• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.96-96
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• 2009

ferrite module을 설치한 내장형 선형 유도결합 플라즈마 소스를 이용하여 차세대 디스플레이 산업에서의 적용 가능성에 대하여 연구하였다. ferrite module을 적용함으로써 플라즈마 밀도 및 균일도의 향상을 관찰하였으며, 공정 중에 플라즈마의 안정성을 증가시킬 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.145-146
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• 2009

크롬 도금된 AISI 316L 스테인리스강에 펄스 바이어스를 사용한 유도결합 플라즈마로 질화 처리하여 고분자 전해질 연료전지용 분리판에 적합한 물성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.204-204
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• 2009

추가적인 습식 에칭 공정 없이 유도결합 화학 기상 증착법을 이용하여 공정변수 조절만으로 ZnO 박막의 texture와 표면 거칠기를 조절하여 Hzae 특성을 향상시켰다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.240-240
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• 2015

본 논문에서는 플라즈마 모델링과 식각 표면 분석을 통해 가스 비율 변화에 따른 $CF_4/C_4F_8/Ar$ 유도결합 플라즈마의 특성과 Si 및 $SiO_2$의 식각 메커니즘에 대해 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.112-112
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• 2011

300 mm 웨이퍼용 도핑장치에서 2 MHz 유도결합 플라즈마와 8 kHz의 기판 바이폴라 펄스 바이어스에 의한 플라즈마에 대해 수치 계산이 수행되었다. 한 주기에서 0, -500, +100 V의 Pulse duration동안 기판 전체에 100, 500, 150 eV 부근의 이온 입사 에너지 분포를 보였으며, 이에 따라 기판 가장자리에서의 이온 입사 각도는 -30~+$30^{\circ}$ 사이에서 변화함으로서 도핑 불균일에 대한 원인을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.334-334
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• 2012

다음 세대 웨이퍼 공정인 450mm 웨이퍼 공정을 위한 이중 주파수 유도결합 플라즈마 소스를 이용하여 각각의 안테나에 파워를 인가하고, 이 때 방전되는 플라즈마의 특성을 Langmuir probe를 통하여 확인할 수 있었다. 또한 인가되는 파워를 조절하여 플라즈마 내의 전자에너지를 조절할 수 있다는 가능성을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.30 no.3
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• pp.327-332
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• 1986

Spatial (radial and height) distribution of electron number density is measured for an inductively coupled plasma under five operating conditions: (1) no carrier gas, (2) carrier gas without aerosel, (3) carrier gas with aerosol, (4) carrier gas with desolvated aerosol, and (5) carrier gas with aerosol and excess lithium. A complete RF power mapping of electron density is obtained. The plasma electrons for a typical analytical torch are observed to be hollow at the radial center in the region close to the induction coil, but diffuse rapidly toward the center in the higher region of the plasma. The presence of excess Li makes no significant change in the electron density profiles. The increases in the RF power levels increase the values of electron density uniformly across the radial coordinate.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.21 no.6
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• pp.230-234
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• 2011

High density plasma etching of ZnO film was performed in $CF_4$/Ar and $SF_6$/Ar inductively coupled plasmas. Maximum etch rates of ~1950 ${\AA}$/min and ~1400 ${\AA}$/min were obtained for $10CF_4$/5Ar and $10SF_6$/5Ar ICP discharges, respectively. The etched ZnO surfaces showed better RMS roughness values than the unetched control sample under most of the conditions examined. In the $10CF_4$/5Ar ICP discharges, very high etch selectivities were obtained for ZnO over Ni (max. 11) while Al showed etch selectivities in the range of 1.6~4.7 to ZnO.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.02a
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• pp.163-163
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• 1999

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.11a
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• pp.44-45
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• 2014

본 논문은 ITER의 플라즈마 제어를 위하여 자기적으로 결합된 초전도 PF 코일에 흐르는 전류를 제어하는 기법과 RTDS 실험결과를 분석하였다. MATLAB/SIMULINK를 이용하여 유도 결합된 4개의 초전도코일을 모델링하여 전류제어기법을 시뮬레이션하였으며, 실험은 RTDS를 이용하여 진행하였다. 각 부하전류가 전류 지령치를 추종할 때, 동시다발적으로 발생하는 상호 인덕턴스와 전류 극성변화의 영향을 MIMO(Multi Input Multi Output) 시스템 기반으로 하여 각 초전도코일의 전압변화 특성을 해석하였다. 시뮬레이션과 실험을 통해 MIMO 시스템 특성의 유도 결합된 초전도코일의 전류제어 특성을 검증하였다.