• 대한수의학회지
• /
• 제26권2호
• /
• pp.307-319
• /
• 1986

성숙한 A/J, $C_{57}BL/6N$, DBA/2 및 NIH-GP계(系) 마우스에 benzo(a) pyrene과 charcoal powder를, $C_{57}/6N$ 및 NIH-GP계(系) 마우스에 Urethan을 기관내(氣管內) 주입(注入)하여 폐장(肺臟)의 종양발생(腫瘍發生)과 조직변화(組織變化)를 관찰(觀察)한 바 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. Benzo(a)pyrene을 주입(注入)한 군(群)에서는 편평상피암(扁平上皮癌) 및 선암(腺癌), 그리고 편평상피암(扁平上皮癌)과 선암(腺癌)의 혼합 발생예(例)를 볼 수 있었다. 이와 같은 병변(病變)은 A/J 및 $C_{57}BL/6N$계(系) 마우스에서 발생률(發生率)이 높았으며 A/J계(系) 마우스에서 편평상피암(扁平上皮癌)의 발생(發生) 및 분화(分化)가 현저하였다. 한편 DBA/2 및 NIH-GP계(系) 마우스에서는 종양(腫瘍) 발생률(發生率)이 극히 낮았다. Benzo(a)pyrene의 주입시(注入時) 동일 계통의 마우스에서도 대량을 주입(注入)할 때 선암(腺癌)보다 편평상피암(扁平上皮癌)의 발생(發生)이 많았으며 A/J계(系) 마우스에서는 편평상피암(扁平上皮癌) 단독(單獨) 발생예(發生例)가 다수 관찰(觀察)되었고 $C_{57}BL/6N$계(系) 마우스에서는 선암(腺癌) 및 선암(腺癌)과 편평상피암(扁平上皮癌)의 혼합 형태(形態)가 주(主)로 관찰(觀察)되었다. 그리고 기관지상피(氣管支上皮)의 편평상피화생(扁平上皮化生) 및 편평상피암(扁平上皮癌)의 발생시(發生時) alcian blue-PAS 양성반응세포가 관여함을 알 수 있었고 선종양조직(腺腫樣組織) 발생예(發生例)에서도 편평상피화생(扁平上皮化生) 및 편평상피암(扁平上皮癌)으로 분화(分化)되는 경우도 관찰(觀察)되었다. Urethan 주입군(注入群)은 극히 낮은 종양발생률(腫瘍發生率)을 나타내어 발암물질(發癌物質)의 종류(種類), 용량(用量) 및 마우스의 계통(系統)에 따라 종양(腫瘍)의 발생률(發生率) 및 형태(形態)의 차이가 인정되었다.

• 한국통계학회:학술대회논문집
• /
• 한국통계학회 2005년도 춘계 학술발표회 논문집
• /
• pp.291-298
• /
• 2005

지속성 외래 복막투석은 말기 신부전 환자들에게 널리 시행하는 신 대체 요법으로, 복막투석 환자에게서 주된 합병증으로 일어나는 단백질-열량 영양실조를 치료하기 위하여 아미노산을 복강 내로 주입하는 치료방법이다. 이현석 등(2004)의 연구에서는 아미노산 복막 투석액(IPAA)이 영양실조 환자들에게 실제로 영양상태에 미치는 영향을 평가하기 위하여 지속성 외래 복막투석 환자 43명을 12개월 동안 3개월 주기로 관측하여 얻어낸 반복측정자료를 바탕으로 IPAA의 효과 여부에 따라 반응군과 비반응군을 분류하였다. 본 논문에서는 이러한 두 그룹을 효과적으로 분류할 수 있는 분류기준변수들을 찾아내고 이 분류기준변수의 값을 바탕으로 새로운 환자에게 IPAA의 투여 여부를 진단할 수 있는 여러 분류방법들을 고찰하여 비교 연구하였다. 모수적인 방법으로 선형판별분석, 이차판별분석 및 로지스틱 판별분석을 소개하고 비모수적인 방법으로 support vector machine(SVM)을 소개하여 분류분석의 결과를 비교하여 두 그룹을 최소한의 오류로 분류하는 방법을 제안하였다.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
• /
• 한국수자원학회 2007년도 학술발표회 논문집
• /
• pp.403-407
• /
• 2007

본 연구에서는 개수로 흐름에서의 오염물질 거동 특성에 대해 분석하였다. 이를 위해 개수로 흐름을 등류상태로 가정하여 3차원의 수직모형을 구성하고 운동량 방정식과 스칼라 수송방정식에서의 난류 폐합을 위해 레이놀즈응력 모형 및 GGDH 모형을 사용하였다. 개발된 모형을 이용하여 복단면 수로에서 오염물질이 점으로 주입된 경우에 대해 난류 흐름 및 오염물질의 농도 분포를 수치모의 하고 기존의 실험 데이터와 비교하였다. 그 결과 개발된 모형이 개수로 흐름에서의 평균유속 및 난류구조, 오염물질의 농도 분포 등을 잘 모의하는 것으로 나타났다. 특히, 이차흐름의 영향으로 인해 최대 농도 값의 위치가 거리에 따라 이동하는 것으로 나타났으며, 농도 분포 역시 정규분포에서 거리에 따라 점차 왜곡되는 것으로 확인되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.236-236
• /
• 1999

AC-PDP(Plasma display Panel)는 기체 방전을 이용한 디스플레이로서 기체에 직접 노출되는 MgO 보호막의 이차전자 방출계수(${\gamma}$)는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류, 결정 방향성과 표면오염상태등에 영향을 받는다. 본 연구에서는 MgO 보호막을 열처리한 상태와 열처리 하지 않은 상태를 ${\gamma}$-FIB 장치를 이용하여 2차전자방출 계수를 측정하여 비교하였다. 또한 24시간 MgO 보호막을 대기중에 방치하여 두었을 때 MgO 보호막의 표면오염상태에 대한 2차전자방출계수값을 측정하여 MgO 보호막의 표면오염에 대한 방전 전압특성저하가 어느정도인지를 알아보았다. 실험에 사용한 혼합기체는 Ne+Xe, He+Ne+Xe 혼합기체를 사용하였고, MgO 보호막은 21inch 규격의 실제 PDP Panel의 MgO 보호막을 사용하였다.

• 한국동물학회지
• /
• 제35권1호
• /
• pp.58-69
• /
• 1992

곤충 혈구의 이물질에 대해 면릉고청을 확인하기 위하여 평균지름 10 nm의 gold입자를 함유한 colloidal gold solution을 등 검은 메뚜기 (Euprepocnemis shirakii Bolivar) 성충의 복강에 주입한 후, 혈구의 반응양상을 전자현미경으로 관찰하였다. Gold 입자에 대한 혈구의 면역반응은 전체 혈구의 약 28%를 차지하고 있는 Plasmatocytes에서 식세포작용(phagocytosis)의 형태로 확인되었고, 다른 종류의 혈구는 반응하지 않았다. Plasmatocytes에 의해 식세포작용의 초기반음은 많은 원형질 돌기를 형성하여 이물질을 포획하는 태면반응과 원형질악의 함입에 의한 식포의 형성과정으로서, 이 과정은 이물질 주입후 10분이내에 완료되는 것으로 관찰되었다. 혈구내에 형성된 식포는 초기에 전자밀도가 낮은, 천상 또는 섬잡상의 내부구조를 가지고 있었으나, 일차 Iysosome의 융합에 의해 전자밀도가 높은 과립상으로 된 후, 결정상의 내부구조로 변형되었으며, 그 이후의 단계에서 multivesicular body형태의 이차 Iysosome을 형성하였다.

• 전자공학회논문지D
• /
• 제36D권4호
• /
• pp.48-56
• /
• 1999

본 논문에서는 초기 산소 농도가 고에너지 이온 주입시 결정 격자 손상에 의해 발생하는 산소 축적(pileup) 현상 및 주입된 불순물의 확산에 미치는 영향을 실험적으로 고찰하였다. 초기 산소 농도가 11.5, 15.5 ppma인 p-type (100)실리콘 웨이퍼에 \sup 11\B\sup +\ \sup 31\P\sup +\ 이온을 각각 1.2 MeV, 2.2 MeV 의 에너지로 1×10\sup 15\cm\sup 2\ 주입하고, 700℃(20시간)+1000℃(10시간)의 2단계 열처리를 거치 후 주입된 불순물 및 산소 농도의 분포를 이차이온질량분석기 (Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS)로 관찰하였으며 잔류 2차 결함의 분포는 투과전자현미경(Transmission Electron Microscopy, TEM)으로 관찰하였다. SIMS 측정 결과 산소의 축적이 {{{{ { R}_{ } }}}}\sub p\(projected range) 부근에서 관찰되었으며 열처리 후에도 상당한 양의 2차 결합 띠가 {{{{ { R}_{ } }}}}\sub p\부근에서 관찰되는 것으로 보아 2차 결함에 의해 산소가 포획되었음을 알 수 있다. 또한 붕소와 인의 확산은 웨이퍼의 초기 산소 농도가 클수록 벌크 방향으로의 확산이 증대되는 현상을 볼 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제26권1호
• /
• pp.95-103
• /
• 2022

본 논문에서는 저가격 인버터에서의 사각파 주입에 의한 센서리스 기법의 제어 성능을 보인다. 저가격 인버터는 소위 말하는 B4 인버터이다. 이 인버터는 저가격화를 위하여 스위칭 소자를 4개를 사용한 형태이다. 고주파 주입을 통한 센서리스 기법을 B4 인버터에 적용하였으며, 주입 고주파의 주파수는 1kH이다. 본 논문에서는 Matlab/ Simulink를 이용한 B4 인버터를 이용한 영구자석 전동기의 센서리스 시스템 모델을 설명한다. 한편, 본 연구에서는 회전자의 위치 추정을 위한 고주파 전류 성분 검출에 노치 필터를 사용하였으며, 추정된 속도의 리플 저감을 위하여 이차 저역 통과 필터를 사용하였다. 노치 필터에 의해 추출된 전류 파형에 고주파 전압을 곱하여 영구 자석 동기 전동기의 회전자 각도를 추정한다. Simulink 시뮬레이션의 통해 제안하는 기법의 타당성을 보인다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.188-188
• /
• 2011

MgO는 암염구조의 이온결합성 화합물로 7.8 eV의 높은 띠 틈과 약 95%의 탁월한 투과도를 갖는다. 또한, ${\gamma}$ process에 의한 이차 전자 방출이 높고 이온 스퍼터링에 의한 표면 손상이 적어 면 방전 AC-PDP의 보호막으로 이용된다. 따라서 MgO 보호막에 관한 연구는 이차 전자 방출 계수를 높여 방전 전압을 감소시키고 높은 유전율과 투과도를 유지시키기 위한 목적으로 전개되어지고 있다. 본 연구는 이온 스퍼터링에 의한 MgO 보호막의 표면 특성의 변화를 알아보기 위해 이루어졌다. MgO 박막은 electron beam evaporation의 방법을 통해 챔버 내에 O 기체를 주입하고 P type Si 기판을 300$^{\circ}C$ 가열하여 40 nm 두께로 제작되었다. 박막 시료는 표면분석 전 초고진공챔버 내에서 표면에 산화된 불순물 제거를 위해 550$^{\circ}C$의 열처리가 되어졌다. 그리고 250 eV의 He 이온으로 박막 표면을 스퍼터링 하여 XPS, REELS, UPS를 이용하여 전자 및 광학적 특성을 연구하였다. XPS 분석을 통해 MgO 박막은 He 이온 스퍼터링에 의해 표면의 화학적 조성이 변하지 않는다는 것을 확인했다. MgO 박막에 이온 스퍼터링을 하면 표준 시료와 비교하여 Ep=1,500 eV일 때 7.54 eV에서 7.63 eV로 높아지는 경향이 있다. 일함수는 He 이온 스퍼터링 한 결과 3.85 eV로부터 4.09 eV로 약간 높아졌다. 또한, QUEELS simulation으로 얻은 가시광 투과도는 91~92%로 분석되었다.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제22권3호
• /
• pp.68-76
• /
• 1985

전하 결함 소자를 이용한 16×16 이차원 영상 감지 소자가 제작되었다. 제작된 소자는 2상(two-Phase)의 전극 구조로 제작 되었고 프레임 이동(frame transfer) 방식으로 동작한다. 표면 전위차를 얻기위해 이온 주입을 했고 NMOS공정을 따라 제작되었다. 영상을 얻기위한 시스템은 광학 렌즈 클럭 발생 및 구동 회로, 계단형 신호 발생기로 이루어지는데, EPROM을 사용하여 클럭 발생회로를 간단하게 하였다. 영상 시스템을 사용하여 오실로스코프 화면에 알파베트를 표시할 수 있었다. 소자의 특성으로 전하 이동 손실률과 암전류를 측정하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제12권1호
• /
• pp.18-26
• /
• 1999

In this study, the undoped amorphous layers and phosphorus doped amorphous layers are fabricated using LPCVD at 531$^{\circ}C$ with SiH$_4$ gas or at same temperature with PH$_3$ gas during deposition, respectively. The thickness of deposited amorphous layer from this experiments was 5000 ${\AA}$. In this experiments, undoped amorphous layers are deposited with SiH$_4$and Si$_2$H$\_$6/ gas in a low pressure reactor using LPCVD. These amorphous layers can be doped for poly-silicon by phosphorus ion implantation. The experiments of this study are carried out by phosphorus ion implantation with energy 40 keV into P doped and undoped amorphous silicon layers. The distribution of phosphorus profiles are measured by SIMS(Cameca 6f). Recoiling effects and two dimensional profiles are also explained by comparisions of experimental and simulated data. Finally range moments of SIMS profiles are calculated and compared with simulation results.