• Title/Summary/Keyword: 유기 박막 트랜지스터

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유기박막트랜지스터를 위한 극초단 펄스 레이저 마이크로-나노 패터닝

  • Jo, Jeong-Hyeong;Chae, Sang-Min;Kim, Yong-Hwi;Lee, A-Ra;Lee, Hyeon-Hwi;Choe, Ji-Yeon;Kim, Hyo-Jeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.271-271
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    • 2016
  • highly doped N-type 실리콘 기판 위에 극초단 펄스 레이저를 이용하여 LIPSS (Laser-Induced Periodic Surface Structure) 패턴을 형성하였다. 형성된 LIPSS 구조는 $15{\mu}m$와 500 nm 주기를 가지는 ripple로 형성이 되었고 이 구조를 형성하기 위해서 사용된 레이저는 Satsuma HP2, Amplitude syst?mes 이다. LIPSS 패턴을 가지는 기판 위에는 유기반도체 물질인 pentacene을 50 nm로 열 증착방법을 통해 박막을 형성하여 유기박막트랜지스터를 제작하였고, hole mobility를 측정하였다. LIPSS 패턴을 가지는 실리콘 기판과 pristine 실리콘 기판 위의 pentacene의 morphology를 AFM으로 관찰하고 유도된 구조를 연구하였다.

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High-Performance Organic Thin-Film Transistors with Metal Bilayer Electrodes (메탈 이중층 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 성능향상)

  • Hyung, Gun-Woo;Yang, Jin-Woo;Lee, Ho-Won;Koo, Ja-Ryong;Hwang, Jin-Ha;Kim, Young-Kwan
    • Journal of the Korean Applied Science and Technology
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    • v.27 no.1
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    • pp.50-55
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    • 2010
  • 본 논문은 메탈 이중층 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터를 제작하여 Au나 Ag 금속만으로 제작한 일반적인 유기 박막 트랜지스터와의 전기적 특성을 비교하였다. 전기적 특성에서 게이트 절연층은 높은 K 값을 갖는 $Al_2O_3$를 사용하였고, 유기 반도체층은 펜타센을 사용하였다. 본 실험에서 제작한 유기 박막 트랜지스터는 $1.6 \;{\times}\;10^{-1}\;cm^2$의 포화영역 이동도를 얻을 수 있었으며, 또한 드레인 전압을 -5V로 하고, 게이트 전압을 3 V에서 -10 V 까지 인가하였을 때 $3{\times}10^5$의 전멸 비를 얻을 수 있었다.

A Study on the Electrical Characteristics of Organic Thin Film Transistor, OTFT With Plasma-Treated Gate Insulators (Plasma 처리한 유기 절연층을 갖는 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성 연구)

  • 김연주;박재훈;강성인;최종선
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.13 no.3
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    • pp.99-102
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    • 2004
  • In this work the electrical characteristics of organic thin film transistors with the surface-treated organic gate insulator have been studied. For the surface treatment of gate dielectric, Ar plasma was used. Pentacene and PVP were used as active and dielectric layers respectively. Pentacene was thermally evaporated in vacuum at a pressure of about $10^{-6}$ Torr and at a deposition rate of 0.5 $\AA$/sec. PVP was spin coated and cured at $100^{\circ}C$. before pentacene deposition. organic thin film transistors with surface-treated gate insulators have provided improved operation characteristics.

Characteristics and Fabrication of Vertical Type Organic Light Emitting Transistors Using n-Type Organic Materials (N형 유기물질을 이용한 세로형 유기 발광트랜지스터의 제작 및 특성에 관한 연구)

  • Oh Se-Young;Kim Hee-Jeong;Jang Kyoung-Mi
    • Polymer(Korea)
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    • v.30 no.3
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    • pp.253-258
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    • 2006
  • We have fabricated vortical type organic thin film transistors (OTFTs) consisting of ITO/n type active material/Al gate/n type active material/Al using F16CuPc, NTCDA, PTCDA and PTCDI C-8. The effect of mobility of n type active materials and thin film thickness on current-voltage (I-V) characteristics and on/off ratios were investigated. The vortical type organic transistor using PTCDI C-8 exhibited low operation voltage and high on-off ratio. In addition, we have investigated the feasibility of application in organic light emitting transistor using light emitting polymer. Especially, the light emitting transistor consisting of ITO/PEDOT-PSS/P3HT/F16CuPc/Al gate/F16CuPc/Al showed the maximum quantum efficiency of 0.054.

Polarity Inversion Driving Method to Reduce the Threshold Voltage Shift in a-Si:H TFT AMOLED (비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 트랜지스터 능동 구동형 유기 발광 소자의 문턱 전압 열화(degradation)효과를 줄이기 위한 극성 반전 구동 방법)

  • Lee, Woo-Cheul;Park, Hyun-Sang;Han, Min-Koo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.248-249
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    • 2007
  • 본 연구에서는 능동 구동형 유기 발광 소자(AMOLED)에 쓰이는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)의 전류 안정성(stability)을 개선하기 위한 새로운 구동방법(driving method)을 제안한다. 제안된 방식은 한 프레임 시간 중 특정 시간동안 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)에 음의 화상데이터전압을 인가함으로써 열화(degradation)를 억제한다. 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 열화를 회복하기 위한 음의 화상데이터의 진폭은 실제 이미지를 표현하는 이전에 인가한 양의 화상데이터에 의해 결정된다. 본 연구에서 제안된 구동방식을 시뮬레이션을 통하여 화소 회로의 동작을 검증하였고, 이를 통해 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 열화가 억제되는 것과 화면의 균일성(screen uniformity) 개선하고자 한다.

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Organic Transistor Characteristics with Electrode Structures (전극 구조에 따른 유기 트랜지스터 특성)

  • Lee, Boong-Joo
    • The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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    • v.8 no.1
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    • pp.93-98
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    • 2013
  • In this paper, We have fabricated PMMA thin films by plasma polymerization method for organic thin film transistor's insulator layer. For improving the characteristics of organic transistor, we tested transistor's mobility and output values with organic transistor's electrode structures. As a results, the mobility of top contact was $8{\times}10^{-3}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$, that of bottom contact was $2{\times}10^{-4}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$. Also, off current of bottom contact was increased. Therefore, we recommend the top contact electrode structure of organic transistor.

Fabrication of Organic IC based on Pentacene TFTs on Plastic Substrate (플라스틱 기판에 펜타센 유기박막트랜지스터를 이용한 집적회로 제작)

  • Xu, Yong-Xian;Hwang, Sung-Beom;Song, Chung-Kun
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.44 no.11
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    • pp.9-14
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    • 2007
  • In this article, the organic integrated circuits such as inverter, ring oscillator, NAND and NOR gates, and rectifier have been fabricated on PEN substrate by using pentacene TFTs, The OTFTs used bottom contact structure and produced the average mobility of 0.26 $cm^2/V.sec$ and on/off current ratio of $10^5$. All circuits successfully worked as the simulation results. Especially, the rectifier was able to operate up to 1 MHz input AC signals, and ring oscillator exhibited oscillation frequency of 1MHz at 40 V. Based on the results of organic integrated circuits we could confirm the possibility of the low cost RFID tags and flexible display with OTFTs.

Gate insulator Poly(4-vinylphenol) solvent concentration organic thin-film transistor characteristic effect (게이트 절연막 Poly(4-vinylphenol) 용제 비율에 따른 유기 박막 트랜지스터 특성 변화)

  • Jeun, Jun-Ho;Kim, Jung-Min;Lee, Dong-Hoon;Kim, Yong-Sang
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.1700-1701
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    • 2011
  • 본 논문에서는 게이트 절연막인 poly(4-vinylphenol) (PVP) 용제 농도 변화에 따른 유기 박막 트랜지스터를 제작하고 그 특성을 분석하였다. PVP는 propylene glycol monomethyl ether acetate(PGMEA) 와 poly melamine-co-formaldehyde (CLA)를 혼합하여 cross linked PVP를 만들어 사용하였다. Cross-liked PVP의 CLA 농도 비율을 각각 6 wt%, 9 wt%로 변화시켜 유기 박막 트랜지스터를 제작하고 소자의 전기적 특성을 분석 하였다.

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