• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.339-339
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• 2011

진공 플라즈마와 달리 개방된 공간에서 방전되는 대기압 플라즈마는 진공상태에서 수행되는 에칭, 증착 등의 복잡한 플라즈마 공정을 경제적이고 신속하게 수행할 수 있어, 최근 들어 연구가 활발히 진행 중이다. 이와 관련하여 He, Ar, $N_2$, $O_2$, Air 등의 여러 종류의 기체를 50 kHz 고전압에서 방전하여 대기 중에서 저온 플라즈마 공정이 가능한 아크젯 타입의 플라즈마 소스를 개발하였다. 개발된 플라즈마 소스에서는 입력전압, 기체유량, 노즐의 구조와 크기 등의 여러 운전변수에 따라 플라즈마의 방전특성이 변화되었다. 특히 본 연구에서는 아크젯의 플라즈마 발생부의 물질성분(SUS, Aluminum, Cupper)에 따른 플라즈마의 기체온도 및 전자여기 온도의 변화를 광방출분광법(OES)를 이용한 Synthetic spectrum method와 Boltzmann plot method을 통해 살펴보았다. 전압-전류 특성곡선, 시간분해 이미지 촬영법, 기체온도 측정법 등을 이용하여 발생된 플라즈마의 물리적인 특성을 분석하였다. 특히 물질의 성분에 따라 발생되는 플라즈마의 기체 및 전자여기 온도가 이차 전자 방출계수 및 물질의 전도도와의 상관관계가 있는지 연구가 진행 중이다.

• 전기학회논문지
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• 제58권4호
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• pp.777-782
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• 2009

In this paper, the effect of the secondary electron emission coefficient of Xe ion on glow discharge was examined by ID numerical simulation. The simulation was performed for two distinct structures, short and long gaps. The features of the glow discharges in the both structures, firing and sustain voltages, luminance, and efficiency, were analyzed at various secondary electron emission coefficient of Xe ion.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2002년도 춘계학술발표논문집
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• pp.257-259
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• 2002

원적외선은 파장이 매우 긴 빛으로 우리 생활에 가장 유익한 빛이다. 이는 인체에 전혀 해가 없이 생체 활동을 촉진하는 광선으로 숙성, 온열, 자정, 건조, 연수 등 다양한 작용을 하는 불가사의한 빛으로 알려져 있다. 현재 원적외선을 활용한 분야는 건설, 주택, 가전제품, 의류, 화장품, 농업에 이르기까지 다양하고, 그 과는 이미 많은 부분에서 입증되고 있다. 본 연구는 기능이 향상된 원적외선을 방사하는 기능성 포장재에서 딸기의 이차학적 변화를 관찰하고 나아가 신선도를 향상시키는 식품 포장재를 개발하는 것에 그 목적을 두었다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.419-422
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• 1995

In this paper, we propose two methods for AE source location on the material with unknown AE wave velocity. By this method, we can apply this method to arbitrary material of which properties are not known exactly. Also, in this paper, the mechanism of error generation in both methods are discussed and performances are compared by using computer simulation and experiments which uses a lead break as the AE source on the aluminum plate.

• 한국대기환경학회:학술대회논문집
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• 한국대기환경학회 2003년도 추계학술대회 논문집
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• pp.151-152
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• 2003

대기중에는 토양입자나 해양입자와 같이 직접적으로 방출되는 입자상 물질 이외에 자연적으로 생성되거나 인간의 활동에 의하여 배출되는 유황, 질소산화물 및 유기물의 가스상 물질이 대기 화학 반응에 의하여 입자상 물질로 변환된 이차입자가 혼재되어 있다. 이러한 입자상물질은 $K^{＋}$, $Na^{＋}$, $Mg^{2+}$, NH$_4$$^{+}$, $Ca^{2+}$ 등의 양이온과 Cl$^{-}$, NO$_3$$^{-}$, SO$_4$$^{2-}$ 등의 음이온 성분으로 구성되어 있다. (중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2006년도 제30회 학술논문발표회 초록집
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• pp.111-111
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• 2006

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2005년도 제29회 학술발표회 초록집
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• pp.146-146
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• 2005

• 한국산림과학회지
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• 제111권4호
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• pp.490-501
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• 2022

식물체에서 isoprene, monoterpene, sesquiterpene과 같은 화합물들 형태로 방출되는 피톤치드를 포함한 VOCs를 총칭하여 생물유래 휘발성유기화합물 BVOCs (biogenic volatile organic compounds)로 구분하고 있다. 피톤치드는 중요한 산림치유 인자인 동시에 질소화합물과 광학반응을 하여 오존 및 이차 유기에어로졸 생성에 영향을 미치는 물질로 보고되고 있다. 본 연구에서는 우리나라 도시숲 주요 32 수종을 선정하여 3년생 이하 묘목을 연구 대상으로 표준환경조건(온도: 30℃, 광도: 1,000 μmol/m²/sec)에서 400 L Tedlar bag을 순환형 챔버를 이용하여 도시숲 주요 수종에서 방출되는 기체시료를 포집하여 열탈착-GC/MS로 분석하였다. 해당 수종의 잎을 건조시켜 건중량 당 수종별 isoprene 및 terpene류 38종의 방출량을 분석하였다. Isoprene 방출량은 전체 수종 중에서 신갈나무에서 가장 높게 나타났으며 버드나무, 아까시나무, 왕버들이 주요 isoprene 방출 수종으로 분류되었다. Monoterpene 방출량은 스트로브잣나무가 가장 높았으며 참죽나무, 박태기나무가 주요 monoterpene 방출 수종으로 나타났다. Monoterpene 주요 물질은 α-pinene, myrcene, camphene, limonene이였으며, oxygenated monoterpene의 주요 물질은 eucalyptol이였다. Oxygenated sesquiterpene에서는 caryophyllene oxide가 주요 물질로 검출되었지만 32개 수종에서 sesquiterpene과 oxygenated sesquiterpene의 방출량은 상대적으로 낮았다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권12호
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• pp.12-17
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• 2007

본 연구에서는 전자빔 증착의 증착률이 MgO 보호막의 특성과 제작된 PDP의 방전 특성에 주는 영향에 대하여 연구, 분석 하였다. MgO 박막을 여러 조건의 증착률로 증착하였고, 이 후 결정 구조, 표면 거칠기, 박막 구조와 같은 특성을 XRD, AFM 등을 사용하여 측정, 평가하였다. 실험 결과와 Paschen law을 통해서 $5\AA/sec$의 증착률에서 이차전자방출이 최대가 되는 것을 확인할 수 있었으며, 동일 조건에서 방전 전압이 가장 작고, 발광 효율은 가장 큰 값을 갖는 것이 확인되었다. 또한 $5\AA/sec$의 (200) 결정 방향과 $F^+$ center 측정값도 가장 높게 측정되었다. XRD와 CL 스펙트럼의 결과를 통하여 이차전자방출계수가 MgO 박막의 분자 결정상의 $F/F^+$ centers구조와 관련 있음을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제12권1호
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• pp.16-19
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• 2003

실온에서 p-InP (100) 위에 이온빔 증착법으로 Ni 박막을 성장하였다. Ni 박막의 이차전자방출계수(${\gamma}$)와 일함수를 결정하기 위하여 Ne, Ar, $N_2$, Xe 이온원을 사용하여 가속전압에 따른 $\gamma$를 측정하였다. 여러 가지 기체와 집속이온빔장치의 가속전압에 따른 $\gamma$결과로부터 Ni 박막의 일함 수를 결정하였다. p-InP (100) 위에 성장한 Ni 박막의 일함수는 5.8 eV ~ 5.85 eV 이었다. 실험을 통하여 얻어진 결과들은 실온에서 p-InP (100) 위에 성장한 Ni 박막의 전자적 성질에 관한 중요한 정보를 제공하고 있다.