• Proceedings of the Safety Management and Science Conference
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• 2005.05a
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• pp.325-337
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• 2005

기존의 논문들은 단순히 기업가치(firm value)가 부채(debt)에 의한 요인들(determinants)에 의하여 좌우된다고 보았으며, 기업의 소유구조(managerial ownership)와 기업가치는 별개(exogenous)로 간주하여 왔다. 이 번 논문에서는 기업 가치를 좌우하는 요인들에 부채 이외에 기업의 소유구조를 내생변수(joint endogenous)로 추정하고, 통계방법으로는 수단변수를 사용하여 GMM(generalized method of moments)를 통하여 추정하기로 한다. 이 연구를 통해서는 부채와 기업 소유구조 사이에 밀접한 상호작용(interrelated)이 있음을 발견하였다. 부채와 기업의 소유구조를 내생화시킴으로써 이번 연구에서는 부채가 기업가치에 약한 부정적인(-) 영향을 주는 것으로 나타났으나, 기업의 소유구조는 기업 가치에 강한 긍정적 요인으로 작용하고 있음을 알 수 있었다. 이와 같이 부채와 기업가치의 약한 부정적인 관계에 대한 선행연구로는 Shea(1997)과 Hahn and Hausman(1999)이 있다. 또한, 기업가치는 시장점유율(market power)과 주가(treasury stock)와 양(+)의 관계에 있음을 알 수 있었다.

• (The)Study of the Eastern Classic
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• no.54
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• pp.103-124
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• 2014

서명응의 "중용경위"는 '심은 태극이자 중이며, 또 "하도"의 중궁'이라는 선천학의 심법을 제시한다는 점에서 기존의 "중용"해석과 차이를 보인다. 다른 특징으로는 "중용경위"의 구성 체제가 독창적이라는 점이다. 더불어 이러한 체제와 그 내용이 "하도"와 긴밀히 연결된다는 점이다. 서명응은 "중용"의 구조와 서술방식이 선후천의 법상에 따라 서술된 것으로 본다. 이를 입증하기 위해 서명응은 통행본 "중용"의 33장 체제를 32장으로 재구성한다. 그리고 그는 이 총 32장의 전체 구성이 '태극-양의-사상'으로 전개되는 "선천도"의 구조와 같고, 개별 장들이 서로 '대대' 관계로 되어 있는 구조는 선천의 '대대' 구조와 같으며, 각 장 안의 문장에서 구와 절들이 '반대' 관계로 되어 있는 것은 후천의 '반대' 구조와 같다고 본다. 서명응이 제시한 이러한 선천의 구조는 결국 "하도"로부터 연역되어 나온 것이다. 또 그 안에 담긴 심으로 천명의 중을 체인하는 사상이 "하도"와 연결된다고 파악한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.219-219
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• 2010

기존의 플로팅 타입의 메모리는 소자의 소형화에 따른 인접 셀 간의 커플링 현상과 전계에 따른 누설전류의 증가 등과 같은 문제가 발생한다. 이에 대한 해결책으로서 전하 저장 층을 폴리실리콘에서 유전체를 사용하는 SONOS 형태의 메모리와 NFGM (Nano-Floating Gate Memory)연구가 되고 있다. 그러나 높은 구동 전압, 느린 쓰기/지우기 속도 그리고 10년의 전하보존에 대한 리텐션 특성을 만족을 시키지 못하는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결 하고자 터널베리어를 엔지니어링 하는 TBM (Tunnel Barrier Engineering Memory) 기술에 대한 연구가 활발히 진행 중이다. TBM 기술은 터널 층을 매우 얇은 다층의 유전체를 사용하여 전계에 따른 터널베리어의 민감도를 증가시킴으로써 빠른 쓰기/지우기 동작이 가능하며, 10년의 전하 보존 특성을 만족 시킬 수 있는 차세대 비휘발성 메모리 기술이다. 또한 고유전율 물질을 터널층으로 이용하면 메모리 특성을 향상 시킬 수가 있다. 일반적으로 TBM 기술에는 VARIOT 구조와 CRESTED 구조로 나눠지는데 본 연구에서는 두 구조의 장점을 가지는 Staggered tunnel barrier 구조를 $Si_3N_4$와 HfAlO을 이용하여 디자인 하였다. 이때 HfO2와 Al2O3의 조성비는 3:1의 조성을 갖는다. $Si_3N_4$와 HfAlO을 각각 3 nm로 적층하여 리세스(Recess) 구조의 트랜지스터를 제작하여 차세대 비휘발성 메모리로써의 가능성을 알아보았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.308-308
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• 2012

현재 결정질 태양전지 제작에 있어 공정 단가 및 재료비 절감을 위해 실리콘 웨이퍼의 두께가 점점 얇아지는 추세이며, 이에 따른 장파장 영역 흡수 손실을 감소시키기 위한 방안으로 후면 패시베이션에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 후면 패시베이션층으로는 SiO2, SiNx, a-Si:H, SiOxNy 등의 물질이 사용되고 있으며, 본 연구에서는 SiO2/SiNx/SiO2 (ONO)의 삼중막 구조를 패시베이션층으로 하여 SiNx 단일막 구조와의 열처리 온도에 따른 소수캐리어 수명(${\tau}eff$), 후면 재결합속도(Seff), 확산거리(LD) 등의 파라미터 변화를 비교하였다. 증착 직후와 $350^{\circ}C$에서의 Forming Gas Annealing (FGA), 그리고 $800^{\circ}C$의 고온에서의 fast firing 후의 각각의 파라미터 변화를 관찰하였다. 증착 직후 SiNx 단일막과 ONO 삼중막의 소수캐리어 수명은 각각 $108{\mu}s$와 $145{\mu}s$를 보였다. 후면 재결합속도는 65 cm/s와 44 cm/s를 보였으며, 확산거리는 각각 $560{\mu}m$와 $640{\mu}m$를 나타내었다. FGA와 firing 열처리 후 세 파마미터는 모두 향상된 값을 보였으며 최종 firing 처리 후 단일막과 삼중막의 소수캐리어 수명은 각각 $196{\mu}s$와 $212{\mu}s$를 보였다. 또한 후면 재결합속도는 28 cm/s와 24 cm/s를 보였으며, 확산거리는 각각 $750{\mu}m$와 $780{\mu}m$를 보여 ONO 삼중막 구조의 경우에서 보다 우수한 특성을 보였다. 본 실험을 통해 SiNx 단일막보다 ONO 패시베이션 구조에서의 열적안정성이 우수함을 확인하였으며, 또한 ONO 패시베이션 구조는 열적 안정성뿐 아니라 n-type 도핑을 위한 Back To Back (BTB) 도핑 공정 시 후면으로 의 도펀트 침투를 막는 차단 층으로서의 역할도 기대할 수 있다.

• Computational Structural Engineering
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• v.10 no.3
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• pp.195-202
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• 1997

The charateristics of stabilization for stabilized truss unit-structures with cable and truss are investigated in this paper. This unit system is composed of a central post and eight cables, and is connected by hinge joints, and stabilized by self-equilibrated stress field. As this unit structure itself is a statically closed and stabilized system individually, it can be employed to assemble structures with various configurations. In this study, for stabilization of truss structures stabilized by cable tension, the structural concept of unit structures, the range of various geometrical parameters and the relationship of governing parameters about unit systems are explained.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.423-423
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• 2010

유기발광소자의 제작 기술이 빠르게 발전함에 따라 디스플레이와 조명 분야에서 많은 응용 가능성을 보여주고 있다. 유기발광소자의 발광효율은 발광층내에서 전자와 정공의 비와 밀접한 관계가 있기 때문에 전자 수송층과 정공 수송층내에서 전하의 이동도를 제어하는 구조에 대한 연구는 매우 중요하다. 본 연구에서는 전자 수송층으로 tris(8-hydroxyquinoline)aluminum ($Alq_3$)와 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen)의 다중 이종구조를 사용하여 제작된 녹색 유기발광소자의 전기적 성질과 광학적 성질을 연구하였다. $Alq_3$와 BPhen 다중 이종구조의 위치와 이종구조 개수의 변화에 따라 전자의 변하는 전송특성으로 인하여 변화되는 발광특성을 체계적으로 조사하였다. 유기발광소자의 구동전압은 $Alq_3$/BPhen 이종구조의 수가 증가할수록 증가하는 경향을 보인다. $Alq_3$와 BPhen 내에서 전자의 이동도가 다르기 때문에 $Alq_3$/BPhen 이종계면에 전자가 축적되어 공간전하를 형성하므로 계면에서 내부전계가 형성되어 구동전압이 약간 증가하는 경향을 보인다. 또한 $Alq_3$/BPhen 이종계면에서 축적된 전자들로 인하여 형성된 내부 전계로 인해 저전압에서 누설 정공의 수가 증가하였다. 그러나 다중 이종구조로 된 전자 수송층을 포함한 유기발광소자의 발광 효율은 구동전압이 증가할수록 안정화 되었다. 이는 이종계면의 수가 증가함에 따라 각각의 이종계면에서 축적되는 전자의 양이 감소하기 때문에 고전압에서 효율감소율이 작아졌다. $Alq_3$/BPhen 다중 이종구조를 가진 전자 수송층내에서 전자의 전송 메카니즘에 대한 이해는 유기발광소자의 발광효율이 안정화된 구조를 설계하는데 중요한 실험적 결과를 제공한다.

• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2002.11a
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• pp.21-24
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• 2002

본 논문에서는 광대역 무선 데이터 서비스용으로 표준화된 WLAN IEEE 802.11a Convolutional 부호기의 펑처링 패턴에 따른 성능을 분석하고, 간략화 된 구현 방법을 제시한다. 제한된 주파수 대역에서 Convolutional 부호기의 구조를 변경함이 없이 정보 전송율을 향상시키기 위해 부호기에서 출력되는 비트열을 일정한 비트 간격마다 1비트씩 생략하는 펑처링 기법이 주로 이용된다. IEEE 802.11a WLAN 채널코딩에서도 부호율이 l/2, 구속장 7인 Convolutional 부호기를 기반으로 2/3와 3/4과 같은 높은 부호율을 얻기 위해 펑처링 기법을 채택하고 있다. 본 논문에서는, 단일 하드웨어 구조를 사용해서 1/2의 기본 부호율로부터 전송율에 따라 WLAN IEEE 802.11a의 펑처링에 의한 부호율 2/3와 3/4에서, 부호기의 구조를 간략화하기 위해 펑처링 패턴 구조에 따른 부호화 성능을 조사하고 단일하드웨어 구조를 사용해서 이들 부호율의 시스템을 구현할 수 있도록 한다. 모의 실험에서는 부가 백색 가우시안 잡음 현상이 존재하는 채널을 모델링 해서, BPSK와 QPSK의 변조방법에 대해 WLAN IEEE 802.11a 펑처링 패턴에 따른 부호화 성능을 제시한다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.4
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• pp.283-287
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• 1998

구미와 일본에서는 균열이 실린더벽을 과통하므로서 발생되는 일부누설로 인하여 실린더가 불안전 파괴가 이루어진 후 급속파단으로 전개되는 판당전 누설(Leak Before Break, LBB)를 전제로 한 구조건전성의 확인 시험연구가 널리 수행되고 있다. 본고에서는 Gs-C25 실린더의 구조건전성을 LBB개념의 도입과 파괴역할을 이용하여 평가하였다. 내부압력 80bar일때의 실린더에서 응력확대계수 계산은 구조물의응력확대계수가 극단적으로 큰 디멘젼을 지닌 측균열인 경우에서만 재료의 인성계수 $K_{lc}$ /와 $K_{eff}$ 에 도달된다는 것을 나타내었으며, 반면에 원주균열은 파괴 인성치 $K_{lc-}$ 와 $K_{eff-}$ 값까지는 어떠한 경우에도 도달되지 않았다. 구조물의 국부적인 취성파괴는 균열을 함유한 누설로 유도되는 범위에서, "$K_{1}$ 구조물$\geq$$K_{lc}$ 및 $K_{eff}$ "의 조건을 만족시에만 발생되며, 이는 축균열이 원주균열보다 훨씬 더 위험하다는 것을 증명한다.는 것을 증명한다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.11b
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• pp.494-499
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• 1996

와이어 스프링은 재료 조사시험용 캡슐을 노내에 장·탈착할 때 안내역할을 하고, 조사 시험중 캡슐에 수평방향의 외력이 작용하였을 때 이를 완화해 주는 역할을 하도록 설계되었다. 와이어 스프링의 강성은 특히 내진으로 인한 캡슐의 구조건전성 확보에 중요하므로, 본 연구에서는 스프링 강성에 스프링 와이어의 직경, 길이 그리고 형상이 미치는 영향을 해석하였다. 또한 실험을 통하여 해석 결과와 비교·검토하여 설계 요구사항을 만족하도록 하였다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• v.11 no.3
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• pp.3-38
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• 1989

첨단(尖端) 정보(情報) 통신기술(通信技術)의 혁신(革新)이 초래하는 정보화(情報化)는 산업(産業)의 정보화(情報化)와 정보(情報)의 산업화(産業化)를 촉진하면서 기업(企業)의 생산(生産), 경영체제(經營體制)의 유동화(流動化), 산업간(産業間) 접면(接面)의 증대와 기술(技術)의 융합(融合), 기업간(企業間) 정보연결조직(情報連結組織)의 확충, 정보(情報)의 확산(擴散)과 집중(集中)에 수반되는 새로운 경쟁구조(競爭構造), 기업간(企業間)의 정보화격차(情報化隔差)에 따른 시장구조(市場構造)의 변화, 기업간(企業間)의 수직적(垂直的) 정보계열화(情報系列化)의 형성, 유통체계(流通體系)의 개편 등을 통하여 산업구조(産業構造)와 산업조직(産業組織)에 커다란 변혁(變革)을 초래함과 아울러 정보화(情報化)는 정보재(情報財)의 내재적(內在的) 특성(特性)에 비추어 일반적으로 시장(市場)의 개방성(開放性)과 폐쇄성(閉鎖性)을 높이는 효과(效果)를 함께 갖고 있다. 그러므로 우리나라에서도 금후 정보화(情報化)를 추진하면서 각 시장(市場)에서 경쟁(競爭)의 활력(活力)을 고양하고 일부 경제선진국(經濟先進國)과의 정보화격차(情報化隔差)를 좁혀 새로운 국제경쟁력(國際競爭力)을 배양할 수 있도록 공공정책(公共政策)을 전개하는 것이 필요하게 된다. 본고(本稿)는 이러한 문제의식(問題意識)에서 정보화(情報化)의 의미(意味)와 효과(效果)를 산업조직론(産業組織論)의 시각(視角)에서 정리하고 금후 정보화(情報化)에 대응하는 정책(政策)의 기본방향(基本方向)을 개괄적(槪括的)으로 제시하는 것을 목적(目的)으로 한다.