• 청정기술
• /
• 제6권1호
• /
• pp.79-84
• /
• 2000

반도체 세정공정에서 사용되는 화학약품의 소모량을 줄이기 위하여 소량의 전해질 혹은 초순수만을 전기분해 시켜 생성되는 전리수를 이용하여 금속 불순물들이 오염된 실리콘 웨이퍼를 습식세정을 하였다. 전리수는 다양한 범위의 pH 및 산화환원전위(oxidation-reduction potential, ORP)를 형성할 수 있으며, 전리수의 양극수는 pH 및 산화환원전위를 각각 4.7 및 +1000mV의 산화성 수용액을, 전리수의 음극수는 pH 및 산화환원전위가 각각 6.3 및 -550mV를 40분 이상 유지하고 있었다. 실리콘 웨이퍼 세정 전과 후의 금속 불순물 측정은 ICP-MS(Inductively coupled plasma spectroscopy)를 사용하였다. 전리수 가운데 양극수는 구리 불순물 제거에, 음극수는 철 불순물 제거에 효과적임을 확인하였다.

• 한국막학회:학술대회논문집
• /
• 한국막학회 1996년도 제4회 하계분리막 Workshop (초순수 제조와 막분리 공정)
• /
• pp.149-153
• /
• 1996

반도체 소자 제조 공정이 고 집적화 됨에 따라 습식 세정방법에 의한 세정공정의 중요성이 더욱 증가 되어지고 있으며, 특히 그 중에서 전체 세정공정의 약 절반을 차지하고 있는 Deionised water에 의한 rinsing 공정의 경우 ultrapure water의 quality가 최근 지속적으로 향상이 되어짐에 따라 많은 발전을 자져 왔다. 일반적으로 Deionised water에 함유하고 있는 TOC(total oxidisable components), bacteria, metallic impurity, desolved oxygen cencentration, colloidal material impurity (예를 들면 Silica, oraganic substrate)등은 ultra pure water의 quality를 결정하는데 매우 중요한 factor로 작용하고 있으며, 이러한 불순물들이 반도체 제조공정중 wafer surface에 흡착되어 졌을때 여러형태의 defect들을 유발한다고 알려져 있다. 그러나 pseudommonas, flavobacterlum, alcaligene등의 기 얄려진 bacteria들의 경우 Deionised water를 supply해주는 배관의 Inner surface에 잘 흡착 되지만 고온의 water 혹은 과산화수소수($H_{2}O_{2}$) 를 이용하여 주기적으로 처리 해줌으로 인하여 이에 대한 문제점을 어느정도 최소화 시킬수 있다. 위의 두가지 방법중 전자의 경우 chemical을 사용하지 않고, 유지 및 관리가 간편하며, 용존산소량을 줄일수 있다는 점에서 장점이 있으나, 전 ultra pure water의 system이 열적으로 안정해야 하고 경제적인 문제가 수반하는 단점을 가지고 있다. 후자의 경우, 미량의 과산화수소수 (1~10,000 ppm)를 이용해 처리 해주는 방법의 경우 경제적으로 큰 장점이 있고, 처리가 단순하다는 장점이 있으나 과산화수소수 자체에 포함하고 있는 높은 impurit level, 그리고 처리후 장시간의 flushing time을 가져야 한다는 단점등이 존재 하고 있다.

• 한국가스학회지
• /
• 제14권3호
• /
• pp.1-7
• /
• 2010

(주)시원기업에서 개발한 선회류식 세정전해기술을 이용한 실내공기오염물질 제거장치를 이용하여 다중이용시설에 관한 실내공기질 관리법에 따라 미세먼지, 냄새, VOC 등의 실내공기질을 기준치 이하로 제거하는 실험을 30분 동안 진행한 결과 미세분진(담배연기)은 $920{\mu}g/m^3{\rightarrow}112{\mu}g/m^3$로 저감되었고 가스상 물질은 포름알데히드(HCHO) 20ppm$\rightarrow$4ppm, 암모니아($NH_3$) 50ppm$\rightarrow$1ppm, 트리메틸아민($(CH_3CH_2)_3N$) 15ppm$\rightarrow$trace, 메틸에틸케톤($CH_3COC_2H_5$) 25ppm$\rightarrow$trace, 아세트알데히드($CH_3CHO$) 15ppm$\rightarrow$2ppm, 초산($CH_3COOH$) 20ppm$\rightarrow$trace, 아세톤($CH_3COCH_3$) 50ppm$\rightarrow$N.D로 고효율의 제거성능을 보여 선회류 세정장치에서 전해수를 세정하여 생성되는 세정필터를 이용한 실내공기질 저감기술로 실내환경을 쾌적하게 유지하는 것을 확인하였다. 오염물질을 제거하고 배출되는 다습한 공기는 실내습도를 40~60%정도로 유지하여 실내를 쾌적하게 하였다. 유해성제거실험으로 전기분해를 이용하여 대장균(E.coli)과 황색포도상구균(S.aureus)에 대해 살균시험을 수행한 결과 99.9%이상의 살균효과를 나타내었고 CODcr, 탁도는 완만한 저감곡선을 보여 세정수의 재이용 여부가 가능한 것을 확인하였다.

• 한국멀티미디어학회:학술대회논문집
• /
• 한국멀티미디어학회 2003년도 춘계학술발표대회논문집
• /
• pp.255-258
• /
• 2003

본 논문에서는 JPEG 압축 이외의 블러링(blumng) 및 샤프닝(sharpening) 등의 허용 가능한 이미지 조작에도 정보가 유지될 수 있는 내용 적응(content adaptive) 서명(signature) 기법을 제안하였다. 제안한 방법은 블록의 이미지 내용의 특성을 사용하여, 기존의 이미지 블록 사이의 DCT 계수 차이가 유지되는 DCT를 기반으로 한 Chang의 서명 방법의 단점을 개선하였다. 즉, 허용 가능한 이미지 조작에 대하여 에러 발생 확률이 높은 블록을 피하여 서명을 생성하였다 Lenna를 포함한 여러 표준 영상을 사용하여 실험한 결과, 제안한 랑법은 Chang의 방법에서 발생하는 서명의 비트 스트림 에러보다 에러 발생 빈도가 블러링 이미지에서는 평균 약 55％, 사프닝 이미지에서는 평균 약 51％ 더 낮았다.

• 한국재료학회지
• /
• 제6권4호
• /
• pp.379-387
• /
• 1996

본 연구에서는 GaAs 소자제작 및 epi-layer 성장 공정에 있어 이용되어지는 HCI, H3PO4, 탈이온수(de-ionized water:DIW)를 통한 습식제정후 공기중 노출에 따른 오염을 최소화하여 표면상태 변화를 진성적(intrinsic)으로 관찰하고자 모든 세정처리를 아르곤 가스(argon gas)로 분위기가 유지되는 glove box에서 수행하였으며, 표면조성 및 결합상태 변화에 대한 관찰은 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 이루어졌다. 고진공하에서 GaAs를 벽개하여 관찰함으로써 Ga이 대기중 산소이온과 우선적으로 결합함을 알 수 있었고, 이런 GaAs 표면의 반응성에 대한 고찰을 바탕으로 습식세정에 따른 화학반응 기구가 제시 되어졌다. HCI 및 H3PO4/DIW/HCI처리후 CI-이온의 Ga 이온과의 반응에 의한 Ga-CI결합의 형성과 As 산화물의 높은 용해도에 따른 As 산화물의 완전한 제거 및 식각전 초기(bare)GaAsvyaus에 존재하는 원소(elemental)As 상태의 식각후 잔류가 관찰되어졌다. 또 HCI, H3PO4/DIW/HCI 처리하고 DIW로 세척후 표면상태 변화를 관찰한 결과, DIW처리에 의해 elemental As 상태가 증가함을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제8권5호
• /
• pp.464-469
• /
• 1998

HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 40$0^{\circ}C$일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 40$0^{\circ}C$로 유지했을 때는 C54~$TiSi_2$상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 $100^{\circ}C$정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 $400^{\circ}C$에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 $\mu$$\Omega$cm임을 확인하였다.

• 한국막학회:학술대회논문집
• /
• 한국막학회 1996년도 춘계 총회 및 학술발표회
• /
• pp.46-47
• /
• 1996

막분리 공정의 공업적인 이용을 위해서는 막을 특정 용기에 적재한 모듈의 형태가 요구되는데 모듈의 형태에 따라 평판형(plate and frame), 나권형(spiral wound), 관형(tubular), 중공사형(hollow fiber)모듈 등이 있다. 이 중에서 관형 시스템은 내경이 12.5~25 mm, 길이 0.6~6.4 m에 이르는 비교적 큰 open channel로 되어 있으며 공급액 유로가 일반적으로 커서 전처리를 행하지 않고도 fouling이 적으며, 또한 막 표면의 세정이 약품에 의한 것 이외에 스폰지 볼 등에 의한 물리적 세정도 가능하므로 응용 범위가 넓다는 것이 특징이다. 한외여과 공정의 가장 큰 문제점은 농도분극 및 fouling 현상에 의한 플럭스 감소이다. 농도분극 현상은 경계층에서 용질의 대류,확산적인 전달에 기인하여 막 표면으로 갈수록 진해지는 용액층의 형성을 의미한다. 이 현상은 가역적인 과정으로서 감압함으로 원상태로 회복이 가능하며 조작 압력에서 정상상태가 되면 막투과 플럭스는 일정한 값을 유지한다.

• 한국발생생물학회:학술대회논문집
• /
• 한국발생생물학회 2003년도 제3회 국제심포지움 및 학술대회
• /
• pp.141-141
• /
• 2003

소에 있어서 수정란이식이 활성화되고, 수정란이식 기술이 첨단기술도입의 근간이 되면서, 수태율의 향상은 첨단기술의 활성화에 필수적인 요소가 되었다. 또한 수태율 향상을 위해 임신유지를 도와주는 progesterone의 정기적인 투여나 수정란이식 시기에 hCG 등을 투여하여 수태율을 향상시키고자 여러가지 방법이 시도되고 있으나, 수태율 향상에 대한 명확한 기술이 정립되지 않은 상태이다. 따라서 본 연구는 착상시 황체의 Progesterone의 분비를 촉진시키는 것으로 보고되고 있는 비장유래의 macrophage의 체외배양을 통하여 배양액 중 호르몬적 변화를 관찰하고 착상을 유도하는 기전을 밝히고자 시도하였다. 임신 및 비임신 도축암소의 비장을 채취하여 알루미늄박으로 포장하여 얼음에 채운 뒤 실험실로 운반하였고, 비장을 70% alcohol로 외부를 잘 세척한후 표피를 제거하였다. 표피를 제거한 비장조직을 가위로 잘게 세절하고 buffer A 용액으로 조직속의 세포를 분리하였다. 분리된 세포는 1,700 rpm으로 5분간 3회 세정하였으며, 세정된 세포는 유리 petri dish에 넣어 39$^{\circ}C$, 5% $CO_2$, 95% air인 배양기에서 2시간 동안 배양을 실시하였다. (중략)

• 한국동물학회지
• /
• 제36권4호
• /
• pp.580-587
• /
• 1993

북방산개구리의 성체 수컷들 년중 채집하여 gonadosomatic index(GSI)와 정자형성과 정 및 정소내 testosterone양의 변화를 조사하였다 정자형성은 8월에 시작되어 9월에 가장 활발하게 진행되었으며 이때 GSI도 가장 높았고 세정관의 단면적도 가장 넓었다 번식기(2월) 이후 일정기간 동안에는(3월-7월) 정자형성이 정지되었으며, GSI나 세정관의 단면적도 최저치를 나타내었다. 정소내 testosterone양은 11월부터 급격히 증가하여 2월에 가장 높았으며 3월부터 급격히 감소되어 10월 까지 매우 낮은 농도를 유지하였다. Interstitial cell의 수도 동면기간이 찰동기 보다 훨씬 많았으며 핵의 크기도 동면기간이 훨씬 컷다. 따라서 testosterone의 생성 증가와 interstitial cell의 활성화가 일치함을 알 수 있었다. 본 결과들은 북방산개구리의 정 소에서는 정자형성과정이 불연속적으로 일어난다는 것과 2월 이후에는 testosterone의 양이 급격히 줄어드는 것으로 보아 이 개구리의 번식기가 2월임을 확인해 주고 있다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2019년도 전력전자학술대회
• /
• pp.236-238
• /
• 2019

본 논문에서는 반도체 세정용 플라즈마 발생장치의 인버터 구성에 따른 손실을 비교 및 분석한다. 플라즈마를 유지하기 위해 DC-AC 인버터는 고전압을 출력해야 한다. 따라서 고효율 동작을 위해 각 인버터 구성에 따른 trade-off를 고려한 회로 선정이 필요하다. 이를 위해 20 kW 급 시뮬레이션을 수행하고 이를 토대로 전력 반도체 소자 및 자성체에서 발생하는 손실, 부피, 가격 등 각 인버터 구성에 따른 장단점 분석을 진행한다. 또한 분석 결과를 통해 플라즈마 발생자치에 적합한 인버터 구성 방식을 제시한다.