• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제30권1호
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• pp.121-129
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• 2005

실험 대상자는 좌우측 교근에 보툴리눔 A 형 독소를 주입한 후 15개월 간 추적 조사가 시행된 11명이었다. 지원자들은 양측 교근에 보툴리눔 A형 독소를 주입하기 전, 주입 후 3개월, 주입 후 15개월 경과 후 각각 전산화 단층촬영을 시행하여 교근의 위축 정도를 관찰하였다. 측정은 하악골 하연을 기준면으로 하여 이 기준면의 상방 10 mm(position 1), 20 mm(position 2), 40 mm(position 3)의 세 위치에서 각각 두께와 면적을 측정하였다. 자입 지점은 position 1에 가장 근접했다. 먼저 교근의 두께 변화를 살펴보면 술후 3개월에 측정한 교근의 두께는 모든 position에서 감소하였으나 술후 15개월에는 술전과 비교할 때 유의한 두께 감소는 보이지 않았다. 반면에, 술후 3개월에 측정한 교근의 면적은 모든 position에서 감소하였으나 술후 15개월 경과 후에는 독소 주입 위치에서 가까운 position 1, 2에서는 면적 감소를 인정할 수 있었으나(position 1에서 10.7%, position 2에서 4.4%) 상대적으로 먼 position 3 에서는 면적 감소를 보이지 않았다. 이와 같은 연구 결과로 보아 독소 주입 15개월 후에도 약간의 교근 위축 효과가 남아 있는 것으로 판단되며, 위축량의 측정 시 일차원적인 두께 측정보다는 이차원적인 면적 측정이 더 정밀성이 있는 것으로 사료된다.

• 한국습지학회지
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• 제15권4호
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• pp.471-476
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• 2013

위생용지 제조 폐수처리장에서 발생하는 슬러지를 3년간의 일일 운전일지를 토대로 분석하였다. 발생 폐기물은 79% 슬러지, 14% 재, 5%의 합성폐기물 및 기타 2%로 구성되었다. 일일 최대 슬러지 생산량은 233톤, 평균 슬러지 생산량은 113톤으로 분석되었는데, 일차 슬러지가 85% 및 이차슬러지는 15%를 차지하였다. 슬러지 탈수용 응집제의 농도는 과량 주입되고 있어 적정 응집제 주입을 위해 주기적으로 쟈테스트와 같은 부가적인 실험에 의한 주입농도의 설정이 필요한 것으로 나타났다. 현재 발생되는 폐슬러지의 일부는 위탁처리되고 있고, 일부는 자체 처리되고 있지만, 장기적으로는 대부분의 폐슬러지가 제철소 슬러거의 진정재로 재활용될 계획이다.

• 지질공학
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• 제12권3호
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• pp.319-332
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• 2002

본 연구는 화강암이 분포하는 연구지역을 대상으로 수리지질 단위층을 등연속체매질로서 설정하고, 각 단위층의 유효수리전도도를 산출하기 위한 것이다. 이를 위하여 3"직경의 4개 시추공과 다중패커시스템을 설치하였으며, 단열분포특성조사, 정압주입/수위강하시험, 전공 순간충격시험, 그리고 격리구간 내 펄스시험이 수행되었다. 수리지질 단위층을 정의하기 위하여 단열분포특성을 기초로 하여 일차적으로 상하부 단위층의 경계설정을 시도하였고, 수리전도도 변화특성을 이차적인 요소로 대비하였다. 연구에 적용된 수리시험 결과의 차이와 효과적인 암반 투수성 평가방법에 대한 논의도 이루어졌다. 상부 수리지질 단위층의 유효수리전도도는 정압주입/수위강하시험의 경우 5.27E-10 m/s~7.57E-10 m/s의 범위를 가지며, 하부 영역에서는 2.45E-10 m/s~6.81E-10 m/s의 범위를 갖는다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.184-184
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• 2011

반도체 전자 소자의 초고집적회로(VLSI, Very Large Scale Integrated Circuit)가 수년간 지속됨에 따라 실리콘 기반으로 하는 MOSFET 성능의 한계에 도달하게 되었다. 재료 물성, 축소, 소자 공정 등에 대한 원인으로 이를 극복하고자 하는 재료와 성능향상에 관한 연구가 진행되고 있다. 이에 기존 시스템의 전자의 전하 정보만을 응용하는 것이 아니라 전자의 스핀 정보까지 고려하는 스핀트로닉스 연구분야가 주목을 받고 있다. Spin-FET는 스핀 주입, 스핀 조절, 스핀측정 등으로 나뉘어 연구되고 있으며 이 중 스핀 주입의 효율 향상이 우선시 해결되어야 한다. 일반적으로 스핀 주입 과정에서 소스가 되는 강자성체와 스핀 확산 거리가 긴 반도체 물질과의 Conductance mismatch가 문제되고 있다. 이에 자성 반도체는 근본적인 문제를 해결하고 반도체와 자성체의 특성을 동시에 나타내는 물질로써, Si과 Ge (4족) 등의 반도체뿐만 아니라, GaAs, InP (3-5족), ZnO, ZnTe (2-6족) 등의 반도체 또한 많은 연구가 이루어지고 있다. 자성 반도체에서 해결해야 할 가장 큰 문제는 물질이 자성을 잃는 Curie 온도를 상온 이상으로 높이는 것이다. 이에 본 연구는 전이금속이 도핑된 4족 Si 반도체 박막을 성장하고 후처리 공정을 통하여 나타나는 구조적, 자기적 특성을 연구하였다. 펄스 레이저 증착 방법을 통하여 p-type Si 기판위에 전이금속 Fe이 도핑된 박막을 500 nm 로 성장하였다. 성장 온도는 $250^{\circ}C$로 하였고, 성장 분압은 $3 {\times}10^{-3}$Torr 로 유지하며 $N_2$ 가스를 사용하였다. 구조적 결과를 보기 위해 X선 회절 분석과 원자력 현미경 결과를 확인하였고, 자기적 특성을 확인하기 위해 저온에서 초전도 양자 간섭계로 조사하였다. XRD를 통해 (002)면, (004)면의 Si 기판 결정을 보았으며, Fe 관련된 이차상이 형성됨을 예측해 보았다. ($Fe_3Si$, $Fe_2Si$ 등) 초전도 양자 간섭계에서 20 K에서 측정한 이력 현상을 관찰하고, 온도변화에 따른 전체 자기모멘트를 관찰하였으며 이는 상온에서도 강자성 특성이 나타남을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.202-202
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• 2000

AC-PDP(Plasma Display Paner)는 기체 방전을 이용한 디스플레이로서 기체에 직접 노출되는 MgO 보호막의 2차전자 방출계수(${\gamma}$는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류, 결정 방향성과 표면오염상태 등에 영향을 받는다. 본 연구에서는 유리 기판위에 Al 전극을 증착, 에칭후 screen printing으로 유전체를 도포, 소성 한 21inch 규격의 test panel에 MgO 보호막을 E-Beam으로 5000$\AA$ 증착한 후 MgO 보호막을 대기에 노출되는 시간간격을 변수로 하여 대기 열처리 한 MgO보호막의 2차 전자방출계수를 ${\gamma}$-FIB(Focused Ion Beam) 장치를 이용하여 측정하였다. 그리고 대기 노출 간격은 1분, 5분, 20분으로 하여 2차 전자방출계수를 측정하였고, 2차전자방출계수 측정 시 가속전압은 50V에서 200V까지 변화를 주었으며, Ne+을 사용하여 1.2$\times$10-4Torr의 진공도를 유지하며 측정하였다. 또한 각각의 MgO막의 에너지 갭을 광학적 방법을 이용하여 구하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2005년도 동계학술연구발표회 및 2차 아시안포럼
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• pp.192-193
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• 2005

• 대한토목학회논문집
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• 제29권1B호
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• pp.35-45
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• 2009

본 연구에서는 사행수로에서 유속구조가 추적물질의 혼합에 미치는 영향을 분석하기 위하여 2개의 만곡부를 갖는 S자형 실험수로를 제작하여 순간 주입된 추적자물질에 대한 분산실험을 수행하였다. 실험자료를 분석한 결과, 주 흐름은 사행수로의 최단경로를 따라 이동하며 만곡부에서 불균일한 분포를 갖는 것으로 밝혀졌다. 이차류의 경우, 만곡부에서 강력한 셀이 발달하나 직선부에서는 소멸하다가 다시 다음 만곡부에 반대 방향의 셀로 재생성됨이 확인되었다. 오염운의 거동은 주흐름의 불균일한 분포와 이차류셀에 의해 매우 큰 영향을 받는 것으로 나타났다. 주흐름의 불균일한 분포는 오염운을 종방향으로 분리시키고, 이차류 셀은 만곡부 외측의 처진 오염운을 횡방향으로 더욱 분리시키는 역할을 하게 되어, 결과적으로 만곡부의 복잡한 유속구조가 오염운을 종 횡방향으로 모두 분리시키고 나아가서 많이 퍼지게 하는 작용을 하는 것으로 밝혀졌다. 2차원 추적법의 적용을 통해서 각 케이스별 종 횡분산계수 실측치를 산정한 결과, 사행수로 전체구간에 대한 무차원 횡분산계수는 0.012~0.875의 범위를 갖는 것으로 밝혀졌다. 횡분산계수는 하폭 대 수심비에 대체적으로 비례하는 것으로 나타났다. 횡분산계수 이론식에 의한 추정치와 비교한 결과, 이론치가 실측치와 비교하여 다소 과대 산정하는 경향을 보여주고 있음을 알 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.101-107
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• 1998

인(Phosphorus)을 1MeV로 이온 주입한 후 RTA를 실시하여 미세결함의 특성을 조사하고, 면저항, SRP, SIMS, XTEM 분석과 CMOS 구조에서 래치업 특성을 모의 실험하였다. 도즈량이 증가할수록 면저항은 낮아지고, Rp값은 도즈량이 $1{\times}10^{13}/cm^2,\;5{\times}10^{13}/cm^2,\;1{\times}10^{14}/cm^2$일때 각각 $1.15{\mu}m,\;1.15{\mu},\;1.10{\mu}m$로 나타났다. SIMS 측정결과는 열처리 시간이 길수록 농도의 최대치가 표면으로부터 깊어지고, 농도 또한 낮아짐을 확인하였다. XTEM 분석 결과는 열처리 전에는 결함측정이 불가능했으나, 측정되지 많은 미세결함이 열처리 후 이차결함으로 성장한 것으로 조사되었다. 모의 실험은 buried layer와 connecting layer 구조를 사용하였으며, buried layer보다 connecting layer가 래치업 특성이 우수함을 확인하였다. Connecting layer의 도즈량이 $1{\times}10^{14}/cm^2$이고 이온주입 에너지가 500KeV일 때 trigger current는 $0.6mA/{\mu}m$이상이었고, trigger voltage는 약 6V로 나타났다. Connecting layer의 이온주입 에너지가 낮을수록 래치업 저감효과가 더욱 우수함을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제6권3호
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• pp.309-317
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• 1996

세가지 다른 방법을 이용하여 형성시킨 비정질 실리콘(SiH4 a-Si, Si2H6 a-Si, Si+ implanted SiH4 a-Si)들에 대한 저온 결정화 기구의 차이를 고전적 이론인 Avrami 식(X=1-exptn, X=결정화 분율, t=열처리 시간, n=지수)을 이용하여 검토하였다. Silane으로 형성된 비정질 실리콘의 결정화 과정에서는 Avrami 식에서의 n의 값이 2.0을 나타내고 있어, 결정성장이 이차원적으로 이루어지면서 핵생성률이 시간에 따라 감소하고 있음을 알 수가 있었다. Si+ 이온 주입에 의하여 형성된 비정질 실리콘의 결정화에서는 3.0의 지수 값이 얻어지고 있어, 정상상태의 핵생성과 함께 2차원적인 결정 성장이 이루어지고 있었다. Disilane으로 형성된 비정질 실리콘에 대한 결정화에서는 2.8의 지수값이 얻어져, 정상상태의 핵 생성이 우세하게 일어나는 2차원적인 결정성장이 일어나고 있음을 알 수 있었다. 또한 TEM을 이용하여 시간에 따라 변하는 핵생성률을 조사하여, Avrami 식의 적용이 타당성 있음을 증명하였다. 마지막으로, 최종 입자의 크기가 열처리 온도에 크게 영향을 받고 있지 않음을 확인하였다.

• 한국광학회지
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• 제6권4호
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• pp.302-309
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• 1995

상온에서 $1.55{\mu}m$ 를 발진하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 양자우물 레이저를 설계하여 주입 운반자 밀도와 온도의 함수로 이득 곡선을 계산하였다. 밴드 구조와 운동량 행력 요소의 계산에는 블록대각화된 8*8 이차 k.p 해밀토니안에 근거한 변환행렬법을 사용하였다. 이 격자정합된 양자우물은 TE 모우드로 발진하였다. 온도가 증가함에 따라 발진파장이 길어졌고, 투명 운반자 밀도는 증가하였으며 미분이득은 감소하였다. 이득 곡선의 온도의존도는 밴드 구조의 온도의존성과 페르미 함수의 온도의존성에 기인하는데 이중 후자의 효과가 주도적인 것이었다.