVBi(30nm)/New ETL(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm) has been used, measured changing doping concentration of EML. The results of OLED turn-on voltage at 2.2V, and Maximum Luminance at 2.8V was $1000cd/m^2$. This high luminance at low voltage results from a high electron. conduction of the new electron transport layer.
The organic light-emitting devices (OLEDs) based on fluorescence have low efficiencies due to the requirement of spin-symmetry conservation. By using the phosphorescent material, the internal quantum efficiency can reach 100 %, compared to 25 % in the case of the fluorescent material. Thus, the phosphorescent OLEDs have recently been extensively studied and showed higher internal quantum efficiencies then the conventional OLEDs. In this study, we investigated the characteristics of the phosphorescent OLEDs, with the green emitting phosphor, Ir(ppy)$_3$ (tris(2-phenylpyridine)iridium). The devices with a structure of ITO/TPD/Ir(PPy)$_3$ doped in the host material/BCP/Alq$_3$/Li:Al/Al were fabricated, and its electrical and optical characteristics were studied. By changing the doping concentration of Ir(PPy)$_3$ and the host materials, we fabricated several devices and investigated the device characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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