• Title/Summary/Keyword: 유기금속화학증착법

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Preparation and Electrical Properties of $YMnO_3$Thin Film by MOCVD Method (유기금속화학증착법에 의한 $YMnO_3$박막 제조 및 전기적 특성)

  • 김응수;노승현;김유택;강승구;심광보
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.5
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    • pp.474-478
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    • 2001

  • 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 반응기체 $O_2$의 양 및 Y와 Mn의 운반기체 비(Y/Mn)를 변화시켜가며 Si(100) 기판 위에서 MFSFET(metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor) 구조의 YMnO$_3$박막을 증착하였다. 반응기체 $O_2$의 양이 150sccm일 때 Y/Mn=2와 3인 경우 단일상의 육방정계 YMnO$_3$박막이 형성되었다. YMnO$_3$박막의 전기적 특성은 사방정계 YMnO$_3$박막에서는 나타나지 않았으나, 육방정계 YMnO$_3$박막의 경우 결정립 크기에 영향을 받아 단일상의 육방정계 YMnO$_3$박막 중 결정립 크기가 150nm~200nm(Y/Mn=2)인 경우에는 잔류분극이 100nC/$ extrm{cm}^2$인 P-E 이력곡선의 특성을 나타내었다.

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Characterization of Zn Doping in AIGaInP Epitaxy Layer Grown by MOCVD (유기금속 화학증착법을 사용한 AIGAInP층의 Zn 도우핑 농도의 특성)

  • Yun, Gi-Hyeon;Kim, Nam-Heon
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.9
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    • pp.950-958
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    • 1996

  • 저압 유기금속 화학증착법을 사용하여 AIGaInP층의 diethylzinc의 III족 원소(AO, Ga, In)에 대한 비와 성장온도 변화에 따른 Zn(acceptor)의 첨가 농도특성을 연구하였다. Diethylzinc의 III족 원소(AI, Ga, In)비를 0.4에서 2.0까지 변화시켜 본 결과 0.85일 때 가장 높은 acceptor 농도를 가졌으며, 성장온도를 69$0^{\circ}C$에서 80$0^{\circ}C$까지 변화시킨 결과 성장온도에 대한 변화는 69$0^{\circ}C$-73$0^{\circ}C$일 때 온도가 증가함에 따라 acceptor농도는 커졌으며, 그 이상에서는 감소하였다. 또한, 성장속도가 빠를수록 높은 acceptor 농도를 가지게 되어 3.3$\mu\textrm{m}$/hr의 성장속도일 때 8x1017/㎤의 가장 높은 acceptor 농도를 얻을수 있다.

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