• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07c
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• pp.1477-1479
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• 2000

The annealing treatments on rf magnetron sputtered PZT($Pb_{1.05}(Zr_{0.52},Ti_{0.48})O_3$) thin films(4000${\AA}$) have been investigated for a structure of PZT/Pt/Ti/ITO coated glass. Crystallization properties of PZT films were strongly dependent on RTA(Rapid Thermal Annealing) annealing temperature and time. We were able to obtain a perovskite structure of PZT at 650$^{\circ}C$ and 10min. P-E curves of Pd/PZT/Pt capacitor demonstrate typical hysteresis loops. The measured values of $P_r$, $E_c$ were 15.8[${\mu}C/cm^2$], 95[kV/cm] respectively. Polarization value decrease about 10% after $10^9$ cycles.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.1
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• pp.77-81
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• 2000

Silica glass films to utilize optical waveguides was fabricated by Aerosol Flame Deposition(AFD) method. As the amount of B2O3 increased in the sol solution of (92-x)SiO2-xB2O3-8P2O5, the thermophoretic deposition rate onto Si substrate was markedly lowered due to vaporizing out of B2O3 and P2O5 during the vaporization and reaction of the aerosol in the flame. GeO2 was added to 62SiO2-30B2O3-8P2O5 in order to control easily the refractive index of glass films. As the amount of GeO2 increased from 2 to 12 wt%, its refractive index increased from 1.4633 up to 1.4716.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1941-1943
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• 2003

본 논문은 광 검출을 이용한 전기화학발광 (Electrochemiluminescence : ECL)을 마이크로시스템에 적용하여 소형화하였으며, 기존 광 검출 시스템과 결과를 비교하여 그 특성을 분석하였다. ECL은 전기에너지를 촉매로 사용하기 때문에 화학발광 보다 마이크로채널 내에서 발생하는 층류문제를 해결할 수 있는 적합한 방법이다. 유리기판에 Au를 박막으로 증착하여 전극으로 사용하였으며, SU-8 구조물을 이용한 PDMS mold를 사용하여 마이크로채널을 제작하였다. 전극과 PDMS는 $O_2$ 플라즈마를 이용하여 접합하였다. luminol과 과산화수소는 Syringe pump로 구동하였으며, 발생된 빛은 반도체 공정기술로 제작한 P-N접합 포토다이오드를 이용하여 전류신호로 측정하였다. 새로 구성된 시스템을 이용하여 마이크로채널 내에서의 luminol과 과산화수소의 유속, 농도변화에 따른 광전류 변화를 측정하여 기존시스템과 비교하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.134-136
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• 2002

유리기판 위에서 제작된 다결정 실리콘 TFT(Thin Film Transistor) 에서는 열전도율이 낮은 실리콘 산화막 같은 물질이 사용되기 때문에 열에 대해서 낮은 임계점을 갖는다. 이로 인하여. 게이트와 드레인에 높은 전압이 걸리는 조건에서 동작시킬 경우에는 다결정 실리콘 TFT에서의 열화 현상이 두드러지게 나타나게 된다. 그러나, 열전도율이 실리콘 산화막(SiO2) 보다 열배 이상 높은 실리콘 질화막(SiNx)을 ILD(inter-layer dielectric) 재료로 사용했을 때 같은 스트레스 조건에서 다결정 실리콘의 신뢰성이 개선되는 것을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.23 no.1
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• pp.6-9
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• 2010

Surface properties of polytetrafluoroethylene(PTFE) films fabricated by rf-magnetron sputtering system with UV surface treatment were investigated to increase water contact angle for their hydrophobic property. We found that the surface morphology and water contact angles of PTFE film modified as a function of the UV treatment times using UV-irradiation were influenced. The water contact angle of PTFE film with optimized UV treatment time for 15 minute showed a high hydrophobicity compared with the film without any surface treatment. We thought that it was due to the energy change of PTFE surface with an adhesion improvement to the glass surface as a smoothing a rough surface with needle-shape and/or the enhancement of an interface property as a removing some defects on the surface like a cleaning effect.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.254-255
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• 2000

반도체 양자점은 수 백 개에서 수 만 개에 이르는 원자들로 이루어진 미세한 결정 구조로써 독특한 물성들을 나타내므로 많은 연구가 이루어지고 있다. 양자점은 전자와 양공을 공간적으로 구속하는 양자효과에 의하여 양자점의 크기가 엑시톤의 보어 반지름보다 작아질수록 띠간격 에너지가 청색 편이하고 엑시톤의 결합 에너지가 증가하며 에너지 전이가 불연속이 되어 진동자 세기가 집중되는 등 광학적인 성질이 크게 변화하게 된다. 이미 반도체 양자우물 구조의 연구에서 나타나듯이 차원이 더욱 감소된 양자점에서는 엑시톤의 광학적 비선형성이 증가할 것으로 기대되어 유리 조직 내에 첨가시킨 반도체 미세구조나 박막 생장 기법에 의한 자발 형성 양자점, 화학적인 방법으로 얻어지는 용액상의 콜로이드등 다양한 방법들로 반도체 양자점을 제작하고 있다. 특히 양자점의 크기 분포, 모양 조절 및 양자점의 규칙적인 배열 등은 양자점의 기본적인 물성 탐구에 있어서 뿐 아니라 기능성 소자로의 응용에 있어서 잠재성이 크기 때문에 다양한 연구들이 이루어지고 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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• 2005.05a
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• pp.229-232
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• 2005

This paper presents the design and fabrication of backflow prevented Micropump using the metal membrane. The Micropump is consisted of the lower plate, metal membrane, upper plate and the piezoelectric-element. The lower plate includes the micro channel and the inlet, outlet of the Micropump. The upper plate includes the micro channel and connects the piezoelectric-element. These plate are fabricated on the Pyrex glass wafer by sandblasting process. The metal membrane does roll of check valve that is prevented backflow of the Micropump. The metal membrane is fabricated on the stainless steel by laser machining. Piezoelectric-element is actuated the Micropump and controlled flowing of fluid. The Micropump is fabricated by bonding process of these multi-layer.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.253-253
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• 2010

유리 기판 상에 시스템 온 패널과 같은 차세대 디스플레이 구현과 평판형 디스플레이의 문제점 해결을 위하여 비휘발성 메모리 소자 등의 전자 소자 집적화와 빠른 구동 속도를 가진 박막트랜지스터가 요구된다. 본 논문에서는 비휘발성 메모리 소자에서 MONOnS 각 layer층의 두께 따른 특성에 대한 연구를 진행하였다. 실험은 ONO 구조를 12.5nm/35nm/2.7nm, 12.5nm/20nm/2.3nm, 8.5nm/10nm/2.3nm, 6.5nm/10nm/1.9nm 의 두께로 증착하였다. ${\Delta}VFB$, Retention time, capacitance을 측정하여 oxide/Nitride/Oxynitride 층의 두께 변화를 통해 최적화된 tunneling layer와 charge storage layer, 그리고 blocking layer의 두께를 알 수 있다.

• Bulletin of the Korea Photovoltaic Society
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• v.5 no.1
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• pp.38-45
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• 2019

건물 일체형 태양광 발전시장의 증가에 따라 미적(Aesthetic) 요소가 결합된 태양광 모듈에 대한 수요가 증가하고 있다. 이런 시장의 요구에 따라 다양한 색상을 가지고 있는 컬러 태양광 모듈에 대한 연구 및 개발이 활발하게 진행되고 있다. 여러 제안된 컬러 태양광 모듈 기술 중 결정질 실리콘(crystalline-silicon) 기반 태양광 모듈에 컬러 유리 혹은 컬러 층을 도입하는 기술은 기존 실리콘 모듈의 장점인 신뢰도와 가격 측면에서 다른 방식 대비 큰 장점이 있다. 결정질 실리콘 모듈에 컬러를 구현하기 위해서는 현재 크게 세가지 방식이 제안되고 있다. 가장 먼저 제안된 방식은 태양전지 전면에 반사 방지막 형성 시 특정 파장만 반사할 수 있는 층이 도입된 컬러 태양전지(color photovoltaic cell)를 이용하여 색상을 구현하는 방식이다. 다른 한 방식은 일반 검정색 태양전지에 반사가 가능한 입자 혹은 박막층을 태양광 모듈 전면에 도입하는 반사형(Reflective) 컬러 태양광 모듈 기술이다. 마지막으로 특정 파장을 흡수하여 다른 파장으로 발광하는 염료 혹은 안료를 이용한 발광형(Luminescent)방식에 대한 연구도 진행 중이다. 본고에서는 각 방식의 동작 특성 및 기술 동향에 대해 논의하고자 한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.3
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• pp.691-698
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• 2010

In this study Al-doped ZnO (AZO) thin films have been fabricated on Eagle 2000 glass substrates at various substrate temperature ($100{\sim}500^{\circ}C$) and working pressure (10 ~ 40 mTorr) by RF magnetron sputtering in order to investigate the structural, electrical, and optical properties of the AZO thin films. The obtained films were polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure and preferentially oriented in the (002) crystallographic direction. The AZO thin films, which were deposited at $T=300^{\circ}C$ for 10 mTorr, shows the highest (002) orientation, and the full width at half maximum (FWHM) of the (002) diffraction peak is $0.42^{\circ}$. The lowest resistivity ($2.64{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm$) with the highest cartier concentration ($5.29{\times}10^{20}\;cm^{-3}$) and a Hall mobility of ($6.23\;cm^2/Vs$) are obtained in the AZO thin films deposited at $T=300^{\circ}C$ for 10 mTorr. The optical transmittance in the visible region is approximately 80%, regardless of process conditions. The optical band-gap depends on the Al doping level as the substrate temperature increases and the working pressure decrease. The optical band-gap widening is proportional to cartier concentration due to the Burstein-Moss effect.