• Title/Summary/Keyword: 유기박막

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홀 주입 층으로 사용한 자기조립박막층에 의한 유기발광소자의 효율 향상

  • Kim, Min-Seong;Jeon, Yeong-Pyo;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.395.1-395.1
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    • 2014
  • 차세대 디스플레이 소자 기술로 많은 주목을 받고 있는 유기발광소자는 현재 전류효율 향상과 낮은 구동전압과 관련하여 연구가 활발하게 진행되고 있다. 음극과 양극 전극에서 유기물 층으로 전자와 정공의 주입이 많아져도 유기발광 층에서 재결합하는 전자와 정공의 균형이 맞지 않으면 전류 효율과 휘도가 낮아지는 문제점이 있다. 유기발광소자에서 홀 주입 층으로 사용하는 자기조립박막층은 일반적인 유기발광소자에서 정공의 이동도가 낮은 단점을 보완하여 발광층에서 전자와 정공의 균형을 향상하여 전류효율을 향상과 낮은 구동전압 특성을 나타낸다. 본 연구에서는 홀 주입 층으로 사용되는 각각의 자가조립박막을 형성할 물질이 용해되어 있는 에탄올 용액에 ITO를 담가 자가조립박막을 ITO 위에 형성 시킨다. 각각의 홀 주입 층으로 사용된 자가조립박막층의 chain group의 길이와 ITO와 결합하는 head group에 따라 달라지는 쌍극자 모멘트에 의한 홀 주입의 변화를 통해 각 소자의 전류효율과 구동전압 관찰할 수 있었다. 자가조립박막층의 chain group의 길이가 길어질수록 전극으로부터 유기물 층으로의 홀 주입을 방해하여 발광 층에서의 전자와 정공의 재결합 균형이 무너짐으로써 전류효율과 휘도가 낮아지는 경향을 볼 수 있었다. 이 연구 결과는 자가조립박막층을 홀 주입 층으로 대체하는 구조로 유기발광소자의 효율 향상에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.

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Fabrication of Organic Thin Film Transistors using Printed Electrodes (프린팅 방법으로 형성된 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제작 및 특성 분석)

  • Kim, Jung-Min;Seo, Il;Kim, Young-Sang
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2009.07a
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    • pp.1336_1337
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    • 2009
  • 본 논문에서는 유기 박막 트랜지스터의 전극을 잉크젯 프린팅과 스크린 프린팅 방법을 이용하여 유기 박막 트랜지스터를 제작하였다. 전극으로 PEDOT:PSS와 Ag 잉크를 사용하였고, 게이트 절연막으로 polymethyl methacrylate (PMMA)와 poly(4-vinylphenol) (PVP)를 사용하였다. 유기물 활성층으로 pentacene을 진공 증착하였다. 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터는 전계이동도 (${\mu}_{FET}$) $0.068\;cm^2$/Vs, 문턱전압 ($V_{th}$) -15 V, 전류 점멸비 ($I_{on}/I_{off}$ current ratio) >$10^4$의 전기적 특성을 보였고, 스크린 인쇄 방법을 이용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터는 전계이동도 (${\mu}_{FET}$) $0.016\;cm^2$/Vs, 문턱전압 ($V_{th}$) 6 V, 전류 점멸비 ($I_{on}/I_{off}$ current ratio) >$10^4$의 전기적 특성을 보였다. 이를 통하여 프린팅 방법을 이용한 유기 박막 트랜지스터 단일 소자 및 유기 전자 회로 제작의 가능성을 확인 하였다.

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Ca-test에 의한 유기발광소자 봉지용 분자층 증착 Alucone 박막의 투과 방지 특성

  • O, Seung-Sik;Park, Min-U;Park, Geun-Hui;Yeo, Dong-Hyeon;Jeong, Dong-Geun;Park, Jin-Seong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.401-401
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    • 2012
  • 유기발광소자는 유연 소자로의 적용, 자체 발광 등의 장점으로 차세대 디스플레이로서 각광받고 있다. 하지만 유기발광소자는 유기물을 발광층으로 하고 있기 때문에 수분에 취약하다는 단점이 있다. 그래서 봉지 기술(encapsulation)을 필요로 한다. 널리 알려진 방법으로는 유리로 소자를 감싸고 내부에 흡습제를 충진하여 수분 투습을 줄일 수 있다. 하지만 위 기술을 사용할 경우 유기발광소자의 장점인 유연 소자의 적용이 어렵다. 따라서 박막 봉지 기술을 이용하면 보다 얇은 두께의 소자 제작이 가능하고 유연 소자의 적용 역시 가능해진다. 박막 코팅을 이용한 봉지 기술 중 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)이나 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)을 이용하는 방법이 널리 알려져 있지만 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하면 보다 낮은 두께의 치밀한 박막을 제작 할 수 있다. 본 연구는 원자층 증착법을 응용한 분자층 증착법(Molecular Layer Deposition, MLD)을 이용하여 Trimethylaluminum과 Ethylene glycol을 순차적으로 주입함으로써 Alucone 유기 박막을 제작하고 유기발광소자의 봉지 기술로의 적용을 위해 투과 방지막 특성에 관하여 분석했다. 박막 봉지 기술로서 적용하기 위해 제작된 투과 방지막은 원자층 증착법으로 Al2O3무기 박막을 제작하고 분자층 증착법으로 Alucone 박막을 순차적으로 증착하였다. 이를 Ca를 이용하여 전도도를 측정하고, 투습도를 계산하여 투과 방지막 특성을 분석하였다. Alucone 박막은 우수한 투과 방지막 특성을 가지지는 못하지만 적층 구조로 제작함으로써 두 쌍의 Alucone/Al2O3일때, $6.07{\times}10^{-2}g/m^2day$의 투습도를 보여주고 있다. Alucone 박막의 존재는 수분이나 산소의 투과 경로 길이를 늘려줌으로써 Alucone/Al2O3 박막의 투과방지 특성이 향상되는 것으로 사료된다.

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Effect of substrate bias on the properties of plasma polymerized polymer thin films (기판 바이어스가 플라즈마 중합 고분자 박막에 미치는 영향)

  • Lim, Y.T.;Lim, J.S.;Shin, P.K.;Lee, S.W.;Lim, K.B.;Yoo, D.H.;Lee, N.H.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.1475-1476
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    • 2011
  • 플라즈마 중합 기법에 의해 제작된 고분자 (plasma polymerized polymer) 박막은 단량체(monomer)의 고유의 특성을 유지하며 고분자 박막이 형성됨을 확인하고, 기판 바이어스에 의해 시간에 따른 증착 두께는 선형적으로 증가함을 확인하였다. 자체 제작된 플라즈마 중합 시스템에서 self-bias voltage를 최소화하여 플라즈마 고분자의 증착효율 및 두께 조절이 가능함을 확인하였다. 플라즈마 합성을 이용해 고분자 박막을 제조하고, MIM 소자를 제작하여 통상적인 고분자 합성기법으로 제조된 고분자 대비 높은 유전상수 값이 확인되었다. 결과적으로 유기박막 트랜지스터 및 유기 메모리 등 플렉서블 유기전자소자용 절연/유전체 박막으로의 응용이 기대된다.

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Fabrication and Characterization of High-Performance Thin-Film Encapsulation for Organic Electronics (유기반도체용 고성능 박막 봉지재의 제조 및 평가)

  • Kim, Nam-Su;Graham, Samuel
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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    • v.36 no.10
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    • pp.1049-1054
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    • 2012
  • Continued advancements in organic materials have led to the development of organic devices that are thin, flexible, and lightweight and that can potentially be used as low-cost energy-conversion devices. While these devices have many advantages, the environmentally induced degradation of the active materials and the low-work-function electrodes remain a valid concern. Hence, many vacuum deposition processes have been applied to develop low-permeation barrier coatings. In this work, we present the results pertaining to the developed thin-film encapsulation. Multilayer encapsulation involves the use of $SiO_x$ or $SiN_x$ with parylene. The effective water vapor transmission rates were investigated using a Ca-corrosion test. The integration of the developed barrier layers was demonstrated by encapsulating pentacene/$C_{60}$ solar cells, and the results are presented.

Polymer thin film organic transistor characteristics with plasma treatment of interlayers (플라즈마 표면처리에 따른 유기트랜지스터 특성)

  • Lee, Boong-Joo
    • The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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    • v.8 no.6
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    • pp.797-803
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    • 2013
  • In this paper, we fabricated insulator thin films by plasma polymerization method for organic thin film transistor's insulator layer. For improving the electrical characteristics of organic transistor, we treated the semiconductor thin film with $O_2$ plasma. As results, the surface energy of organic transistor was increased from $38mJ/m^2$ to $72mJ/m^2$ and the mobility of organic transistor was increased $0.057cm^2V^{-1}s^{-1}$, that is increased 29% average ratio. Therefore, we have known that oragnic transistor's mobility can improve with plasma treatment of semiconductor thin film's surface.

펜타센의 박막두께 변화와 전극의 종류에 따른 펜타센 유기박막 트랜지스터의 특성 변화

  • Kim, Tae-Uk;Min, Seon-Min;No, Yong-Han
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.112-112
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    • 2011
  • 유기박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)는 낮은 공정비용과 기존의 고체 실리콘 트랜지스터로서 실혐 할 수 없는 플렉시블 디스플레이, 스마트카드, 태양전지 등의 매우 넓은 활용범위로 각광받고 있는 연구 분야 중 하나이다. 본 연구에서는 열 증발 증착장비(Thermal Evaporator)를 이용하여 펜타센을 활성층으로 사용한 유기박막 트랜지스터를 제작하였다. Heavily doped된 N형 실리콘 기판을 메탄올, 에탄올, 불산 처리를 하여 세척을 한 후 PECVD를 이용하여 SiO2를 200 nm 증착하였다. 그 후 열 증발 증착 장비를 사용하여 펜타센을 활성층으로 사용하였고, 분말 형태의 펜타센의 질량을 15~60 mg으로 조절하여 활성층의 두께를 조절하였다. 펜타센 증착 후 100도에서 열처리를 하고, 그 후 Shadow Mask를 이용하여 전극을 150nm 증착하였다. 이때 전극은 Au, Al, Ni 세가지 종류를 사용하였다. 펜타센의 질량을 조절하여 증착한 활성층의 두께는 60 mg일 때 약 60 nm, 45 mg일 때 약 45 nm로 1:1의 비율로 올라가는 것을 확인 할 수 있었고, 펜타센의 두께가 30 nm일 때 특성이 가장 잘 나오는 것을 볼 수 있었다. 펜타센의 두께가 두꺼울수록 게이트에서 인가되는 전압의 필드가 제대로 걸리지 않아 특성이 나쁘게 나온 것으로 보인다. 또한 활성층을 30 nm로 고정하고 전극의 종류를 바꿔가며 전기적 특성(캐리어 이동도, 문턱전압, 전달특성 등)을 측정 했을 때 전극으로 Al보다는 Au와 Ni를 사용했을 때 전기적 특성이 더 우수하게 나오는 것을 볼 수 있었다. 메탈과 펜타센과의 일함수 차이에 따른 결과로 보여진다.

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CuO 나노 입자의 PEDOT:PSS 첨가를 통한 유기 태양전지 특성 향상 연구

  • O, Sang-Hun;Jeong, Ju-Hye;Kim, Hyeon-Jae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.388-388
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    • 2011
  • 본 연구에서는 CuO 나노 입자를 poly(3,4,-ethylene dioxythiophene):polystyrene sulfonic acid (PEDOT:PSS) 버퍼층에 첨가하여 정공의 이동도를 높임으로서 poly(3-hexylthiophene) (P3HT) as the electron donor and (6.6) phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) 기반의 유기 태양전지를 제작하였다. 일반적으로 PEDOT:PSS 박막은 높은 광 투과율과 상대적으로 우수한 전기전도도를 지닌 p-type의 유기 반도체 물질로써 유기 태양전지의 홀 전도막으로 널리 사용되어지고 있다. 하지만 낮은 홀이동도로 인하여 전달된 정공이 전극까지 전달되는데에 한계점이 있어 본 연구에서 이를 극복하기 위한 방안으로 p-type의 무기 반도체 물질인 CuO 나노 입자를 PEDOT:PSS 박막내에 첨가하여 홀 이동도를 높이고자 하였다. CuO 나노 입자를 PEDOT:PSS 용액에 각각 5, 10, 15, 20mg/ml 의 농도로 첨가하여 유기 태양 전지의 버퍼층으로 사용을 하였다. 이렇게 제작되어진 각각의 PEDOT:PSS 박막과 CuO 나노 입자가 첨가된 PEDOT:PSS 박막의 전기적, 광학적 및 표면 분석을 통하여 CuO 나노 입자가 PEODT:PSS 박막에 미치는 영향을 조사하였고, 이를 통하여 P3HT:PCBM 기반의 유기 태양전지를 제작하여 전기적 특성 분석을 수행하였다.

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Floating Gate Organic Memory Device with Tunneling Layer's Thickness (터널링 박막 두께 변화에 따른 부동 게이트 유기 메모리 소자)

  • Kim, H.S.;Lee, B.J.;Shin, P.K.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.21 no.6
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    • pp.354-361
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    • 2012
  • The organic memory device was made by the plasma polymerization method which was not the dry process but the wet process. The memory device consist of the styrene and MMA monomer as the insulating layer, MMA monomer as the tunneling layer and Au thin film as the memory layer which was fabricated by thermal evaporation method. The I-V characteristics of fabricated memory device got the hysteresis voltage of 27 V at 40/-40 V double sweep measuring conditions. At this time, the optimized structure was 7 nm of Au thin film as floating gate, 400 nm of styrene thin film as insulating layer and 30 nm of MMA thin film as tunneling layer. Therefore we got the charge trapping characteristics by the hysteresis voltage. From the paper, styrene indicated a good charge trapping characteristics better than MMA. In the future, we expect to make devices by using styrene thin film rather than Au thin film.