• 제목/요약/키워드: 원자력현미경

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플라즈마 분자선 에피탁시 법으로 성장된 비극성 ZnO 박막의 표면 형상 분석 (Surface Morphology Characterization of Nonpolar ZnO Thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy)

  • 이재욱;이정용;한석규;홍순구
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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    • pp.161-162
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    • 2007
  • (1-102) R-면 사파이어 기판 위에 플라즈마 분자선 에피탁시 법으로 성장시킨 비극성 ZnO 박막의 표면 형상을 원자력간현미경(AFM) 및 투과전자현미경으로 분석하였다. AFM 관찰 결과 ZnO<0001> 방향으로 길쭉한 제방 모양의 표면 형상이 나타남을 알 수 있었고, 고분해능 투과전자현미경 관찰을 통해 박막 성장 중에 관찰되는 V(chevron 모양) 형상의 in-situ RHEED 패턴을 야기시키는 박막 표면의 facet 면을 원자 level에서 확인하였다.

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원자력용 316LN 스테인레스강의 탄화물 석출 거동

  • 오용준;류우석;윤지현;홍준화;국일현
    • 한국원자력학회:학술대회논문집
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    • 한국원자력학회 1995년도 춘계학술발표회논문집(2)
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    • pp.689-694
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    • 1995
  • 원자력용 316LN 스테인레스강의 입계탄화물 석출거동에 미치는 질소 및 Ti, B의 미량원소 영향을 시차열분석기(DSC)와 투과전자현미경(TEM)을 이용하여 관찰하였으며, 이들 결과와 예민화 특성과의 관계성을 분석하였다. Ti과 B의 첨가는 316LN 강의 탄화물 석출온도를 높이며, 탄화물 석출에 필요한 활성화에너지 값은 미첨가강에 비해 높았다. TEM/EDX 분석결과, 예민화된 316 LN 강은 M$_{23}$C$_{6}$ 탄화물이 입계에 석출되며 입계에서 Cr 고같층이 관찰되었다. 반면 Ti 및 B 첨가강은 7$50^{\circ}C$, 20시간 열처리 조건에서도 거의 입계석출물이 존재하지 않았으며 일부 소량 존재하는 입계 석출물은 EDX 분석결과 Mo-rich 상인 Laves 상으로 분석되었다. DSC와 TEM 분석 결과는 Oxalic 시험 및 Modified Strauss 시험에 의한 입계 부시시험결과와 잘 일치하였고, Ti 및 B의 첨가는 Cr의 확산을 저지시켜 입계탄화물의 석출 및 성장을 저지하는 역할을 하며, 316LN 강의 예민화 특성을 양호하게 하였다.

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원자력현미경을 이용한 나노임프린트 재료의 접착력 측정 (Adhesion Force Measurements of Nano-Imprint Materials Using Atomic Force Microscope)

  • 윤형석;이몽룡;송기국
    • 폴리머
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    • 제38권3호
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    • pp.358-363
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    • 2014
  • 원자력현미경(AFM) tip을 표면 처리하여 임프린트용 acrylate 레진과의 접착력을 측정하였다. 표면 처리를 하지 않은 실리콘 tip에 비하여 $CH_4$ 플라즈마로 소수성 처리한 경우 접착력은 38% 감소한 반면 친수성의 $O_2$ 플라즈마로 처리한 경우에는 접착력이 1.6 배 증가하였다. 이러한 AFM 결과들은 정성적 실험 결과 밖에 얻을 수 없는 cross-cut 접착실험에 비하여 매우 구체적인 정량적 결과들을 제공하였다. 나노 크기의 임프린트 패턴을 전사하는 경우, 몰드와 레진 사이 접촉 면적이 커져서 시료 전체의 접착력이 커지기 때문에 패턴 크기가 작아지는 나노임프린트 공정에서는 몰드 표면 처리 문제가 더욱 중요하게 되는 것을 알 수 있었다.

박막트랜지스터 구동회로용 ZnO 박막의 구조적 특성에 관한 연구 (The structural characteristics of ZnO thin films for TFT driver circuit)

  • 손지훈;김상현;김홍승;장낙원
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제37권1호
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    • pp.72-77
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    • 2013
  • RF 마그네트론 스퍼터링법의 스퍼터링 조건에 따른 TFT 구동회로를 위한 ZnO 박막의 구조적 특성에 관해 연구하였다. ZnO 박막은 RF 파워 및 증착압력을 변화시킴으로서 성장시켰다. 구조적 특성은 X-선 회절 분석기(XRD)와 원자력간 현미경(AFM)에 의해 분석되었다. ZnO 박막은 100W의 RF 파워에서 충분한 결정도를 가졌다. 그러나 RF 파워가 증가함에 따라 ZnO 박막의 표면 거칠기가 증가하였고 증착압력이 5mTorr에서 15mTorr로 증가함에 따라 ZnO(002) 피크의 반치폭(FWHM)이 증가하였다.

MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과 (Effects of growth temperatures on properties of InAlAs epilayers grown on InP substrate by molecular beam epitaxy)

  • 우용득;김문덕
    • 한국진공학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.251-256
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    • 2003
  • 분자선에피탁시법을 이용하여 InP(001) 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도 (370-$430 ^{\circ}C$)의 효과를 Normalski 현미경, 원자력현미경 (AFM), 광발광 (PL), 이중결정 x-선 회절법 (DCXRD)을 사용하여 분석하였다. InAlAs 에피층의 표면형상, 구조적, 광학적 특성은 370-$400^{\circ}C$에서 성장한 시료에서는 성장온도의 증가로 향상되지만, $430 ^{\circ}C$로 성장한 시료에서는 특성이 나빠졌다. 결과적으로 $400 ^{\circ}C$로 성장한 InAlAs 에피층의 특성이 가장 우수하였다.

원자력현미경의 위상차영상을 이용한 나노표면의 미소기계적 특성 평가 (Estimation of Nanomechanical Properties of Nanosurfaces Using Phase Contrast Imaging in Atomic Force Microscopy)

  • 안효석
    • 한국공작기계학회논문집
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    • 제16권5호
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    • pp.115-121
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    • 2007
  • Phase contrast imaging in atomic force microscopy showed a promise as an effective tool for better understanding of micromechanical properties of surfaces at nano scale. A qualitative estimation model for phase contrast images obtained with a tapping mode AFM was developed. This investigation demonstrated the high efficiency of combined analysis of topography and phase contrast images for characterizing nanosurfaces. Phase contrast images allowed estimation of relative stiffness(elastic modulus) of the sample surface. The phase contrast images revealed a significant inhomogeneity of the nano scale worn surfaces. Phase contrast images are also capable of revealing the formation of tribofilms.

작동중인 모스 전계 효과 트랜지스터 단면에서의 상대온도 및 전위 분포 측정 (Cross Sectional Thermal and Electric Potential Imaging of an Operating MOSFET)

  • 권오명
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제27권7호
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    • pp.829-836
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    • 2003
  • Understanding of heat generation in semiconductor devices is important in the thermal management of integrated circuits and in the analysis of the device physics. Scanning thermal microscope was used to measure the temperature and the electric potential distribution on the cross-section of an operating metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). The temperature distributions were measured both in DC and AC modes in order to take account of the leakage current. The measurement results showed that as the drain bias was increased the hot spot moved to the drain. The density of the iso-potential lines near the drain increased with the increase in the drain bias.

레이저 응용을 위한 광학 기초

  • 정성호
    • 광학세계
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    • 통권100호
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    • pp.18-20
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    • 2005
  • 오늘날 레이저는 광통신망을 통한 인터넷 전송과 같은 통신분야, 반도체에서의 포토리소 그라피와 같은 제조 및 가공분야, 분광분석 및 원자력간 현미경과 같은 계측분야 등 다양한 영역에서 산업 및 과학기술 발전을 위해 필수불가결한 도구가 되었으며, 레이저의 응용은 앞으로 첨단기술 분야를 중심으로 지속적으로 확대되어 갈 것으로 기대된다. 이와 같이 첨단기술의 핵심요소인 레이저 및 이의 응용에 필요한 기초광학에 대한 이해는 관련기술의 발전과 폭 넓은 응용기술 개발을 위해 필수적인 것으로 사료된다.

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