• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.350-350
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• 2012

본 연구에서는 Oxide 두께가 각각 4, 6 nm인 Symmetric NMOSFET의 전기적 특성 분석에 관한 연구를 진행하였다. 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), Threshold Voltage(VT) 및 드레인 전압에 따른 Off-states 특성 변화를 분석하였다. 소자 측정 결과 oxide 두께가 4 nm인 경우 Vt는 0.3 V, IDSAT은 73 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로, oxide 두께가 6 nm인 경우 Vt는 0.65 V, IDSAT은 66 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로 각각 측정되었다. 이는 oxide 두께가 얇은 경우 게이트 전압 인가 시 Electric field 증가에 따른 것으로 판단된다. 또한 드레인 전압 인가에 따른 소자 특성 분석 결과 oxide 두께가 4nm인 경우 급격한 Gate leakage 증가를 보였으며, 이에 따라 Off-state에서의 leakage current가 증가함을 확인하였다. 본 연구는 Oxide 두께에 따른 MOSFET 소자의 전기적 특성 분석을 위해 진행되었으며, 상기 결과와 같이 oxide 두께 가변은 Idsat, Vt, leakage current 등의 주요 파라미터에 영향을 주어 NMOSFET 소자의 전기적 특성을 변화시킴을 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2010.07a
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• pp.41-42
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• 2010

본 논문에서는 대면적 플라즈마 사인 보드 제어를 위한 저소비 전력용 인버터를 개발하였다. 이 인버터는 215*86mm 사이즈로 인가전압 220V, 출력전압 1200V, 스위칭 주파수 20KHz, 소비전력 50W 급인 인버터를 역률개선회로 PFC(Power Factor Correction)를 적용하여 리플을 줄이고 안정적인 전압 공급, 전체 전류 정격감소, 회생전압 상승분 억제, 유니버설 입력범위에서 동작 가능하게 만들었다. 고전압트랜스를 4개를 집적화 하였으며 전력 소비 전류가 감소되면서 온도가 상승되는 것을 막을 수 있었고 전자파도 줄일 수 있음을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.191.1-191.1
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• 2016

본 연구에서는 알루미늄 합금의 PEO(Plasma Electrolytic Oxidation) 피막 형성 거동을 PEO 처리 용액 조성, 온도 및 합금 성분에 따른 전압-시간 곡선을 관찰하여 분석하였다. 알루미늄 합금의 PEO 피막 형성거동은 NaOH 농도, 전해질 온도, 인가 전류밀도 및 합금성분에 따라 다양하게 나타났다. 본 연구에서는 직류 정전류법을 이용하여 Al1050, Al5052, Al6061 합금 표면에 PEO 피막을 형성시켰으며, PEO 피막의 형성이 시작되는 전압 및 발생된 아크의 크기 및 모양을 관찰하여 PEO 피막 형성 거동을 연구하였다. 연구결과 PEO 처리 중의 전해액의 온도가 낮고 전류밀도가 높을수록 시편 표면에서 짧은 시간 내에 아크가 발생하였으며, 전압-시간 곡선은 빠른 속도로 PEO 피막생성 전압에 도달하여 유지되는 거동을 보였다. 동일한 용액조성, 용액온도, 용액 교반속도 및 인가전류밀도에서 관찰된 PEO 피막 형성 거동은 동일시편을 PEO코팅 후 에칭하여 반복 실험할 경우에도 큰 편차를 보였으며, 이로부터 시편의 조성이나 불순물의 존재 등이 크게 영향을 주는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.293-295
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• 2005

산업현장에서 많이 사용되고 있는 전력기기의 이상 발생에는 여러 가지 원인이 있을 수 있다. 어떤 경우든 사고로 진전되면 경제적, 인적 손실이 발생된다. 본 논문은 GIS 및 많은 전력기기에서 사용되고 있는 절연매체인 $SF_6$의 인가되는 전압의 종류에 따라 저온에서의 절연파괴 특성을 알아보기 위해 모의 GIS 장치에 교류 전압 및 부극성 직류 전압 등 전원의 종류를 달리 하면서 각각의 전원 종류에 대한 $SF_6$가스의 절연파괴 전압을 측정하였다. 본 연구 결과는 SF6가스를 절연매체로 이용하는 전력기기를 혹한지역의 전력계통에서 사용할 때 전원의 종류에 따른 절연설계에 중요한 자료가 될 것으로 사료된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.11a
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• pp.144-145
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• 2007

본 논문은 LabVIEW를 이용하여 온도측정과 amperometry 측정을 동시에 하며, amperometry 측정오차와 구동전압의 세팅 시간을 줄일 수 있는 시스템을 설계한 내용을 담고 있다. Amperometry는 구동전압을 인가하여, 전류를 측정하는 방법인데, 정확한 측정을 위해서는 구동전압을 균일하게 인가해야 한다. 또한 바이오 분야에서의 amperometry 측정은 온도에 따라 측정 결과가 다르게 나타날 수 있기 때문에 온도의 측정과 amperometry 측정이 동시에 이루어져야 측정오차를 줄일 수 있다. 본 논문에서는 이상(異常) 구동전압의 배제 알고리즘을 통하여 전류측정의 오차를 ${\pm}$70pA에서 ${\pm}$50pA이내로 줄였으며, proportional control을 응용한 알고리즘을 사용하여 307초의 측정시간을 105초로 단축하였다. 또한 amperometry 측정 과정에서 온도를 실시간으로 측정함으로써 측정상태를 보다 정확히 파악하는 시스템을 구성하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.71-71
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• 2015

TiN 박막의 미세구조를 공정 변수인 기판 전압, 기판과 타겟의 각도 등을 이용하여 변화시켜 박막의 물리적 특성을 평가하였다. TiN 박막은 음극 아크 증착법을 이용하여 기판에 코팅하였다. TiN 박막은 기판과 타겟의 각도를 제어하면 기판에 수직한 주상과 일정한 각도를 갖는 주상으로 성장하는 것을 확인하였다. 기판과 타겟의 각도를 일정하게 유지한 경우에도 기판에 전압을 인가하면 TiN 박막의 주상이 기판과 수직하게 성장하는 것을 확인하였다. 기판과 타겟의 각도와 기판 전압을 활용하면 TiN 박막의 미세구조를 다양하게 변화시킬 수 있었다. TiN 박막의 미세구조 변화는 물리적 특성 변화에 영향을 준 것으로 판단되며 기판 전압과 각도를 인가하지 않은 TiN 박막보다 미세구조가 변화한 박막이 높은 경도를 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.157.1-157.1
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• 2013

외부 Ballast Capacitor를 이용한 Voltage Doubler 전원장치를 이용하여 Micro size의 대기압 플라즈마를 발생장치를 개발하였다. 2개의 외부 Capacitor를 병렬로 연결하여 충전한 다음 외부 Capacitor를 직렬로 연결하여 전압을 2배압 시킨 상태에서 방전이 일어나도록 하였다. Capacitor의 충 방전 제어는 Switch Device인 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)를 사용하였다. 개발된 대기압 플라즈마는 외부 Capacitor와 인가전압을 독립적으로 변화시킬 수 있기 때문에 방전 시 전류 전압을 독립적으로 제어할 수 있으며 용도에 따라 Glow 방전에서 Arc 방전까지 제어가 가능하다. 본 연구에서는 900 V의 1.22 nF 외부 Capacitor 방전과 400 V의 10 nF 외부 Capacitor 방전을 비교하였다. 방전 시 전압파형과 전류파형은 서로 다르지만 소비된 방전에너지는 340 ${\mu}J$로 동일하다. ICCD camera와 Spectrometer를 이용하여 비교 분석을 실시하였다. 방전 image 및 Optical Emission Spectroscopy 분석을 이용하여 플라즈마의 온도, 밀도 등을 시간적, 공간적으로 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.240-243
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• 2004

Bias인가된 Hot filament CVD방법을 이용해 Ni을 RF sputtering법으로 고속도강에 피복하여 중간층으로 한후 다이아몬드 박막을 피복할 때 기판온도. Bias인가효과 및 계면층의 특성을 조사하였다. 증착시 Bias인가 할 경우 필라멘트에서 전자방출이 촉진되어 다이아몬드 핵생성과 성장을 촉진하였으며 본 실험에서 최적조건은 증착압력 20~40 torr, Bias인가전압 200V, 기판온도 $700^{\circ}C$로 나타났으며 강에의 다이아몬드 박막 형성시 Ni은 중간층으로써 적합한 원소로 나타났다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.05a
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• pp.102-103
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• 1994

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1406-1407
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• 2007

본 논문에서 제안한 ac-PDP(Plasma display panel) 셀구조는 Long gap의 전극 사이에 보조 전극을 삽입한 구조이다. 일반적으로, long gap 구조를 가진 PDP cell은 높은 방전 개시 전압을 가지므로, Long gap 전극 사이에 보조전극을 삽입하여 방전 개시 전압을 낮춤과 동시에 휘도 상승, 소비 전력의 감소효과로 발광효율의 향상을 가져왔다. 제안한 구조의 구동을 위하여 asymmetric mode와 long gap mode라는 2가지 파형을 가지고 실험하였다. 두 파형은 공통적으로 기존의 ADS(Address and Display period Separated)파형을 Y(Scan), Z(Common), A(Address) 전극에 인가하였으며, 보조적극에는 Z(Common) 전극의 파형을 수정한 형태로 인가하였다. Asymmetric mode는 보조전극에 Z(Common) 전극에 인가되는 파형과 같은 형태의 파형을 인가하여 Long gap의 구조를 가지지만 Short gap에서 방전이 가능하도록 설계하였고, long gap mode는 보조전극에 인가되는 Z(Common) 파형 중 sustain pulse를 초기 3개만을 주어 Short gap에서 방전을 개시함과 동시에 priming 입자를 생성하고, 나머지 sustain 구간에서는 floating시켜 이미 생성된 priming 입자를 long gap에서 구동을 가능하도록 하였다.