• 대한안전경영과학회:학술대회논문집
• /
• 대한안전경영과학회 2005년도 춘계학술대회
• /
• pp.417-428
• /
• 2005

Recently, Vendor Managed Inventory(VMI) is commonly recognized as one of the supply chain application that delivers clear value to the sectors of electic& electronic Components. VMI is a process in which a supplier generates orders for its distributor based on demand information sent by the distributor. VMI is providing the benefits of smoother demand, lower inventories and reduced costs. This case study focused on Improvement of Inventory Efficiency by VMI. The results indicated that VMI allowed the company to serve its customers more surely and efficiently.

• 대한안전경영과학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.179-191
• /
• 2005

Recently, Vendor Managed Inventory(VMI) has been commonly recognized as one of the supply chain application that delivers clear value to the sectors of electic & electronic components. VMI is a process in which a supplier generates orders for its distributor based on demand information sent by the distributor. VMI is providing the benefits of smoother demand, lower inventories(work in process, safety stock) and reduced costs. This study focused on improvement of safety level inventory efficiency by VMI. The results indicated that VMI allowed the company to serve its customers more surely and efficiently.

• 제어로봇시스템학회논문지
• /
• 제11권8호
• /
• pp.733-739
• /
• 2005

Device Description that is described as C-based DDL(Device Description Language) should be provided for the control system to use the progressive function of field device in the distributed control system. DD expresses field device function itself and parameter. DD is used to set a necessary function far a control strategy in the central control system. DD technology which was adopted as international standard IEC 61804-Part 2 is being used in PROFIBUS, Foundation Fieldbus and HART. However, the DD is dependent to the fieldbus and it doesn't have a suitable form in the industrial Ethernet. This paper presents the possibility of a change from EDD(Electronic Device Description) and GSD(General Slave Data) used for integrating field devices to XDD(XML for Device Description) and verifies it's effectiveness. Also, this paper presents research assignment on the XML application in the distributional system from now on by examining the possibility of Ethernet`s development in the industrial area.

• 한국작물학회:학술대회논문집
• /
• 한국작물학회 2018년도 추계학술대회
• /
• pp.273-273
• /
• 2018

• 한국작물학회:학술대회논문집
• /
• 한국작물학회 2019년도 춘계학술대회
• /
• pp.177-177
• /
• 2019

• 센서학회지
• /
• 제10권4호
• /
• pp.207-213
• /
• 2001

A Schottky type GaN ultraviolet photodetector with a mesa structure was fabricated by depositing an Al ohmic contact on an $n^+$-GaN layer and a Pt Schottky contact on a GaN layer. The undoped GaN(0.5um)/$n^-$-GaN(0.1 um)/$n^+$-GaN(1.5 um) multi-layer structure was grown on a sapphire substrate using MOCVD. The Schottky contact properties were characterized for different passivation conditions. The leakage current of the fabricated Schottky diode was 2 nA at a reverse voltage of 5V. Plus the photocurrent was 120uA using a hydrargyrum lamp with an optical power of 1mW at a wavelength of 365 nm. The diode exhibited an ultraviolet-visible rejection ratio of $10^2$.

• 한국재료학회지
• /
• 제3권1호
• /
• pp.28-32
• /
• 1993

Si기판상에 Ni 박막 저항체를 형성하여 hot wire anemometer형 흐름측정 소자를 제작하고 이의 특성을 평가하여 보안ㅆ다. 니켈 박박 저항체의 온도계수는 박막의 두께가 얇아짐에 따라 감소하였으며, 제작된 흐름센서의 감ㅁ도는 111.3${\mu}$W/(${\ell}$ pm$)^{1/2}$, 동적인 응답시간은 수 십초 정도로 평가되었다.

• 대한안전경영과학회:학술대회논문집
• /
• 대한안전경영과학회 2005년도 추계학술대회
• /
• pp.135-139
• /
• 2005

오늘날 국제화 글로벌시대의 도래, 정보기술의 진전으로 인한 인터넷보급의 확대로 인한 시장 환경이 급속하게 변화됨에 따라 공급체인 파트너들 간의 긴밀한 협력관계 구축의 필요성이 요구되는 상황에서 벤더에 의한 재고관리(VMI: Vendor Managed Inventory)는 시장변화에 신속하게 대응하고 기업간의 투명성을 제고하여 재고삭감의 문제를 해결하는 확실한 방법으로 조달 및 생산 물류관리의 가치를 제공하는 도구로 각광받고 있다. 지난 '98년 국내 최초로 유통업체인 롯데마그넷이 VMI를 도입한 이래로 제조 및 유통업체 및 전 부문으로 확산되고 있으며, 특히 전자 전기 자동차 제조업체의 도입 파급효과로 인하여 수직종속적인 구조관계에 있는 중소부품업체에서도 필요성을 인식하게 되었으며 최근 들어 VMI 도입을 시도하고 있다. 본 연구의 목적은 중소부품제조멉체의 VMI의 적용에 의한 물류성과에 관하여 영향을 미치는 효과, VMI의 활동요소와 성공요소와의 상관관계를 검증하고자 하였다. 본 연구는 VMI의 도입 적용을 준비 검토하고 있거나, VMI의 도입적용상 당면문제에 직면하고 있는 기업가, 실무담당자에게 문제해결을 위한 지침을 제공하고, 관련연구단체 및 기관, 학계의 연구자 및 학생들에게 새로운 방향을 제시하는데 의의가 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.113-113
• /
• 1999

최근의 고품질 III-N 화합물 반도체 박막성장과 더불어 청색계열의 LED 및 LD의 성공적인 실현은 본 연구분야에 대한 새롭고 헌신적인 상업적, 학문적/ 기술적 투자환경을 유도해 나가고 있다. 특히, c-축 배향 단결정 사파이어를 기판재료로 사용하고 얇은 GaN buffer의 사용은 고온에서 그 위에 성장되는 성장박막의 특성을 크게 향상시키는 것으로 알려져 있다. 그러나 절연체를 기판으로 사용함에 따른 소자구조 및 제작공정의 복잡성과 기판과 GaN 박막사이의 큰 격자 부정합에 따른 결함센터 등은 소자의 전기, 광학적, 구조적 특성에 부정적인 영향을 미치고 있다. 이러한 문제점을 해결하고 양질의 박막을 성장하기 위한 GaN 혹은 그 대체 기판의 개발에 많은 연구투자가 이루어지고 있는 현실 속에서 Si을 기판으로 이용한 GaN 성장의 가능성이 조심스럽게 점쳐지고 있다. 현재까지의 연구결과를 참조할 때 대체로 복잡한 interlayer를 사용하여 박막성장이 일부 이루어졌으나 그 재현성이나 성장의 중요인자에 대한 해석은 아직 분명하게 밝혀져 있지 않다. 본 연구에서는 원자적 관점에서 Si의 표면에 일부 변화를 유도하고, MOCVD 방법으로 그 위에 성장되는 GaN 박막의 광학적 및 표면 morphology 등에 미치는 영향을 분석하여 핵심적인 성장인자를 추출하고자 시도하였다. 성장된 GaN/Si 박막의 물성은 SEM(AFM), PL, XRD, Auger depth profile 장비등을 이용하여 조사하였으며 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 박막의 특성들과 비교 검토하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제29권10호
• /
• pp.620-624
• /
• 2016

Ferroelectric $Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ (PZT) films were deposited on SrTiO3(100) substrate by using conductive $SrRuO_3$ films as underlayer and their structural and ferroelectric properties were investigated. PZT films were grown in (00l) orientation on well lattice-matched pseudo-cubic $SrRuO_3$ films. Thickness dependence of ferroelectric and electrical properties of PZT films was investigated. PZT film with 400 nm thickness showed a remanent polarization ($P_r$) of $29.0{\mu}C/cm^2$ and coercive field ($E_c$) of 83 kV/cm, and $P_r$ decreased and $E_c$ increased with thickness reduction. The dielectric constant for PZT films showed gradual decrease with thickness reduction. Breakdown field of PZT films did not show the thickness dependence and displayed as high value as 1 MV/cm.