• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.469-469
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• 2012

유기발광소자는 빠른 응답속도, 넓은 시야각, 얇은 두께의 특성으로 차세대 디스플레이 소자 기술로 많은 주목을 받고 있다. 백색 조명 광원 관련 기술은 친환경 에너지와 관련하여 연구가 활발하게 진행되고 있다. 청색과 황색의 유기물층을 적층하여 제작한 백색 유기발광소자는 서로 다른 두 유기물질의 계면 불균일로 인한 효율 저하와 형광 여기자의 수명과 유기물의 두께 상관관계에 따라 색안정성이 나빠지는 문제점이 있다. 본 연구에서는 고분자 poly (2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene (MEH-PPV)와 polystyrene (PS) 혼합물을 스핀코팅 방법을 사용하여 박막을 형성한 후 열처리에 의한 상분리 현상을 이용하여 선택적으로 PS 물질을 제거하여 MEH-PPV 황색 고분자 발광층을 형성하여 황색 고분자 발광층의 표면 성질 변화를 관찰하였다. 고분자 MEH-PPV와 PS의 혼합 비율과 혼합층 두께에 따른 MEH-PPV 황색 고분자 박막의 변화를 원자힘 현미경을 통하여 관찰할 수 있었다. MEH-PPV 황색 고분자 발광층의 표면 특성은 MEH-PPV와 PS 혼합물의 PS 혼합비가 높아지면 표면거칠기가 작아지며, 혼합된 두 고분자 물질의 분자량의 차이에 의한 응집도의 차이로 인하여 MEH-PPV와 PS 혼합물 박막의 두께가 얇아지면 표면거칠기가 커진다. 이 연구 결과는 고분자-저분자 혼합 발광층 구조를 사용하는 백색 유기발광소자의 효율 향상에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.13 no.3
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• pp.175-180
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• 2010

The highly conductive polyaniline was synthesized and investigated on the properties of its thin film electrode fabricated by solution process. The transmittance and sheet resistance of the polyaniline thin film of 200 nm thickness were observed in 85% in absorption range above 450 nm and $380P{\Omega}/{\Box}$, respectively. The sheet resistance of the polyaniline was largely varied above $130^{\circ}C$ annealing temperature.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.109.2-109.2
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• 2012

연구에서는 co-sputtering 시스템을 이용하여 아나타세 $TiO_2$의 도핑 농도 변화에 따른 다성분계 $TiO_2$-ITO (TITO) 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성 변화를 알아보고 고 효율을 가지는 인광 유기발광 다이오드를 제작 하였다. 상온에서 최적화된 다성분계 TITO 투명 전극의 급속 열처리 시 $600^{\circ}C$ 급속 열처리 조건에서 매우 낮은 18.06 ohm/sq.면저항, $5.1{\times}10^{-4}$ ohm-cm 비저항과 가시광선 영역 400~550 nm 에서 87.96 %이상의 높은 광학적 투과율과 4.71 eV의 일함수를 확보할 수 있었다. 또한TITO 박막을 양극으로 하여 OLED 소자를 제작한 후 그 성능을 평가하였다. 기존의 ITO 전극과 비교하면 다성분계 TITO 인광 유기 발광 다이오드의 quantum efficiencies (21.69 %)와 power efficiencies (90.92 lm/W)로 ITO 투명전극과 매우 유사함을 알 수 있었고 아나타세 $TiO_2$가 도핑된 TITO 투명 전극의 급속 열처리 공정에도 불구하고 매우 평탄한 표면을 나타냄을 SEM 이미지를 통하여 확인할 수 있었다. 이러한 TITO 투명 전극의 우수한 전기적, 광학적, 구조적 특성은 indium saving 투명 전극으로써 고가의 ITO 박막의 대치가능성을 나타낸다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.23 no.6
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• pp.515-520
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• 2012

In this review, the fabrication of silicon based memory capacitor and organic memory thin film transistors (TFTs) was discussed for their potential identification tag applications and biosensor applications. Metal or non-metal nanoparticles (NPs) could be capped with chemicals or biomolecules such as protein and oligo-DNA, and also be self-assembly monolayered on corresponding target biomolecules conjugated dielectric layers. The monolayered NPs were formed to be charging elements of a nano floating gate layer as forming organic memody deivces. In particular, the strong and selective binding events of the NPs through biomolecular interactions exhibited effective electrostatic phenomena in memory capacitors and TFTs formats. In addition, memory devices fabricated as organic thin film transistors (OTFTs) have been intensively introduced to facilitate organic electronics era on flexible substrates. The memory OTFTs could be applicable eventually to the development of new conceptual devices.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.4
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• pp.255-260
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• 2000

We report that the crack-free organic-inorganic hybrid silica thin films were fabricated by sol-gel process using organometallic compounds as a precursor and that we have established very reproducible fabrication condition with systematic investigation of thickness and refractive index variations for various control parameters, such as, coating type, coating speed, chemical composition, prebake and postbake temperature. Additionally, we measured and compared the change of optical property with the UV exposure dose for three different kinds of photoinitiators. Furthermore, the fabrication of Ix4 MMI optical power splitter using the sol-gel thin film provides the possibility of various applications to the optical waveguide devices. vices.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.248-249
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• 2007

본 연구에서는 능동 구동형 유기 발광 소자(AMOLED)에 쓰이는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)의 전류 안정성(stability)을 개선하기 위한 새로운 구동방법(driving method)을 제안한다. 제안된 방식은 한 프레임 시간 중 특정 시간동안 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)에 음의 화상데이터전압을 인가함으로써 열화(degradation)를 억제한다. 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 열화를 회복하기 위한 음의 화상데이터의 진폭은 실제 이미지를 표현하는 이전에 인가한 양의 화상데이터에 의해 결정된다. 본 연구에서 제안된 구동방식을 시뮬레이션을 통하여 화소 회로의 동작을 검증하였고, 이를 통해 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 열화가 억제되는 것과 화면의 균일성(screen uniformity) 개선하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.103-103
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• 2000

강한 결정 방향 의존성과 낮은 항정계를 갖는 Bi4Ti3O12 강유전체 박막은 NDRO형 비휘발성 강유전체 메모리 분야에서 매우 유망한 재료이다. 이를 위해서는 실리콘 기판과의 계면조절과 실리콘 기판성에서 고품질의 강유전성 박막을 성장시키는 기술이 필수적이다. MOCVD에 의한 Bi4Ti3O12 의 증착에서는 Bi 성분의 강한 휘발 특성과 낮은 반응성으로 인하여 조성과 두께 등의 조절이 매우 어렵다. 따라서 화학기상증착의 기구를 이해하고 제어하는 기술이 양질의 박막을 얻는데 필수적이다. 본 연구에서는 유기금속 원료 TPB, TIP 과 산소를 이용하여 실리콘 기판위에 Bi4Ti3O12 강유전체 박막을 증착할 때, 증착 변수의 변화에 따른 박막의 증착 거동과 구조적, 전기적 특성을 연계하여 분석하였다. 특히 기판부착력이 낮고 휘발성이 강한 Bi의 특성으로 인한 문제를 개선하기 위하여 TIP원료를 주기적으로 공급, 중단을 반복하는 펄스주입법을 고안하여 그 효과를 살펴보았다. 실리콘 기판위에서 TiO2의 증착속도는 실험온도 영역에서 온도에 따라 변화하지 않는 전형적인 물질 전달에 의해 지배되는 양상을 나타내었다. 반면 Bi2O3 경우에는 50$0^{\circ}C$ 이상에서 급격하게 증착속도가 감소하는 특이한 경향을 나타내었으며 이는 Bi2O3의 높은 휘발성 때문일 것이다. Bi4Ti3O12 박막은 온도증가에 따라 증착속도가 증가한 후 $600^{\circ}C$ 이상에서 포화되는 경향을 보였다. 이로부터 실리콘 기판위에서의 Bi4Ti3O12 박막의 증착 모델을 제시하였다. Bi2O3에 비해 상대적으로 표면 부착력이 월등히 큰 TiO2가 우선적으로 실리콘 펴면에 형성된 후 TPB 유기금속 원료가 이 TiO2와 반응하는 과정으로 Bi4Ti3O12 박막이 증착된다. $600^{\circ}C$이상에서는 증착 변수들을 바꾸어도 물성이 변하지 않는 자기조절기능이 있음을 알 수 있었는데 이는 고온에서의 Bi2O3의 강한 휘발성 때문일 것이다. 실리콘 기판에서 층상 페로브스카이트 상은 58$0^{\circ}C$ 이상에서 형성되며, 매우 좁은 온도 변화에도 결정구조, 박막현상 및 성분이 크게 바뀌는 온도에 민감한 증착거동이 관찰되었다. 증착 모델에서 예견되는 Bi의 불리함을 개선하기 위해 펄스주입법을 실시한 경우 Bi의 성분량이 증가되었고 결정성이 향상되었다. 이로부터 펄스주입법이 박막내에 부족하기 쉬운 Bi를 보충하여 박막의 특성을 개선함을 확인하였다. Bi4Ti3O12 박막의 증착온도에 따른 누설전류 특성 측정 결과 증착온도가 감소할수록 누설전류가 감소함을 알 수 있었고 펄스주입법이 연속주입법보다 더 낮은 누설전류를 보임을 알았다. 펄스주입법의 경우 -2.5V 인가 시의 누설전류는 7.4$\times$10-8A/cm2에서 1.3$\times$10+7A/cm2의 매우 우수한 값을 가졌다. 연속 주입법에 의해 증착된 박막은 C-V 측정 결과 강유전성 이력이 나타나지 않았으나, $600^{\circ}C$ 이상에서 펄스주입법에 의해 증착된 박박은 강유전성 이력을 나타내었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.22 no.3
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• pp.131-137
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• 2013

The thin insulator films for organic memory device were made by the plasma polymerization method using the styrene monomer which was not the wet process but the dry process. For the formation of stable plasma, we make an effort for controlling the monomer with bubbler and circulator system. The thickness of plasma polymerized styrene insulator layer was 430 nm, the thickness of the Au memory layer was 7 nm thickness of plasma polymerized styrene tunneling layer was 30, 60 nm, the thickness of pentacene active layer was 40 nm, the thickness of source and drain electrodes were 50 nm. The I-V characteristics of fabricated memory device got the hysteresis voltage of 45 V at 40/-40 V double sweep measuring conditions. If it compared with the results of previous paper which was the organic memory with the plasma polymerized MMA insulation thin film, this result was greater than 18 V, the improving ratio is 60%. From the paper, styrene indicated a good charge trapping characteristics better than MMA. In the future, we expect to make the organic memory device with plasma polymerized styrene as the memory thin film.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.36-36
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• 2010

유기 반도체는 합성 방법의 다양함, 섬유나 필름 형태로 성형이 용이함, 경량성, 유연성, 전도성, 저렴한 생산비, 높은 생산성 등의 특성을 가지고 있으며, 무기물과 같이 벌크 성질을 이용할 수 있을 뿐만 아니라, 분자 자체가 기능성을 가지므로 초박막의 형태에서도 기능성이 유지되어 새로운 초박막 기능성 전자소자 및 광소자의 개발이 가능하다. 특히 플라스틱과 같이 유연한 기판에 박막을 성형할 수 있기 때문에 기존의 고체 반도체로써 실현할 수 없는 두루마리 TV와 같은 flexible application에 적용할 수 있다. 본 발표에서는 유기반도체를 사용하는 유기소자 중 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor; OTFT)에 대한 전반적인 기술동향과 동작원리 및 소자구조와 성능과의 관련성, 그리고 성능 개선을 위하여 시도되고 있는 여러 가지 공정 및 표면처리의 효과에 대하여 설명한다. 또한 본 연구실에서 수행하고 있는 OTFT 관련 연구현황을 소개하고 OTFT의 발전방향을 예측해 본다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.10a
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• pp.1444-1447
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• 2004

For the OLED evaporation process, thin film thickness uniformity is of great practical importance. In order to achieve the better thickness uniformity, geometric simulation of film thickness distribution profile is required. In this paper, a geometric modeling algorithm is introduced for process simulation of full-color OLED evaporating system. The physical fact of the evaporation process is modeled mathematically. Based on the developed method, the uniformity of the organic layer thickness can be successfully controlled.