• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
• /
• 1997.11a
• /
• pp.69-75
• /
• 1997

우리나라는 그동안 가스산업에서 고속성장을 이룩해 왔으나, 근래에는 중대가스산업사고가 빈번하게 일어나고 있다. 그건 이유로 1996년도에는 중대산업사고 예방제도가 전면적으로 실시되고 공정안전보고서를 작성하여 제출하도록 함으로서 위험성 평가의 중요성이 점차 높아가고 있으며, 위험성 평가 기법들에 대하여 여러 연구 단체에서 연구ㆍ시도되고 있다. 또한 이러한 연구ㆍ보고된 위험성 평가 기법들을 프로그램화하고 적용하려는 시도가 많이 있어 왔다. 본 연구에서는 기존에 연구ㆍ개발된 위험성 평가 기법들에 최근 컴퓨터 산업의 발달에 힘입어 각광을 받고 있는 지리정보시스템을 적용하고자 한다. 이러한 가스산업시설의 위험성 평가 시스템은 위험성을 평가하기 위해서 필요한 여러 가지 정보들을 지리정보시스템이 속성 데이터로서 저장하고 있으나, 가스산업시설에 관련된 주변의 도면들을 공간 데이터로서 저장하고 있다. 그리고 위험성 평가 시스템의 세부적인 기능을 모듈화하였다. 우선 위에 언급한 속성 데이터와 공간 데이터를 관리하는 모듈과 이러한 데이터를 가지고 사고영향 범위를 산출해내기 위한 모듈, 그리고 산출된 사고 영향 범위를 도면에 나타내는 모듈로 나뉘어져 있다. 이렇게 지리정보시스템에 구축되어 있는 도면에 위험성을 평가한 결과치를 나타냄으로서 위험성 평가 숙련자가 아니더라도 위험성 평가를 할 수 있고 결과를 분석하도록 도와 줄 수 있도록 할 수 있다. 또한 향후 재난관리시스템에서는 도면상의 도로에 교통량 가중치와 인근 소방서와 경찰서등의 위치를 관리하도록 지리정보시스템을 적용할 수 있으면, 가스시설물 관리시스템에서는 최근 대형가스사고의 대부분이 타공사에 의한 것임을 고려하여 가스배관망을 포함하여 기타 다른 지하배관망을 관리하도록 지리정보시스템을 적용할 수 있다. (중략)램프에서 좋은 광학적 특성을 얻기 위해 가장 중요한 것은 수축이 없이 방전을 확산시키는 것이다. 이를 위해서 램프구조와 구동법을 최적화하는 것이 필요하다. 또한 기체압력을 높임으로서 Xe의 여기복사를 얻을 수 있었다. 동시에 새로운 적용영역의 가능성을 탐구하는데 있다 하겠다.[C/N]의 값을 나타내었다.다.다.화 기술, 구동방법등에 대한 기술개요와 국내외 기술동향에 대하여 소개하고자 한다.었다.다._{2}$가 0.25[wt%] 첨가된 시편의 20[.deg.C]에서의 유전상수는 16,700으로 최대값을 유전손실을 1.28[%]로 최소값을 나타내었다. 또한 모든 시편은 온도 및 주파수에 따라 유전상수가 완만하게 변화하는 유전이완 특성을 나타내었다.다.수적인 물의 양에 따른 DIAION WA30의 라세미화 효율에 관하여 실험한 결과, 물의 양이 증가할수록 그 효율은 감소하였다. DIAION WA30을 라세미화 촉매로 사용하여 아이소옥탄 내에서 라세믹 나프록센 2,2,2-트리플로로에틸 씨오에스터의 효소적 DKR 반응을 수행해 보았다. 그 결과 DIAION WA30을 사용하지 않은 경우에 비해 반응 전환율과 생성물의 광학 순도는 급격히 향상되었다. 전통적 광학분할 반응의 최대 50%라는 전환율의 제한이 본 연구에서 찾은 DIAION WA30을 첨가함으로써 성공적으로 극복되었다. 또한 고체 염기촉매인 DIAION WA30의 사용은 라세미화 촉매의 회수 및 재사용이 가능하게 해준다.해준다.다. TN5 세포주를 0.2 L 규모 (1 L spinner flask)oJl에서 세포간의 응집현상 없이 부유배양에 적응,배양시킨 후 세포성장 시기에 따른 발현을 조사한 결과 1 MOI의 감염조건 하에서는 $0.6\times10^6$cell/m

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
• /
• v.13 no.4
• /
• pp.89-94
• /
• 2008

Purpose: To observe the high temperature creep test and the fracture surface of the samples of 9% Ni alloy steel generally used for all kinds of mahine parts and predict the durability of that by determining a constant of C with a Larson-Miller variable. Methods: The equipment of this test was made into lever-beam style designed by Andrade and F. Garofalo et al.. The condition of creep test was set under 16 kinds of conditions after fixing 4 kinds of temperature condition and 4 kinds of stress condition to check how it effects the samples. Results: The temperature of creep test was increased, the stress index (n) of creep deformation was gradually decreased from 3.97 to 3.55. The activation energy of creep deformation was decreased from 90.39 to 83.64 kcal/mol when the stress was increased. A constant of C value by calculation of larson-Miller variable was about 22 and if temperature for use is suggested, the durability could be calculated. Conclusions: By analyzing the fracture phenomenon and suggesting the observation result of the fracture surface of the samples and creep test of 9% Ni alloy steel, the basic design data for the practical use of accessories in the field of equipment could be constructed and used to predict the durability of the equipment.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
• /
• v.47 no.8
• /
• pp.61-67
• /
• 2010

A characterization procedure for analyzing symmetric coupled MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) transmission line is used the same procedure as a general single layer symmetric coupled line with perfect dielectric substrate from the extraction of the characteristic impedance and propagation constant for even- and odd-mode. In this paper, an analysis for a new substrate shielding symmetric coupled MIS structure consisting of grounded crossbar at the interface between Si and SiO2 layer using the Finite-Difference Time-Domain (FDTD) method is presented. In order to reduce the substrate effects on the transmission line characteristics, a shielding structure consisting of grounded crossbar lines over time-domain signal has been examined. Symmetric coupled MIS transmission line parameters for even- and odd-mode are investigated as the functions of frequency, and the extracted distributed frequency-dependent transmission line parameters and corresponding equivalent circuit parameters as well as quality factor for the new MIS crossbar embedded structure are also presented. It is shown that the quality factor of the symmetric coupled transmission line can be improved without significant change in the characteristic impedance and effective dielectric constant.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
• /
• v.48 no.12
• /
• pp.35-41
• /
• 2011

In this paper, an analysis for a new substrate shielding symmetric coupled MIS structure consisting of grounded crossbar at the interface between Si and SiO2 layer using the Finite-Difference Time-Domain(FDTD) method is presented. In order to reduce the substrate effects on the transmission line characteristics, a shielding structure consisting of grounded crossbar lines over time-domain signal has been examined. Parameters of symmetric coupled MIS transmission line with various gaps between crossbars for even- and odd-mode are investigated as the functions of frequency, and the extracted distributed frequency-dependent transmission line parameters and corresponding equivalent circuit parameters as well as quality factor for the new MIS crossbar embedded structure are also presented. It is shown that the quality factor of the symmetric coupled transmission line can be improved without significant change in the characteristic impedance and effective dielectric constant.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.40 no.10
• /
• pp.663-669
• /
• 1996

The rate constants for the nucleophilic addition reactions of thioglycolic acid to vinylsulfilimine(VSI) derivatives(p-OCH3, H, p-Cl and p-Br) were determined by an ultraviolet spectrophotometric method, and rate equations which can be applied over a wide pH range were obtained. On the basis of rate equation, general base catalysis and substituent effect, a plausible addition reaction mechanism was proposed: Below pH 3.0, the reaction was proceeded via the addition of neutral molecule to carbon-carbon double bond after protonation at the nitrogen atom of the sulfilimine, and in the pH range of 3.0 to 9.0, the neutral molecule and its anion attacked to carbon-carbon double bond competitively. Above pH 9.0, sulfide anion added to the double bond (Michael type addition).

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.14 no.1
• /
• pp.1-7
• /
• 2003

We determined the optical constants of organic light emitting material of Alq$_3$ in a spectral range between 1.5 and 6 eV using the physical model introduced by Forouhi and Bloomer［Phys. Rev. B 34, pp. 7018-7026, 1986.］. The initial parameters of $A_i,\;B_i,\;C_i$ of Forouhi-Bloomer dispersion relations were determined from the absorption peaks and widths of absorption spectra of the Alq$_3$ film. The refractive index of substrate, a fused silica, is derived from the Sellmeier equation with the measured transmittance and reflectance spectra. Then, the complex refractive index and thickness of the Alq$_3$ film were calculated by use of a nonlinear least square fitting program with the Forouhi-Bloomer dispersion relation and the measured transmittance and reflectance spectra.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
• /
• v.1 no.2
• /
• pp.37-42
• /
• 1996

The $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ single crystals were prepared by Czochralski method and the study of electrical and optical properties were carried out. The activation energy of the electrical conductivity was $E_g$=1.12 eV. The optical energy gap measured in the room temperature is found to be 2.3 eV. A.c. conductivity of crystal $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ was measured at temperatures from 290 K to 570 K in the frequency range from 50 kHz to 30 MHz. The a.c. conductivity is proportional to ${\omega}^s$. In view of this it should be hopping conduction mechanisms. At high frequencies, the power exponent was s=2. The low frequency dielectric constants were 54 for $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ and 41 for $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ single crystals.

• KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
• /
• v.8 no.2
• /
• pp.185-196
• /
• 1988

In this study, a method of nonlinear dynamic analysis of suspension bridges subjected to random wind loads is pre.sented. The nonlinearity considered is the one due to the interaction between the motion of the bridge girder and the tertsion variation of the main cables. The equation of motion is formulated using a continuum approach. The coupling between the vertical and torsional motions are included in the analysis. The equation of motion is solved by using the mode superposition method. The analysis is carried out in the frequency domain utilizing the stochastic linearization technique on to the modal equations. In the linearization procedure, the nonlinear terms are approximated as linear ones with constant terms. The verification of the method has been performed on a case with four modal degrees of freedom. Example analyses are carried out on two suspension bridges for various wind speeds and wind force parameters. Numerical results indicate that, by including the nonlinearity into the analysis, the dynamic responses of the bridges, particularly in the vertical direction, change considerably.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.146-147
• /
• 2012

InP 기판위에 자발성장법으로 성장된 InAs 양자점은 $1.55{\mu}m$ 영역에서 발진하는 양자점 반도체 레이저 다이오드 및 광 증폭기를 제작할 수 있기 때문에 많은 관심을 받고 있다. 광통신 대역의 $1.55{\mu}m$ 반도체 레이저 다이오드 및 광 증폭기 분야에서 InAs/InP 양자점이 많은 관심을 받고 있으나, InAs/GaAs 양자점에 비해 제작이 어려운 단점을 가지고 있다. InAs/InP 양자점은 InAs/GaAs 양자점에 비해 격자 불일치가 작아 양자점의 크기가 크고 특히 As 계 박막과 P 계박막의 계면에서 V 족 원소 교환 반응으로 계면 특성 저하가 발생하여 성장이 까다롭다. As 과 P 간의 교환반응은 성장온도와 V/III 에 의해 크게 영향을 받는 것으로 보고되었다. 그러나, P계 InGaAsP 박막 위에 InAs 성장 시 발생하는 As/P 교환반응에 대한 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 InGaAsP 박막 위에 InAs 양자점 성장 시 GI (growth interruption)에 의한 As/P 교환반응이 InAs 양자점의 형상 및 광학적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 시료는 수직형 저압 Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)를 이용하여 $520^{\circ}C$의 온도에서 성장하였다. 그림1(a) 구조의 양자점은 InP (100) 기판위에 InP buffer layer를 성장한 후 InP와 격자상수가 일치하는 $1.1{\mu}m$ 파장의 InGaAsP barrier를 50 nm 성장하였다. 그 후 As 분위기 하에서 다양한 GI 시간을 주었고 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 양자점 성장 후 InGaAsP barrier를 50 nm, InP capping layer를 50 nm 성장하였다. AFM측정을 위해 InP capping layer 위에 동일한 GI 조건의 InAs/InGaAsP 양자점을 성장하였고 양자점 성장 후 As분위기 하에 온도를 내려주었다. 그림1(b) 구조의 양자점은 그림1(a) 와 모든 조건은 동일하나 InAs 양자점과 InGaAsP barrier 사이에 GaAs 2ML를 삽입한 구조이다. 양자점 형상 특성 평가는 Atomic force microscopy를 이용하였으며, 광특성 분석은 Photoluminescence를 이용하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
• /
• v.43 no.12 s.354
• /
• pp.83-88
• /
• 2006

In this paper, we propose a new cross bar embedded structure for improvement of attenuation characteristics along the different lossy media. A general characterization procedure based on the extraction of the characteristic impedance and propagation constant for analyzing a single MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) transmission line used and an analysis for a new substrate shielding MIS structure consisting of grounded crossbars at the interface between Si and Sio2 layer using the Finite-Difference Time-Domain(FDTD) technique is used. In order to reduce the substrate effects on the transmission line characteristics, a shielding structure consisting of grounded cross bar lines over time-domain signal has been examined. The extracted, distributed frequency-dependent transmission line parameters as well as the line voltages and currents, and also corresponding equivalent circuit parameters have been examined as function of frequency. It is shown that the quality factor of the transmission line can be improved without significant changes in the characteristic impedance and effective dielectric constant.