Fabrication and Electrical Characteristics of $p^{+}$ -n Ultra Shallow Junction Diode with Co/Ti Bilayer Silicide
(Co/Ti 이중막 실리사이드를 이용한 $p^{+}$ -n극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성)
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- Korean Journal of Materials Research
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- v.8 no.4
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- pp.288-292
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- 1998