Kim, Ki-Woo;Kim, Tae-Wan;Lee, Yang-Suk;Kim, Yoo;Ko, Young-Sung;Kim, Sun-Jin
Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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2009.05a
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pp.57-60
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2009
Exothermic and ignition characteristic of igniter is very important factor in engine performance. Since the igniter performance is effected by Hydrogen Peroxide decomposition rate, we have to test the preliminary catalyst performance test. In this report, after making igniter using hydrogen peroxide/kerosene, a thermal characteristic were examined by comparing hydrogen peroxide mass and catalyst mass. And then we study ignition characteristic of the affects of O/F ratio using the previous data.
The objective of this study is to investigate the effect of the level of $CO_2$ (370 and $650{\mu}mol\;mol^{-1}$) and temperature (ambient and ambient+$5^{\circ}C$) on tomato growth and fruit characteristics as affected by the application rate of N-fertilizer (68 and $204\;N\;kg\;ha^{-1}$), for the purpose of evaluating the influence of elevated $CO_2$ and temperature on tomato crop. The elevated atmospheric $CO_2$ and temperature increased the plant height and stem diameter for tomato crop, while the differences among the nitrogen(N) application rates were not significantly different. Under the elevated $CO_2$, temperature, and a higher N application rate, the biomass of aerial part increased. The fruit yield showed the same result as the biomass except for the elevated temperature. The elevated temperature made the size of fruit move toward the small, but the elevated $CO_2$ and the application of N-fertilizer were vice versa. The sugar content and pH of fruit juice were affected by nitrogen application rate, but not by the elevated $CO_2$ and temperature. These results showed that both the elevated $CO_2$ and temperature stimulated the vegetative growth of aerial parts for tomato, but each effects on the yield of fruit showed an opposite result between the elevated temperature and $CO_2$. In conclusion, the elevated $CO_2$ increased tomato yield and the ratio of large size of fruit, but the elevated temperature did not. Therefore, to secure the productivity of tomato as nowadays in future environment, it will need to develop new breeder as high temperature-tolerable tomato species or new type of cropping systems.
This study was carried out in order to know the ecological variation and yield factors under the Korea weater with the 25 sunflower varieties which have been introduced from abroad recently. As the results of this of this study we can conclude that high yield and high oil content varieties seemed to have the short period comparatively from planting to head visible and to have long period from flowering to maturity.
The natural enemy was identified as a parasitic wasp, Binodoxys communis Gahan. B. communis taxonomically belongs to the family braconidae, subfamily aphidinae, and genera binodoxys. It develops normally at 17.5 to 32.5℃, and not at 35℃. Depending on the temperature, the longest development period of B. communis was 21.9 days at 17.5℃, and shortest was 6.46 days at 32.5℃. The effective accumulated temperature was 175.44 DD for females as well as males; however, the developmental threshold temperature was 10.87℃ and 10.74℃ for females and males, respectively. This parasitic wasp was found to prefer cotton aphids and soybean aphids as its prey.
This study aimed to generate a probability distribution model based on temperature data of frozen food storage facility as input variables for microbial risk assessment (MRA). We visited 8 food-handling businesses to collect temperature data from their cold storage warehouses. The overall mean temperature inside the storage facilities was $-20.48{\pm}3.08^{\circ}C$, with 20.4% of the facilities having above $-18^{\circ}C$, with minimum and maximum temperature values of -10.3 and $-25.80^{\circ}C$ respectively. Temperature distributions by space locations of natural and forced convection were $-22.57{\pm}0.84$ and $-17.81{\pm}1.47^{\circ}C$, $-22.49{\pm}1.05$ and $-17.94{\pm}1.44^{\circ}C$, and $-22.68{\pm}1.03$ and $-18.08{\pm}1.42^{\circ}C$ in the upper (2.4~4 m), middle (1.5~2.4 m), and lower (0.7~1.5 m) shelves, respectively. Probability distributions from the temperature data were obtained using the program @RISK. Statistical ranking was determined using goodness of fit to determine the probability distribution model. Our results show that a log-normal distribution [5.9731, 3.3483, shift (-26.4281)] is most appropriate for relative MRA conduction.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.37
no.2
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pp.250-259
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2020
The solubilization constant (Ks) was determined by the UV-Vis method to investigate the interaction between organic matter (solubilized substance) and surfactant in solubilization. Solubilization constants and thermodynamic functions, according to the hydrophobic interaction between organic mater (4-alkylanilines with different alkyl substituent length) and cationic surfactants (DTAB, TTAB, and CTAB, having different hydrophobic lengths), were measured and calculated at various temperatures and compared with each other. As a result, the hydrophobic interactions between organic matters and cationic micelles increased with increasing the chain length of solute's substituent as well as surfactant's hydrophobe. However, the hydrophobic effect by the alkyl substituent of organic matter was greater than the hydrophobic effect by the surfactant. In addition, the results of the calculated thermodynamic functions showed that 4-alkylaniline was solubilized at the deep place in the micelle and its solubilization was greatly dependent on both the hydrophobic effects of organic matter and surfactant. At the calculated iso-structural temperature, the difference between the maximum and minimum values was less than 1K within the experimental conditions.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.7
no.3
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pp.449-455
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1997
The anisotropic etching behavior of single crystal silicon were studied in aqueous KOH solution. N-type (100) oriented single crystal silicon wafers were used for the study, and the $SiO_2$ layer, whose etching rate is known to be much slower than that of silicon in the KOH solution, was used as a mask for the silicon etching. The silicon etching rate and the etching properties are shown to be a function of etchant temperature uniformity, circulation speed, and circulation direction of the etchant as well as the etchant concentration and the temperature. The etching rate is increased as the temperature is increased from $10\mu \textrm{m}/hr$ to $250\mu \textrm{m}/hr$ in the range of $50^{\circ}C~105^{\circ}C$. Hillock density and height is observed to be correlated with the etchant concentration and the etch temperature. The variation of the hillock density was explained by the ratio between the etching rate of (100) orientation and that of (111) orientation.
Fifty rice varieties were tested for alkali digestibility of milled rice grain at four different KOH levels, and twenty-four varieties selected were tested again for alkali digestibility at different degrading times and KOH levels. Gelatinization rate at several heating times and heating temperatures, and water absorption rate at 21$^{\circ}C$ and 77$^{\circ}C$ water temperatures were observed using rice samples of twenty-four varieties to clarify the relationship between alkali digestibility response, gelatinization rate and water absorption rate. Varietal difference of ADV in Japonica and Tongil tye rices was biggest at KOH 1.2%, but it was better to test at KOH 1.2% and 1.4% levels to know the exact alkali digestibility response of rice varieties. Rice varieties tested could be classified into three groups, low, intermediate and high, based on their alkali digestibility response at four KOH levels, and most of Korean cultivated rice varieties were belonged to intermediate or high ADV group. Varietal variation was also found in alkali degrading response at different soaking times in alkali solution. Low ADV varietal group showed higher gelatinization temperature and needed longer heating time for complete gelatinization compared with intermediate or high ADV group. Same trends was found between intermediate and high ADV groups, but varietal variation in the same ADV group was also found in gelatinization temperature and heating time needed for complete gelatinization of rice grain. Water absorption rate of low ADV group was lower than intermediate or high ADV group both at 21$^{\circ}C$ and 77$^{\circ}C$ water temperatures, and intermediate ADV group showed lower absorption rate than high ADV group only in initial water absorption stage at 21$^{\circ}C$.
The Journal of the Convergence on Culture Technology
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v.8
no.6
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pp.749-755
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2022
Electricity is essential energy in modern society, such as being used in various industries. However, the rate of fires occurring on electric wiring to deal with it is very high. In this work, we implemented a system to predict the temperature change of an electric circuit through analysis using various regression models. To do so, we collected the temperature data of 27 types of magnetic switches which control electric circuits as well as trained the regression models by using the collected temperature data. In our experiments, we confirmed that the regression models can be trained at a sufficiently usable level since the difference between the actual temperature and predicted temperature is about 4℃. The results of our work will be useful to predict the temperature of electric circuits and preventing fires on them.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.3
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pp.387-387
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1998
This paper reports on a thermodynamic analysis for the GaN thick film growth by vapor phaseepitaxy method. The thermodynamic calculation was performed using a chemical stoichiometric algorism. Thesimulation variables include the growth temperature in a range 400~1500 K, the gas ratios $(GaCl_3)/(GaCl_3+NH_3)$and $(N_2)/(GaCl_3+NH_3)$. The theoretical calculation predicts that the growth temperature of GaN be in thelower range of 450~750 K than the experimental results. The difference in the growth temperature betweenthe simulation and the experiments indicates that the vapor phase epitaxy of GaN is kinetically limited,presumably, due to the high activation energy of thin film growth.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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