• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.335-335
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• 2012

높은 효율의 InGaN/GaN 전광소자는 현대 조명 산업에 필수적인 역할을 하고 있다. 전광소자의 효율을 높이는 데에는 여러가지 한계들이 있다. 예를 들면 높은 전류에서의 효율 저하, GaN의 전위결함에 의한 비발광 재결합의 발생 등이 있다. 이러한 한계를 극복하고자 InGaN/GaN 전광소자의 효율을 높이기 위해 사파이어 기판의 표면을 거칠게 바꾸는 방법, 무분극 전광소자, 표면 플라즈몬 등 여러가지 많은 방법들이 개발되고 있다. 본 실험에서는 유기금속화학증착 방법을 이용하여 사파이어 기판위에 Si이 도핑된 n-type GaN를 3.0 um 증착 하였고 그 위에는 9층의 양자 우물 층을 쌓았다. 마지막으로 위층은 Mg 이 도핑된 p-type GaN를 200 nm 증착 하여 소자를 형성하였다. 포토리소그래피 공정과 에칭공정을 통하여 7 um 인 선 패턴을 가진 시료를 완성하였다. 투과 전자 현미경의 측정 결과 맨 위층인 p-GaN의 에칭된 깊이는 175 nm 이였다. 금속박막을 증착하기 위해 열증착 방법으로 금과 은의 박막을 두께를 달리하여 0~40 nm증착 하였다. 금과 은의 두께에 따른 광발광 측정 결과 은(Ag)박막만 40 nm 일 경우 금속박막이 없는 시료보다 광발광 효율이 7배 증가하였고 금 10 nm와 은 30 nm 인 경우에는 3.5배 증가하였다. 또한 패턴의 폭에 따른 광발광 증가를 알아보고 광발광 증가가 일어나기 위한 최적의 패턴조건을 알고자 폭을 5, 10 um 달리하였고, 원자간 힘 현미경과 전자현미경을 이용하여 에칭된 패턴의 폭과 두께를 확인하였다. 본 실험을 통해 금과 은박막에 의한 표면플라즈몬 효과와 광발광 효율증대에 대해 토의할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.276-276
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• 2011

진공증착법으로 ITO (indium-tin-oxide) 기판 위에 $AgGaSe_2$ 박막을 성장시켜 그 구조와 광학적 특성을 조사하였다. X-선 회절 분석에 의하여 살창상수는 a=5.97 ${\AA}$와 c=10.88 ${\AA}$이고, 황동광(chalcopyrite) 구조를 하고 있었으며, 그 성장 방향은 (112)방향으로 선택 성장됨을 알 수 있었다. 증착된 박막과 200~400$^{\circ}C$로 열처리한 박막의 실온에서 측정한 광학적인 에너지 띠 간격은 2.02 eV에서 2.28 eV까지 변하였다. 또한 열린회로로 구성되어 있는 시료의 표면에 광 펄스를 주입하여 표면에서 형성된 전하들의 거동을 광유기 방전 특성(PIDC) 방법을 이용하여 조사하였다. 초기전위 V0로 형성된 시료의 양단을 주행하는 운반자 농도, 전류밀도 및 전기장 효과를 관찰하여 운반자의 주행시간, 이동도 그리고 전하운반자 농도를 계산한 결과는 각각 42 ${\mu}s$~81 ${\mu}s$, $1.9{\times}10^{-1}\;cm^2/Vs$~$5.7{\times}10^{-2}\;cm^2/Vs$ 그리고 약 $6.0{\times}10^{17}/cm^3$~$2.0{\times}10^{18}/cm^3$이었으며, p-형 전도를 나타내었다. 원자 힘 현미경 실험으로 제곱평균제곱근 거칠기와 입계크기를 조사하였으며, X-선 광전자 분광실험으로 원소들의 결합상태를 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.516-516
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• 2013

Flexible Display를 제작하기 위해서는 유기소자를 보호하는 보호막이 필요하다. 유기소자는 산소 및 수분에 매우 취약하기 때문에 장수명을 확보하기 위해서는 추가적인 보호층이 필요하다. 본 논문에서는 이를 위해 Encapsulation 중 한 방법인 Barrier Film을 제작하고 그에 따른 광학적인 특성 및 수분 투습율을 조사하였다. Barrier film의 광학적 분석 방법으로는 XPS, SEM, AFM, Transmittance를 측정하였으며, XPS는 박막내의 화학적인 결합을 알기 위해서 사용되었고, SEM은 박막의 두께 및 박막내의 결함을 파악하고자 하였다. SEM을 통해 증착속도가 32.6 nm/m이라는 것을 관찰할 수 있었다. AFM을 통해 증착된 박막의 표면 거칠기를 파악하였다. Transmittance는 PET 기판을 사용하여 가시광 영역에서 80%이상의 투과도를 나타내었다. PECVD 장비를 사용하여 SiH4, NH3, N2가스를 사용하여 PET 필름 위에 박막을 증착하였으며, 유량을 10~400 sccm 내에서 변화시키고, RF Power는 각각 30~300 W 15분간 증착하였다. 제작된 보호막의 수분투습율은 $2{\times}10{_2}^{-2}g/m^2/day$ 이하의 값을 나타내었다.

• Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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• v.12 no.3
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• pp.86-94
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• 2007

In this paper, the electric characteristics in multilayer organic light emitting, diodes(OLEDs) are observed using a numerical device modeling method. The methode is applied to a general device structure, ITO/CuPC/${\alpha}-NPD$/ Alq3/LiF/Al, that has received broad attention in previous literature. The fitted current-voltage characteristics are quite consistent with the results which was experimentally determined in reference papers. This research approached results in a detailed understanding of the operating machanism of a multilayer OLEDs and applied to a set of real devices.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.11a
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• pp.130-130
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• 2012

리튬이차전지의 음극재로 적용하기 위해, 텅스텐 산화물을 구리 기재 위에 전해 도금하였다. 이를 위해 텅스텐 산화물 염이 포함된 도금 조 내에서 다양한 도금 조건을 사용하여 산화물을 구리 기재 위에 박막 형태로 형성시켰다. 형성된 박막 산화물의 조성 및 구조적 특성을 분석하였고, 특히, 리튬 염을 포함하는 유기 용매 하에서 순환 전위 실험을 수행하여, 텅스텐 산화물 전해 도금 박막이 리튬이차전지의 음극재로서 리튬과 가역적으로 반응하는지 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.100-101
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• 2002

자성가넷 박막은 가시광선 영역에서 큰 값의 페러데이 회전각을 갖고, 광흡수가 적어 우수한 자기광학 특성을 나타내는 재료로 널리 알려져 있다.[1]. 또한 가넷에 Bi를 치환하면 성능지수가 크게 증가하는 것이 알려져 있으므로 현재 연구개발의 초점이 Bi치환 가넷 박막에 모아지고 있다. 가넷박막을 제조하는 방법에 있어 종래에는 스퍼터링법, LPE법, 열분해법 등으로 연구되어 왔으나, 스퍼터링법과 LPE법의 경우 공정이 복잡하고 고가의 장치가 필요한 단점이 있으며, 열분해법의 경우에는 잔존하는 일부 분해가스로 인하여 박막이 다공질화 될 우려가 있다.[2]. (중략)

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.4
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• pp.373-378
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• 2000

There was a great difference in the formation kinetics of $TiO_2$ and $Bi_2O_3$ on silicon, but the growth of bismuth titanate (BIT) thin film was mainly limited by the formation of $TiO_2$. As a result, the BIT film was easy to be lack of bismuth. The pulse injection metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process was introduced in order to overcome this problem by recovering the insufficient bismuth content in the film. By this pulse injection method, bismuth content was increased and also the uniform in-depth composition of the film was attained with a abrupt $Bi_4Ti_3O_{12}/Si$ interface. In addition, the crystallinity of $Bi_4Ti_3O_{12}$ thin film prepared by pulse injection process was greatly improved and the leakage current density was lowered by 1/2~1/3 of magnitude. Clockwise hysteresis of C-V was observed and the ferroelectric switching was confirmed for $Bi_4Ti_3O_{12}$ film deposited by pulse injection method.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.4
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• pp.361-367
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• 1998

$\alpha$-Sexithiophene ($\alpha$-6T) thin films were deposited by organic molecular beam deposition (OMBD) technique. The $\alpha$-6T was synthesized and purified by the sublimation method. The thin films of the $\alpha$-6T were deposited under various deposition conditions. The effects of deposition rate, substrate temperature, and vacuum pressure on the formation of these films have been studied. The molecular orientation, crystallinity, and surface morphology of $\alpha$-6T films were investigated with angle-resolved UV/visible absorption spectroscopy, X-ray diffractometry (XRD), and atomic force microscopy (AFM). It was found that the crystalline structure of $\alpha$-6T films was monoclinic and independent uppon substrate temperature, deposition rate, and deposition pressure. On the other hand, the $\alpha$-6T molecules in the film deposited at a low deposition rate, higher substrate temperature, and under a high vacuum tended to be aligned perpendicular to the substrate.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.2 no.1
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• pp.35-48
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• 1995

마이크로회로내에서 티탄산바륨 중 바륨의 일부가 납으로 치환됨에 따른 전기적 특 성의 변화를 확인하기 위하여 MOD(금속유기화합물 분해법)공정에 의 barum 2-ethylhexanoate, barium neodecanoate, lead 2-ethylhexanoate 및 titanium dimethoxy 야 -2-ethylhexanoate 와 같은 MOC(금속 유기화합물) 들을 합성하고 공통 용매에 대한 용해 도를 시험하였다. 그 결과 barium 2-ethylhexanoate 만 p-xylene에 대한 용해도가 낮았으며 그 외의 다른 MOC들은 모두 p-xylene 단일 용매에 매우 잘 용해되었다. 바륨의 일부가 납 으로 치환된 티탄산 납바륨 박막은 MOC 혼합용액을 ITO/glass, Pt/SiO2/Si 및 Pt/Ti/SiO2/Si 웨이퍼 기판 위에 spin coating 하고 소성하여 얻었다. 이와 같이 얻어진 박막 의 전기적 특성을 측정하고 그 결과를 비교 고찰하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.246-247
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• 2007

능동 구동형 유기 발광 소자 디스플레이용 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전류 안정성을 개선하기 위해, 음전압 인가방식을 채택한 새로운 화소 회로를 제안하였다. 제안한 회로는 5개의 트랜지스터를 사용하였고, 직전에 인가했던 $V_{GS}$에 따라 음의 전압을 인가하여 양의 전압에 의한 구동 박막 트랜지스터의 열화 현상을 줄여준다. 본회로는 SPICE 시뮬레이션을 통해 검증하였다.