• 과학과기술
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• 제19권6호통권205호
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• pp.54-55
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• 1986

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.451-462
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• 2014

본 연구에서는 지방부 간선 또는 지선 축에서 효과적으로 사용 가능한 연동형 반감응 신호제어 알고리즘을 개발하고 이를 평가하였다. 연동형 반감응 신호제어에 대한 모의실험 결과를 살펴보면, 주 부 도로의 교통량 차이가 커질수록 연동형 반감응 신호제어의 지체가 최적화된 고정식 신호제어에 비해 감소하는 것을 확인하였다. 그러나 주부도로의 교통량이 같거나 전체 교통량이 많아지면 최적화된 고정식 신호제어의 지체가 더 낮게 나타났으며, 횡단 보행량이 많아질수록 차량 지체가 증가하는 것으로 확인되었다. 따라서 연동형 반감응 신호제어는 차량 교통량이 일정수준 이하인 곳에 적용하되, 횡단 보행량을 고려하여 적용지역을 선별해야 할 것이다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2006년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.77-77
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• 2006

• 헤리티지:역사와 과학
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• 제51권4호
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• pp.4-23
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• 2018

서병오(徐丙五, 1862-1936)는 서구적 '미술' 개념의 도입으로 일본화 내지 서양화로 기울던 일제강점기 시서화일치의 대구 문인화단이 형성되는데 중추적인 역할을 하였다. 그는 1879년 이하응(李昰應, 1820-1898)과의 만남을 계기로 서화계에 입문하였으나, 문인화가로 본격적인 활동을 시작한 것은 1910년 경술국치 이후부터이다. 그의 예술세계는 세 시기로 구분되며, 학습기인 1879년부터 1897년까지는 관직 진출을 목표로 하였던 때문인지 중국 화보를 임모하거나 이하응의 영향 아래 사군자화를 여가에 그리는 정도였다. 발전기는 1898년부터 1920년까지로 그는 애국계몽운동 등 사회적 지도자로 활동하다 1910년 경술국치 이후 삶의 방향을 문인화가로 전환하였다. 그리고 두 번째 중국 여행에서 다시 만난 민영익(閔泳翊, 1860-1914)의 운미란과 포화(蒲華, 1830-1911)의 묵죽법을 근간으로 새로운 화풍을 적극 모색함과 동시에 산수, 화훼, 기명절지 등의 화목도 다루었다. 완숙기인 1921년부터 1936년까지는 대구와 한양을 오가며 근대 한국 화단의 서화가로 왕성하게 활동하였으며, 묵란과 묵죽에서 윤묵의 호방한 필법을 특징으로 하는 개성적 화풍을 완성하였다. 특히 학습기의 경우 관련 기록이나 현전작품이 드물어 서병오의 창작활동이나 화풍 등에 관한 것은 추론의 수준을 벗어나지 못하고 있다. 이와 관련해 본고에서 집중적으로 분석한 서병오의 1889년작 난석죽도 11점은 학습기의 화풍 연원이나 수준을 가늠할 수 있는 중요한 단서라는 점에서 주목된다. 1889년작 난죽석도 가운데 묵란도는, 이하응이 1882년 7월 청군에 의해 체포되기 이전에 그린 초기 군란도와 석란도에서 영향 받았다는 사실을 확인하였다. 묵죽도는 한양에 널리 알려진 양주화파 정섭(鄭燮, 1693-1765)과 김정희의 제자 허련(許鍊, 1809-1892)의 화법을 수용했을 뿐만 아니라 이하응의 석란도 형식을 응용하여 변화를 시도했던 것으로 보인다. 괴석도의 경우 직접적인 관련성은 찾지 못하였으나, 19세기 후반 청나라의 괴석화가 주당(周棠, 1806-1876)과 여항화가 정학교(丁學敎, 1832-1914) 등에게 영향을 받았던 것으로 판단된다. 결론적으로 서병오의 1889년작 난죽석도는 학습기에 그려진 것으로 운현궁을 찾았던 허련과 정학교 같은 동시기 화가들이나, 한양에 작품이 유입되었던 정섭과 주당 등의 중국 작품을 실견하며 이들의 화풍을 수용하였다는 사실을 알려준다.

• 초등상담연구
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• 제8권1호
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• pp.109-122
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• 2009

본 연구에서는 초등학교 부적응 아동에게 미술상담 프로그램을 실시하여 자아존중감 및 사회성 발달을 도와줌으로써 부적응 아동의 학교생활 적응을 돕고자 하였다. 이러한 연구 목적을 달성하기 위하여 연구자가 담임을 맡고 있는 대전광역시 Y초등학교 6학년 중 학교생활적응 검사를 실시하여 총점이 100점 이하인 아동 중 최하점수인 아동 4명을 부적응 아동으로 선별하였다. 본 연구에서 실시한 미술상담 프로그램은 선행연구를 토대로 연구의 목적에 맞도록 연구자가 재구성한 것을 사용하였고, 2008년 9월 2일부터 10월 16일까지 주 2회(회기당 60분)씩 총 12회기로 실시하였으며, Y초등학교 6학년 1반 교실에서 방과후 시간을 이용하여 본 연구자가 직접 진행하였다. 연구 결과를 분석하기 위하여 첫째, 부적응 아동의 부적응 행동을 변화를 양적으로 비교하기 위하여 '학교생활 적응 검사'를 사전 ·사후 실시하여 그 결과를 비교.분석하였다. 둘째, 자아존중감 및 사회성 발달의 변화를 확인하기 위하여 사전 사후 검사를 실시하여 그 결과를 비교.분석하였다. 셋째, 부적응 아동의 심리 상태 변화를 분석하기 위하여 투사검사(KSD) 를 프로그램 실시 전과 후에 실시하여 그림 내각을 비교.분석하였다. 넷째, 매 회기마다 각 아동의 행동특성을 기술하는 질적 분석을 통하여 부적응 아동이 미술상담 프로그램 실시 전과 후에 어떠한 변화를 보였는지 비교하였다. 본 연구의 결과 미술상담 프로그램은 부적응 아동의 적응 행동을 감소시켰으며, 미술상담 프로그램은 부적응 아동의 자아존중감 및 사회성 발달에 효과가 있으며, 부적응 아동으로 하여 금 심리적으로 긍정적인 변화를 유도한다. 이상과 같은 결론을 종합해 볼 때 미술상담 프로그램은 부적응 아동의 자아존중감 및 사회성 발달을 도와주어 학교생활적응에 긍정적인 영향을 미쳤음을 알 수 있으므로 초등학교 교육현장에서 부적응 아동의 학교생활 적응에 효과적이라 생각된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.151-152
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• 2007

최근들어 Device 크기가 100nm 이하로 줄어듦에 따라 High Density Plasma Chemical Vapor Deposition(HDP-CVD) 기술로는 100nm 이하의 gap에 Aspect ratio가 6:1 이상 되는 STI(Shallow Trench Isolation) 구조를 Void 없이 채우는 것이 불가능해 지고 있다. 이를 극복하기 위하여 여러 방면으로 연구가 수행되어지고 있다. 그 방법 중의 하나인 Dep/Etch/Dep Cycle이 이번 연구에서 사용되었으며, 일반적인 HDP CVD보다 더 낮은 압력에서 증착과 식각이 수행되었다. 그 결과 다른 여러 방법들보다 좋은 막질을 얻을 수 있었으며, Gap fill 성능을 향상 시킬 수 있었다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2006년도 SMT/PCB 기술세미나
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• pp.1-14
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• 2006

[ $\blacklozenge$ ] PCB에 있어서 Embedded passive 는chip을 직접 내장하는 방법과 특별한 특성을 갖는 재료 및 공법을 사용하여 chip 응 대치하는 방법이 있다. $\blacklozenge$ Embedded passive PCB가 적용될 수 있는 유력한 적용 분야는 소형화가가 요구되는 분야와 고속 특성이 요구되는 분야를 들 수 있고, 따라서, Module, SOP/SIP, Package substrate 등이 우선적으로 적용될 수 있는 분야다. $\blacklozenge$ Embedded capacitor를 적용한 경우, 일반적인 chip capacitor를 적용한 경우보다 더 좋은 전기적인 특성(SRF, Q)을 얻을 수 있으며, solder joint 등의 영향을 포함하면 더욱 좋은 특성이 얻어질 수 있다. $\blacklozenge$ Embedded passive 의 상용화를 위해서, 공차를 관리하는 방법의 개발과 공차에 대한 합리적인 규격을 설정하는 것이 우선 과제이다. $\blacklozenge$ Embedded resistor 의 경우, Laser trim을 적용하여 ${\pm}\;5\%$ 또는 그 이하의 공차를 실현할 수 있고, $30\;K\Omega/sq$. 의 고저항의 적용까지 가능하다. $\blacklozenge$ 고속 신호에서의 noise 감소, module, SIP/SOP 의 소형화를 실현하는데 Embedded passive(혹은 active)PCB 가 기여 할 수 있을 것이고, 이를 위하여 Set 업체, PCB 업체, 재료 업체간의 지속적인 협조가 필요할 것이다.

• 에너지공학
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• 제12권2호
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• pp.145-153
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• 2003

석탄이용 무공해 발전공정의 핵심기술인 탄화공정을 개발하기 위하여, 본 공정의 주반응인 메탄 수증기 개질에 대한 특성을 조사하였다. 개질촉매를 이용한 메탄수증기 개질에서는 공간속도, 수증기/탄소-비, 압력에 대한 영향을 조사하였다. 공간속도 7,000$hr^{-1}$ 이하에서 평형 전화율을 얻었다. 혼성반응으로 구성된 탄화공정 중 메탄 수증기 개질 반응조건인 700~80$0^{\circ}C$, 수증기/탄소-비 2.5~3에서 생성물 조성분포는 상압에서 수소 75~78%, 이산화탄소 8~10%, 1~30기압에서 수소 60~78%, 이산화탄소 9~11%를 얻었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.100-100
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• 1999

가시광선 영역에서 높은 광학적 투과성과 함께 우수한 전기 전도성을 갖는 ITO 박막은 디스플레이 소자나 투명전극재료 등 다양한 분야에서 응용성이 더욱 증대되고 있다. 증착기판으로서 유리를 사용할 때 생기는 활용범위 제한을 극복하고자 최근 유기물 위에 증착이 가능한 저온 증착방법에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 그 가운데 이온빔과 같은 energetic한 beam을 이용한 박막의 제조는 기판을 플라즈마 발생지역으로부터 분리시켜 이온빔의 flux 및 에너지, 입사각 등의 자유로운 조절을 통해 상온에서도 우수한 성질의 박막 형성 가능성이 제시되어 왔다. 본 연구에서는 ion beam assisted evaporation방법을 이용하여 ITO 박막을 성장시켰으며, ion-surface interaction 효과가 박막 성장주에 미치는 영향을 이해하기 위하여 먼저 반응성 산소 이온빔에 비 반응성 아르곤 이온빔을 다양하게 변화시켜가며 증착하였으며, 이와 더불어 산소 분위기에서 아르곤 이온빔에 의한 ITO 박막의 특성 변화를 각각 관찰하였다. 증착전 후의 열처리 없이 상온에서 비저항이 ~10-4$\Omega$cm 이하로 낮고 80% 이상의 투과율을 갖는 ITO 박막을 성장시켰다. 실험에서 이용된 e-beam evaporation 물질은 In2O3-SnO2(1-wt%)였으며, 이온빔 source는 산소에 의한 filament의 산화를 막기 위해 filament cathodes type이 아닌 rf(radio-frequency)를 사용하였다. 중요 증착변수인 이온빔의 flux 변화는 산소와 Ar의 flow rate를 MFC로 조절하고 rf power를 변화시켜 얻었으며, 이온빔 에너지는 가속 grid의 가속전압 변화와 ion gun과 기판사이의 거리 조절을 통해 최적화하였다. 이온빔의 에너지와 flux는 Faraday cup으로 측정하였으며, 성박된 박막의 특성은 UV-spectrometer, 4-point probe, Hall measurement. $\alpha$-step, XRD, XPS 등을 이용하여 광학적, 전기적, 구조적 특성을 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 기술교육전문연구회
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• pp.144-148
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• 2003

알루미나볼 위에 Titanium tetraisopropoxide(TTIP)를 원료로, 화학기상증착법으로 제조된 $TiO_{2}/Al_{2}O_{3}$ 볼을 이용하여 벤젠의 기상 광 분해 실험을 실시하였다. 기상분해 과정의 연속적 측정을 위하여 순환식의 반응장치를 자체 제작하였으며, PID(Photo Ionization Detector)방식의 VOCs meter를 이용하여 광조사에 의한 벤젠의 분해율을 실시간으로 측정하였다. 기상의 벤젠과 $TiO_2/Al_{2}O_{3}$ 볼의 원활한 흡착을 위해 30분간 암반응 시킨 후 광분해율을 측정한 결과 광조사에 의한 분말표면에 흡착된 VOCs의 탈착에 의한 초기 농도증가 현상이 공통적으로 측정되었으며, 흡착 면적이 작을수록 농도 증가 또한 낮게 측정되었다. 또한 최적조건을 기준으로 실시한 분해 실험 결과 60ppm이상의 고농도 영역에서는 VOCs의 분해가 비교적 느리게 진행되었지만, 60ppm이하의 저농도 영역에서는 급속한 VOCs의 분해가 측정되었다. 마찬가지로 반응 표면적이 넓을수록, 광원이 많을수록 그리고 광분해에 사용된 자외선 램프의 강도가 클수록 광반응에 의한 벤젠의 분해율이 증가하였다.