• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권1호
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• pp.28-35
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• 2004

질소는 안정한 가스로서 잘 알려져 있지만, 해리, 여기, 선리 등의 반응이 일어나기 시작하면 활성도가 높아지게 되고 오랫동안 유지되는 특성을 갖고 있다. 이러한 반응 및 전송과정을 이용하는 예가 많은 분야에서 볼 수 있다. 현재 질소 가스만의 특성 분석 연구에 관한 보고는 상당히 부ㅈㄱ하며 이러한 부분에 대한 연구가 필요하다고 볼 수 있다. 본 연구에서는 질소 플라즈마의 특성을 상세하게 이해하기 위해, 용량 결합형 프라즈마의 1차원 유체 모델에 의한 시뮬레이션을 행하였다. 하전입자의 밀도, 공가 전계 및 전자 에너지 등의 기본적인 움직임을 혹인하고, 전기적으로 정의 가스에서는 발생？ 않는 전기적 이중층의 형성을 분석하였다. 또한 전원 전압을 300∼700 [V] 로, 압력을 0.2∼2.0 [Tow] 로 변화시켜, 그에 따른 플라즈마를 구성하는 각 입자들의 특성을 고찰하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1760-1762
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• 2002

In this work we develop an equivalent circuit model of TCP(transformer coupled plasma) source and investigate matching characteristic. The developed circuit model includes transmission line, standard-type impedance matching network and displacement current in the plasma source. The impedance of TCP is calculated by previously developed program for various source parameters and dependance of components of matching impedance on the value of source impedance is investigated.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2002년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.627-630
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• 2002

본 논문에서는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 높은 소비 전력을 줄이기 위해 요구되어지는 에너지 회수회로를 제안한다. 제안하는 회로는 기존의 회로와 비교하여 저가형 구조를 가지며 효율을 증대 시킬 수 있는 장점을 가진다 본 회로는 유지 구간 동안 두 번의 공진을 수행하게 된다. 패널과 병렬로 결합된 인덕터와 외부 캐패시터 사이에서 발생하는 첫 번째 공진은 정$\cdot$부의 선택적인 펄스를 발생시키기 위해 이용되고, 스위치 오프 구간동안 순간적으로 발생되는 인덕터와 패널사이의 두번째 공진은 PDP의 용량성 변위 전류에 의한 에너지를 회수하게 된다. 제안하는 회로의 동작원리와 설계절차를 제시하였으며, 7.5인치 패널을 이용한 시작품을 제작하여 시뮬레이션과 실험결과를 통해 타당성 을 검증하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.214.1-214.1
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• 2013

Tetra-ethoxysilane (TEOS)은 일반적으로 저온 게이트 산화막의 원료 널리 이용되고 있으나 as-deposited 상태에서는 필수적으로 생성된 높은 계면밀도와 고정전하를 제거하기 위하여 수소계면처리, forming gas annealing 등 후처리 공정을 필수적으로 거처야만 한다. 즉 후처리 공정 없이도 일정수준의 계면밀도와 고정전하를 갖을 수 있는 출발물질이 제안되면 산업적 의미를 갖을 것이다. 본 연구에서는 TEOS를 대체할 수 있는 후보재료로써 Tetra-iso-propoxysilane (T-iso-POS)을 제안하였다. T-iso-POS는 iso 구조의 3차원적 특수 구조를 가지므로 더 쉽게 분해 될 수 있어 탄소의 결합을 억제 할 수 있다고 사료된다. 용량 결합형 PECVD (13.56 MHz) 장비를 이용하여 RCA 세정을 실시 한 p-Si (100) 기판위에 TEOS 혹은 T-iso-POS (2 sccm)와 O2를 도입(50 sccm), 플라즈마 전원(20~100 W), 압력(0.1~0.5 torr), 온도 ($170{\sim}400^{\circ}C$), 전극 간 거리 (1~4.5cm)의 조건 하에서 증착하였다. 얻어진 각각의 SiO2 막에 대해, 성장 속도, 2% BHF 용액보다 에칭 속도, IV 특성과 C-V 특성, FT-IR에 의해 화학구조 평가를 실시했다. T-iso-POS원료로 사용하여 TEOS보다 낮은 약 $200^{\circ}C$에서 증착 된 산화막에서 후 처리 없이도 10 MV/cm 이상의 절연 파괴 특성을 나타내는 우수한 게이트 절연막 제작에 성공했다. 그 성장 속도도 약 20 nm/min로 높았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.1066-1068
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• 1999

Magnetic field is commonly used in low temperature processing plasmas in order to obtain high density. E $\times$ B magnetron or surface multipole configuration were most popular. However, the properties of capacitively coupled rf plasma confined by axially applied static magnetic fields have rarely been studied. In this paper, the effects of magnetic field on the characteristics of 13.56MHz/40KHz argon plasma will be reported. Ion saturation current, electron temperature and plasma potential were measured by Langmuir probe and omissive probe. At low pressure region ($\sim$10mTorr), ion current was increased by a factor of 3 - 4 due to reduction of diffusion loss of charged particles to the wall. It was observed that magnetic field induces large time variation of the plasma potential. The experimental result was compared with particle-in-cell simulation. It was also observed that electron temperature tend to decrease with increasing magnetic induction level for 40KHz discharge.