• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2010년도 추계 학술논문요약집
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• pp.27-28
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• 2010

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 1998년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.148-149
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• 1998

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.779-780
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• 2011

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1999년도 추계학술발표회요약집
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• pp.279.1-279
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• 1999

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2015년도 추계학술논문요약집
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• pp.363-364
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• 2015

• NICE (News & Information for Chemical Engineers)
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• 제36권4호
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• pp.414-421
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• 2018

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1996년도 추계 총회 및 학술발표회
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• pp.71-72
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• 1996

Polyetherimide(PEI)계의 고분자는 막 성능이 우수하고 내열성과 내유기용매성 등이 우수한 열가소성수지로서 film, sheet, tubular형으로 만들 수 있어 한외여과막이나 역삼투막, 기체분리막 등에 이용되고 있다. 한편 투과속도를 높이고, fouling을 줄이기 위한 친수성 향상은 막 소재의 화학적 개질에 있어서 주된 목표이다. sulfonation은 막 재질의 소수성을 감소시켜 water permeability를 향상시키는데 있어서 매우 유용한 방법으로 이온교환수지, 이온교환막, anion형 하전막의 제조에 이용되어 왔다. 본 실험에서는 polyetherimide계 고분자를 chlorosulfonic acid(CSA)를 이용하여 술폰화시킨 sulfonated polyetherimide(SPEI)를 제조하여 막 성능을 측정하였다.

• 공업화학
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• 제10권3호
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• pp.445-449
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• 1999

소수성인 poly[bis(trifluoroethoxy)phosphazene]에 methoxyethylenoxy 측쇄를 치환시켜 친수성을 증가시킨 포스파젠 고분자를 합성하였으며 합성된 고분자를 다공성 polypropylene 지지체위에 dip-coating법으로 금속이온 분리막을 제조하였다. $Cr^{3+},\;Co^{2+},\;Mn^{2-}$이온 수용액에 대한 분리실험을 $25^{\circ}C$에서 $60^{\circ}C$까지 온도범위에서 행하였다. 치환된 methoxyethylenoxy기 중의 ethylenoxy의 반복단위가 증가할수록 이온의 투과특성이 증가하는 것을 알수 있었다. Trifluoroethoxy methoxyethoxyethoxyethoxy co-substituted polyphosphazene의 경우 $Cr^{3-}$ 이온이 $60^{\circ}C$에서 분리계수 4.5의 값을 갖고 $Co^{2+},\;Mn^{2+}$ 이온들로부터 분리가 됨을 알 수 있었다.

• 공업화학
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• 제9권3호
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• pp.435-439
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• 1998

페녹시기와 트라이풀루오르에톡시기가 함께 치환된 포스파젠 고분자를 기초로 한 새로운 형태의 이온교환 분리막 재질을 제조하였다. 합성된 고분자의 구조를 핵자기 공명 분석기, 적외선 흡광 분석기, 원소 분석기와 겔침투 분석기를 통해 확인하였다. 기본 포스파젠 분리막은 친수성과 이온 투과성을 높이기 위해 술폰화시켰다. $[NP(OC_6H_4SO_3H)_{1.58}(OCH_2CF_3)_{0.42}]_n$으로부터 얻은 분리막을 상용 분리막과 비교한 결과 매우 뛰어난 이온운반율, 면적 저항 및 이온교환용량을 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제20권5호
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• pp.50-55
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• 1983

본 논문에서는 여러 가지 이온 도우스와 열처리 온도에 대해서 hall-effect/sheet resistivity 측정방법을 이용하여 실리콘을 주입한 크롬이 도핑된 GaAs의 전기적 성질에 관한 연구를 하였다. 시료는 상온에서 이온을 주입하였으며 실리콘 나이트라이드 캘핑을 하여 15권동안 수소수국기에서 열처리하였다. 연구된 모든 도우스에서 n형 층이 형성되었으며 최적 열처리 온도는 850℃이었다. 크롬이 도핑된 GaAs기판에 대해 최대 전기적 활성화 효률은 89%이었다. 캐리어 농도와 이동도의 depth profile은 이온 도우스와 열처 이에 매우 의존적이다. 800노의 열처리 후에도 이온 주입에 의해 생긴 손상이 일부 존재하고 있었으며 900℃ 열처리에서는 주입된 실리콘 이온의 약부확산과 외류확산이 있었다.