• Bulletin of the Korean Space Science Society
• /
• 2004.04a
• /
• pp.86-86
• /
• 2004

다목적 실용위성 1호의 데이터를 이용하여 관측기간인 2000년 6월 28일에서 2001년 8월1일까지의 고도 685km, 22:50LT(Local Time) 이온층을 조사하였다. 데이터는 이온층 측정 센서(Ionospheric Measurement Sensor)로부터 얻은 전자 온도와 전자 밀도를 이용하였으며, 자기 위도로 -60$^{\circ}$-+60$^{\circ}$ 사이의 중ㆍ저위도의 값을 분석하였다. 관측 기간은 지자기 변화를 나타내는 Kp index나 태양 활동을 나타내는 F10.7이 크게 변화한 태양 극대기 기간으로, 이중 일변화의 F10.7을 통해 전자 온도와 전자 밀도의 변화를 조사하였다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2009.05a
• /
• pp.261-261
• /
• 2009

탄소나노튜브(CNT)는 우수한 기계적, 화학적, 전기적 특성 때문에 전자방출원, 가스저장매체, 약물전달시스템 그리고 전기화학적 소자 등의 응용으로 주목받고 있다 [1-3]. 이러한 응용을 위하여 플라즈마 이온조사법을 이용하여 열화학증기증착법(TCVD)으로 성장된 수직배향 탄소나노튜브(VCNT)의 구조변화를 도모하고, 그 메커니즘을 연구하였다.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.45 no.1
• /
• pp.25-30
• /
• 2001

A selective kinetic fluorimetric method for the determination of trace rhodium(Ⅲ), based on the catalytic effect of rhodium(Ⅲ) on the oxidation of nile blue by periodate have been studied. The effects of pH and concentrations of nile blue, sodium periodate, trioctyl phosphine oxide(TOPO) and temperature were investigated. The calibration curve for rhodium(Ⅲ) ion was linear over the range from 100 ng/mL to 0.1 ng/mL and the detection limit was 0.01 ng/mL under the optimal experimental conditions. Effects of interferences from several cations and anions for the determination of rhodium(Ⅲ) were also investigated.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.6 no.12
• /
• pp.1162-1169
• /
• 1996

rf 플라즈마 화학증착을 이용하여 증착된 hydrogenated DLC막의 잔류응력 거동에 대해 조사하였다. 합성된 DLC막의 압축 잔류응력은 이온 에너지뿐만 아니라 이온/원자 유입량 비에 의해 영향을 받는 것으로 조사되었다. 잔류응력의 최대치는 이온/원자 유입량비가 증가할수록 낮은 이온 에너지 구간에서 일어나며 그 값은 증가하였다. 이온 에너지에 따른 DLC막의 결합 구조의 변형을 Raman 스펙트럼을 이용하여 분석하였다. DLC막의 잔류응력은 sp3결합의 net working이 최대가 되는 점에서 최대치를 보이며, 이는 sp3 net working에 의한 부피팽창 요인에 기인하는 것으로 생각된다. DLC막 내의 유입되는 수소는 잔류응력의 직접적인 원인으로 작용하지 않는 것으로 분석되었다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
• /
• 1994.10a
• /
• pp.17-19
• /
• 1994

고분자 분리막의 구조가 투과율에 미치는 영향에 대해서는 지금까지 많은 연구가 행하여져 왔지만, 분자구조가 투과경로에 미치는 영향에 대한 연구는 아직 미미하며, black box approach만으로는 투과경로를 기술하기 어렵다. Impedance spectrowcopy는 막에 alternating electric field를 가해줌으로써 얻어지는 전류와 전압의 상관관계를 이용하여, 막내의 전해질의 투과에 대한 정보를 얻어내는 기기로써, dielectric loss spectra를 분석하면 투과물의 투과경로에 대한 정보도 얻을 수 있다. 전해질을 포함한 막의 dielectric loss ($\varepsilon"$) spectra는 다음의 식과 같이 두 부분으로 나뉘어 진다. $\varepsilon" = \varepsilon_{ac}" + \varepsilon_{dc}"$ (1) $\varepsilon_{dc}"$는 막을 통한 이온의 투과에 관계된 항이며, $\varepsilon_{ac}"$는 강한 dipole의 relaxation에 의해 나타나는 항이다. $\varepsilon_{dc}"$는 다음의 실험식에 의해 잘 기술되어진다. $\varepsilon_{dc}" = A\omega^{-n}$ 0

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.9 no.3
• /
• pp.25-29
• /
• 2002

Single ion exchange process was used, and the ion exchange behavior and mechanical properties were investigated in substrate glass for flat panel display. In order to study the effects of ion exchange, ion exchange behavior with ion penetration depth, amount of ion exchange, density and thermal expansion was measured according to the time and temperature. The mechanical properties were evaluated by the three point bending test and curvature change, and then the fracture patterns were investigated by optical microscope.

• Polymer(Korea)
• /
• v.28 no.5
• /
• pp.397-403
• /
• 2004

The sulfonated PET-g-GMA ion-exchange fine fibers were synthesized by UV radiation-induced graft copolymerization using a photoinitiator, and their chemical structure and adsorption properties were investigated. The optimum values for synthetic conditions - UV intensity, reaction time, and reaction temperature were 450 W, 60 min, and $40^{\circ}C$, respectively. Maximum values of the degree of sulfonation and ion exchange capacity were 8.12 mmol/g and 3.25 meq/g, respectively. Tensile strength of sulfonated PET-g-GMA fine ion exchange fibers was lower than that of PET trunk polymer as the grafting reaction rates increased. It was shown that as for the adsorption rate of $Ca^{2+}$ and $Mg^{2+}$ by the sulfonated PET-g-GMA fine ion exchange fibers, magnesium ion is slower than calcium ion in the solution. However, in the mixture of the calcium and magnesium ions, the adsorption rate of calcium ion was much slower than that of magnesium ion.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.573-574
• /
• 2013

본 연구에서는 Roll-to-Roll 스퍼터를 이용한 ITO 성막 공정에서 Ar 이온 빔 처리가 플렉시블 ITO 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성에 미치는 효과를 연구하였다. Roll-to-Roll 스퍼터를 이용하여 ITO 박막을 성막할 때 Linear ion source를 이용하여 Ar 이온을 ITO 박막에 직접 조사할 때 일어나는 ITO 박막의 변화를 분석하였다. Ar 이온 빔에 인가되는 DC 파워 변화에 따른 ITO 박막의 전기적, 광학적 특성 변화를 Hall measurement 및 UV/Visible spectrometry 분석법을 통해 확인하였다. 이온 빔 처리 공정 시 인가되는 파워가 DC 100 W일 때 $5.81{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$으로 이온 빔 처리를 하지 않은 $1.14{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$에 보다 낮은 비저항을 나타냄을 확인할 수 있었다. 이온 빔 처리 전/후 ITO 박막의 결정성은 포항 가속기 X-ray scattering법을 이용하여 분석하였으며, 결과를 통해 Ar 이온 빔 처리가 ITO 박막의 표면에서의 국부적인 결정성을 향상을 일으킴을 알 수 있었다. 이러한 결정성 향상이 Roll-to-Roll 스퍼터된 ITO 박막의 전기적 특성을 향상과 매우 밀접한 관계가 있음을 확인할 수 있었다. 또한 이온 빔 처리 전/후 ITO/CPI의 기판 휨에 따른 기계적 안정성을 알아보기 위해 bending frequency 60 Hz, bending radius 15mm로 bending test를 진행을 통하여 이온 빔 처리 전후 ITO 박막의 특성을 비교 확인하였다. 본 실험 결과를 통해 Ar 이온빔 조사에 의해 상온에서 결정형 ITO 박막을 CPI 기판위에 형성 할 수 있었다. 또한 최적화된 ITO 박막을 이용하여 유기 태양전지를 제작하였으며 이를 통해 Ar 이온빔 처리된 결정형 ITO의 유연 태양전지 응용 가능성을 타진하였다.

• Applied Chemistry for Engineering
• /
• v.21 no.4
• /
• pp.401-404
• /
• 2010

The ion-beam induced changes in the characteristics of gadolinium doped ceria (GDC) pellets have been studied by UV-visible spectroscopy (UV-vis), SEM, and XRD. Implanted ions were protons or Xe ions with the energy of 120 keV or 5 MeV. Densely sintered pristine GDC pellets have cubic fluorite structure and are brown in color. As the ion irradiation proceeded, its color gradually turned into light black and finally into dark black. XRD patterns of GDC pellets were closely related with ion energy and the penetration depth of X-ray. It showed that upon the ion irradiation (120 keV) the lattice parameter of the cubic fluorite phase just beneath the surface is increased.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.5 no.3
• /
• pp.297-309
• /
• 1995

본 연구에서는 이온선보조증착법에 의해 Si(100)기판위에 정합성장된 $Si_{0.5}$Ge_{0.5}$층의 핵성성과 성장을 고찰하였다. 성장층에 대한 AFM(Atomic Force Microscopy), RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 등의 분석결과 Si(100)기판위에 이온선보조증착에 의하여 성장된 $Si_{0.5}$Ge_{0.5}$층은 Stranski-Kranstanov(SK)기구로 성장되며, 300eV, 10 $\mu$A/$cm^{2}$의 Ar이온선을 조사시키는 경우 결정성이 향상되었고, SK 성장 방식의 임계두께가 증가하였다. Ar 이온선 조사에 의해 MBE에 의한 정합성장온도(55$0^{\circ}C$-$600^{\circ}C$)보다 훨씬 낮은 20$0^{\circ}C$에서 정합성장이 가능하였으며, $x_{mn}$값은 10.5%로 MBE에 의한 정합성장시 보고된 $x_{mn}$ 값보다 낮았다. 이온충돌에 의해 발생한 3차원 island의 분해와 표면확산의 증가가 $Si_{0.5}$Ge_{0.5}$층의 성장에 현저한 영향을 미쳤으며, 이온충돌의 영향은 3차원 island의 생성보다 3차원 island의 분해가 더 안정한 낮은 증착온도에서만 관찰되었다.