• Korean Journal of Materials Research
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• v.16 no.5
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• pp.302-307
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• 2006

The formation and processing of organic insulators on the device performance have been studied in the fabrication of organic thin film transistors (OTFTs). The series of polyvinyls, poly-4-vinyl phenol(PVP) and polyvinyltoluene (PVT), were used as solutes and propylene glycol monomethyl ether acetate(PGMEA) as a solvent in the formation of organic insulators. The cross-linking of organic insulators was also attempted by adding the thermosetting material, poly (melamine-co-formaldehyde) as a hardener in the compound. The electrical characteristics measured in the metal-insulator-metal (MIM) structures showed that insulating properties of PVP layers were generally superior to those of PVT layers. Among the layers of PVP series: PVP(10 wt%) copolymer, 5 wt% cross-linked PVP(10 wt%), PVP(20 wt%) copolymer, 5 wt% cross-linked PVP(20 wt%) and 10 wt% cross-linked PVP(20 wt%), the 10 wt% cross-linked PVP(20 wt%) layer showed the lowest leakage current characteristics. Finally, inverted staggered OTFTs using the PVP(20 wt%) copolymer, 5 wt% cross-linked PVP(20 wt%) and 10 wt% cross-linked PVP(20 wt%) as gate insulators were fabricated on the polyether sulphone (PES) substrates. In our experiments, we could obtain the maximum field effect mobility of 0.31 $cm^2/Vs$ in the device from 5 wt% cross-linked PVP(20 wt%) and the highest on/off current ratio of $1.92{\times}10^5$ in the device from 10 wt% cross-linked PVP(20 wt%).

• Journal of the Korean institute of surface engineering
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• v.41 no.1
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• pp.1-5
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• 2008

In this work, improvement of mechanical and electrical properties of gate dielectric layer for flexible organic thin film transistor (OTFT) devices was investigated. In order to increase the mechanical flexibility of PVP (poly(4-vinyl phenol) organic gate dielectric, a very thin inorganic $HfO_2$ layers with the thickness of $5{\sim}20nm$ was inserted in between the spin-coated PVP layers. Insertion of the inorganic $HfO_2$ in the laminated organic/inorganic structure of PVP/$HfO_2$/PVP layer led to a dramatic reduction in the leakage current compared to the pure PVP layer. Under repetitive cyclic bending, the leakage current density of the laminated PVP/$HfO_2$/PVP layer with the thickness of 20-nm $HfO_2$ layer was not changed, while that of the single PVP layer was increased significantly. Mechanical flexibility tests of the OTFT devices by cyclic bending with 5 mm bending radius indicated that the leakage current of the laminated PVP/$HfO_2$(20 nm)/PVP gate dielectric in the device structure was also much smaller than that of the single PVP layer.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.376-376
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• 2007

In Liquid Crystal Display (LCD) manufacturing, the organic over coat materials over coat materials for insulation layer of color filter with acryl ate was widely used. Therefore, we approach that the organic overcoat material can use to insulation layer for color filter and liquid crystal (LC) alignment layer in this research. The LC aligning capabilities was successful stuided for the first time. The organic overcoat layer and polymer layer was coated by spin-coating. In order to characterize the LC alignment, electric optic and residual DC and atomic force microscopy (AFM) image was used. The good LCD aligning capabilities treated on the organic overcoat thin film surfaces with ion beam exposure of $45^{\circ}$ above ion beam energy density of 1200 eV can be achieved. Also the good LCD alignment capabilities treated polymer on surfaces with ion beam exposure of $45^{\circ}$ above ion beam energy density of 1800 eV can be achieved. Comparing electro-optical characteristics between the Polyimide (PI) and the overcoat, the resultant transmittance of the overcoat considerably matched that of the PI and the residual DC also exhibited similar features with the PI.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.106-106
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• 1999

반도체 소자가 소브마이크론 이하로 집적화 되어감에 따라, RC 신호 지연 및 간섭 현상, 전력 소비의 증가 문제가 심각하게 대두되고 있다. 이러한 문제를 개선하기 위해서는, 현재 층간 절연막으로 상용화되어 있는 SiO2 박막을 대체할 저유전율 박막의 개발이 필수적이며, 많은 연구자들이 여러 가지 새로운 유기물질과 무기물질은 제안하고 있다. 반도체 공정상의 적합성을 고려할 때, 이들 여러물질 중에서 알킬기를 함유한 SiO2 박막(이하 'Si-O-C-H 박막'으로 표기)에 많은 관심이 집중되고 있다. Si-O-C-H 박막은 알킬기에 의해 형성된 나노 스케일의 기공에 의해 작은 유전율을 가지게 된다. 따라서, 박막내의 알킬기의 함유량이 많을수록 보다 작은 유전율을 얻을 수 있다. 그러나 과다한 알킬기의 함유는 Si-O-C-H 박막의 열적 특성을 열화시키는 부정적인 효과도 있다. 본 연구에서는 bis-trimethylsilylmethane(BTMSM, H9C3-Si-CH2-Si-C3H9) precursor를 이용하여 Si-O-C-H 박막을 증착하였다. BTMSM precursor의 중요한 특징중 하나는, 두 실리콘 원자 사이에 Si-CH2 결합이 존재한다는 사실이다. Si-CH2 결합은 양쪽의 Si에 의해 강하게 결합되어 있어서, BTMSM precursor를 사용하여 Si-O-C-H 박막은 유전상수도 작을 뿐 아니라, 열적으로도 안정된 특성이 얻어질 것으로 기대된다. Si-O-C-H 박막의 열적 안정성을 평가하기 위하여, 고온 열처리 전후의 FT-IR 스펙트럼 분석과 C-V(capacitance-voltage) 측정에 의한 유전상수 변화를 살펴보았다. 또한 증착된 박막의 미세구조 및 step coverage 특성 관찰을 위하여 SEM(scanning electron microscopy) 및 TEM(transmission electron micfroscopy) 분석을 하였다. 변화하였으며 이는 포토루미네슨스의 변화의 원인으로 판단된다. 연구하였다. CeO2 와 Si 사이의 계면을 TEM 측정에 의해 분석하였고, Ce와 O의 화학적 조성비를 RBS에 의해 측정하였다. Si(100) 기판위에 증착된 CeO2 는 $600^{\circ}C$ 낮은 증착률에서 seed layer를 하지 않은 조건에서 CeO2 (200) 방향으로 우선 성장하였으며, Si(111) 기판 위의 CeO2 박막은 40$0^{\circ}C$ 높은 증착률에서 seed layer를 2분이상 한 조건에서 CeO2 (111) 방향으로 우선 성장하였다. TEM 분석에서 CeO2 와 Si 기판사이에서 계면에서 얇은 SiO2층이 형성되었으며, TED 분석은 Si(100) 과 Si(111) 위에 증착한 CeO2 박막이 각각 우선 방향성을 가진 다결정임을 보여주었다. C-V 곡선에서 나타난 Hysteresis는 CeO2 박막과 Si 사이의 결함때문이라고 사료된다.phology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다. 포유동물 세포에 유전자 발현벡터로써 사용할 수 있음으로 post-genomics시대에 다양한 종류의 단백질 기능연구에 맡은 도움이 되리라 기대한다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상 분사기술의 최적화에 의한 기능성 나노 입자 제조 기술을 확립하고 2차 오염 발생원인 유기계 항균제를 무기계 항균제로 대

• 전자공학회논문지 IE
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• v.43 no.4
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• pp.99-104
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• 2006

The Langmuir-Blodgett(LB) technique has attracted considerable interest in the fabrication of electrical and electronic devices. Maxwell displacement current (MDC) measurement has been employed to study the dielectric property of Langmuir-films. MDC flowing across monolayers is analyzed using a rod-like molecular model. A linear relationship between the monolayer compression speed u and the molecular area Am. Compression speed a was about 30, 40, 50mm/min. Langmuir-Blodgett(LB)layers of Arachidic acid deposited by LB method were deposited onto slide glass as Y-type film. The structure of manufactured device is Au/Arachidic acid/Al, the number of accumulated layers are 9$\sim$21. Also, we then examined of the Metal-Insulator-Metal(MIM) device by means of I-V. The I-V characteristics of the device are measured from -3 to +3[V]. The insulation property of a thin film is better as the distance between electrodes is larger.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.138-138
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• 2010

플렉서블 디스플레이에 사용되고 있는 기판은 광학적 투과율이 우수하고 휘어지는 폴리머 기판이 많이 활용되고 있으나 대기중의 수분 및 산소와 같은 가스성분들이 기판을 통해 침투하여 디스플레이의 수명을 감소시킨다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 투명하면서 절연특성이 뛰어나고 수분투과 방지 특성이 뛰어난 실리콘 화합물을 기반으로 하는 가스차단막의 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 실험에서는 기존의 스퍼터링 장치에 비해 저온공정이면서 구조적으로 뛰어난 박막특성을 얻을 수 있는 대향타겟식 스퍼터링(Facing Targets System, FTS)법을 이용하여 PEN기판 위에 $SiO_x$, $SiO_xN_y$, $(SiO_2)_x(ZnO)_{100-x}$ (SZO)를 단일층또는 다층으로 증착한 박막들의 광학적, 구조적 및 수분 투과 방지 특성들을 알아보았다. $SiO_x$, $SiO_xN_y$, SZO박막들의 광학적 특성을 알아보기 위해 Shimadzu사의 UV-VIS spectrophotometer 장비를 사용하여 측정한 결과 가시광 영역에서 80%이상의 높은 광투과율을 나타내었다. 박막의 수분투과 방지 특성으로 Mocon사의 Permatran W3/31 system을 이용한 투습율을 측정결과 가스 차단막이 없는 Bare PEN에 비해 PEN기판 위에 $SiO_x$와 $SiO_xN_y$ 박막들을 단층 또는 다층으로 증착한 박막의 투습율이 감소한 것을 확인 할 수 있었다. 특히 SZO 박막의 경우 다른 가스차단막들과 비교해 가장 낮은 수분투과율을 나타내었다. 이는 향후 SZO를 기반으로 한 단층박막이나 무기/무기 또는 유기/무기의 다층 박막 형태를 가지는 가스차단막이 플렉서블 디스플레이에 적용 가능할 것이라 사료된다.