• Applied Chemistry for Engineering
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• v.17 no.5
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• pp.471-475
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• 2006

$VO_x$ thin films with the thickness of 450 nm were prepared on a $Pt/Ti/SiO_{2}/Si$ substrate at room temperature by a reactive radio frequency (rf) magnetron sputtering method. The deposition rates of $VO_x$ thin films were investigated as a function of $O_{2}$ concentration and rf power. As the $O_{2}$ concentration in a $O_{2}/Ar$ mixture increased, the deposition rate decreased. However, the deposition rate increased with increasing rf power. The deposited $VO_x$ thin films were annealed at $450^{\circ}C$ for 2, 4, and 6 h in $O_{2}$ and $N_{2}$ ambient. After annealing, the phase changes of $VO_x$ thin films were investigated using X-ray diffraction analysis. The plane and cross-sectional views of $VO_x$ thin films before and after annealing were observed by field emission scanning electron microscopy. The metal-insulator transition (MIT) properties of $VO_x$ thin films were measured using current-voltage measurement. The excellent MIT properties were observed in $VO_x$ thin films annealed in $O_{2}$ ambient.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.10 no.3
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• pp.123-132
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• 2000

Cerium substituted YIG thin films were grown by rf magnetron sputter techniques. We investigated the effects of post-deposition heat-treatment as well as various deposition parameters such as substrate materials, substrate temperature. sputter power, and sputter gas types on the crystallinity, chemical composition, microstructure and magnetic characteristics of the films. Post-deposition heat treatment over 750 $\^{C}$ was applied to crystallize as-prepared amorphous films, and a strong tendency of particular crystallographic planes tying parallel to substrate surface was observed for the post-deposition heat-treated films on GGG substrate. The chemical composition of the films exhibited a wide range of chemical stoichiometry depending on the oxygen fraction of sputter gas, and in particular the composition of the film deposited in sputter gas with an oxygen fraction of R = 10% was Ce$\_$0.23/Y$\_$1.30/Fe$\_$3.50/O$\_$12/. With raising the temperature of post-deposition heat-treatment from 900 $\^{C}$ to 1100 $\^{C}$, the surface roughness of the film on GGG substrates increased from about 3 nm to 40 nm, but their coercive force and ferromagnetic resonance line width decreased from 0.477 kA/m to 0.369 kA/m and from 12.5 kA/m to 8.36 kA/m, respectively.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.41 no.2
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• pp.170-175
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• 2004

The ferroelectric (Y $b_{x}$ $Y_{1-x}$)Mn $O_3$ thin films were fabricated by sol-gel method using Y-acetate, Yb-acetate, and Mn-acetate as raw materials. The stable (Y $b_{x}$ $Y_{1-x}$)Mn $O_3$ precursor solution (sol) was prepared through the reflux process with acetylaceton as a catalyst and coated on Si(100) substrate by spin coating. The heat treatment temperature and, Rw ($H_2O$/alkoxide moi ratio) dependence on crystallinity of thin films were studied. The lowest temperature for obtaining YbMn $O_3$phase and the optimum heat-treatment conditions were proved as at 7$50^{\circ}C$ and 80$0^{\circ}C$, respectively. The hexagonal YbMn $O_3$with c-axis preferred orientation could be obtained at Rw=1 condition. The remanent polarization for the thin films of x=0 or 1 was about 200 nC/㎤ while, for the specimens ot 0< x< 1, were 50∼100 nC/$\textrm{cm}^2$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.1
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• pp.17-23
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• 1998

$Pb(Fe_{0.5}Nb_{0.5}O_3(PFN)$ thin films were prepared by rf magnetron co-sputtering method on $SiO_2/Si$, ITO/glass, and $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates and post-annealed at the $N_2$ atmosphere by RTA(rapid thermal annerling). The degree of crystallinity of PFN films was identified on various substrates. Electrical properties of PFN films was characterized for $Pt/PFN/Pt/Ti/SiO_2/Si$ structure. The composition of PFN films was estimated by EPMA (electron probe micro analysis). PFN films would be crystallized better to perovskite phase on ITO/glass substrate than $SiO_2/Si$ substrate. This may be induced by the deformation of Pb deficient pyrochlore phase due to Pb diffusion into $SiO_2/Si$ substrate. PFN films on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate. PFN films with 5-10% Pb excess were crystallized to perovskite phase from $500^{\circ}C$ temperature. In summary, we show that Pb composition and annealing temperature were critically influenced on crystallinity to perovskite phase. When PFN film with 17% Pb excess was annealed at $600^{\circ}C$ at the $N_2$ atmosphere for 300kV/cm and 88. Its remnant polarization coercive field $2.0 MC/cm^2$ and 144kV/cm, respectively.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.1
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• pp.99-108
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• 1993

저압화학증착법에 의해 제조된 hemispheircal 및 rugged Si 박막들은 64 Mbit DRAM 이상의 캐패시터에 사용하기 위해 개발되었다. 이 공정을 사용하므로써 종래에 사용되던 Si 전극의 평평한 표면이 hemispherical 혹은 rugged 박막 형태의 표면으로 변한다. 위와 같은 박막은 비정질 Si 표면에서 핵생성되며 Si 원자 확산에 의해 결정립들이 결정체로 성장한다. 화학증착의 변수, 열처리 및 in-situ doping process들은 hemispherical 및 rugged Si 박막의 미세구조에 영향을 준다. 동일 두께에서는 고온에서 이루어질 때 혹은 동일 온도일 경우에는 얇은 박막층일 때에 하부전극의 표면들이 rugged poly Si 형상을 나타내며 이렇게 됨으로써 유효면적은 2.1배로 증가한다. 이와 같은 캐패시터 유효면적 증가는 대체로 높은 신뢰성을 갖는 두꺼운 절연막을 사용하면서 stack 캐패시터 구조의 높이를 감소시킬 수 있다. 따라서 이러한 제조기술은 차세대 캐패시터에 적용될 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.75-75
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• 2015

산업이 발달되고 제품이 소형화 및 고품질화됨에 따라 그에 따른 제품의 품질 조절이 용이하고 자동화하기 쉬울 뿐만 아니라 공해문제 및 후가공 문제 등이 없는 이온질화 열처리 기술의 보급이 급속도로 확산되고 있다. 특히 플라즈마 이온질화는 가스조성, 처리온도, 질화시간, 가스압력 및 인가전류를 조절함으로써 질화층은 물론 화합물의 상을 용이하게 조절할 수 있다. 위와 같은 변수들을 조절함으로써 PECVD 장비에서 DC pulse power를 사용하여 플라즈마 질화법으로 질화처리하였으며 AISI4140강에서 화합물층의 유무에 따른 기계적인 특성을 비교 조사하고자 하였다.

• Food Science and Industry
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• v.49 no.2
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• pp.71-77
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• 2016

쌀은 우리나라에서 오래 전부터 주식으로 사용되어 온 중요한 식량자원으로, 우리 식생활에서 밥이 차지하는 비중은 상당히 크며 매식사 마다 취반하는 것이 보편적 형태이다. 하지만, 취반 직후의 밥은 시간이 지남에 따라 물성이 변화하므로 이에 따라, 밥을 냉동 보존하여 적절한 방법으로 해동하면 갓 지은 밥의 조직감으로 복원이 가능하다. 또한, 건조 처리하여 열수복원 후 즉석으로 섭취할 수 있어 장기 보존 시의 품질유지를 위한 가공기술 적용이 필요할 것으로 사료된다. 이에 따라, 쌀알을 이용하여 HMR(Home meal replacement) 편의식 개발을 위한 가공적성 연구를 수행중에 있으며, 건조, 냉동, 열처리 방법과 같은 가공변수에 따라 냉동밥, 건조밥, 편의식 죽 등의 적용 특성을 분석함으로써 다양한 원료쌀 을 선택할 수 있는 기틀을 마련하여 국내 쌀 소비확대에 기여할 것으로 생각된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.18 no.5
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• pp.179-183
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• 2008

Employing screen printing technology, aluminum is applied to the back side of the n-type silicon wafer to see the effect of the heat treatment parameters on the Voc of the solar cell, Heat treatment at $850^{\circ}C$ produces the highest Voc among various heat treatment conditions. Heat treatment at the temperatures higher than $850^{\circ}C$ results in lower Voc, which is due to the destruction of the Al-Si alloy emitter layer. The destruction of Al-Si layer observed to be caused by the vigorous movement of silicon atoms toward aluminum layer during the heat treatment.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.118-118
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• 1999

CVD방법에 의한 TiN 박막 형성에 있어서 ICP-CVD 방법이 대두되고 있다. 이것은 precursor에 대한 radical 형성, 식각된 패턴에서 양 벽의 self-shadowing 효과, 낮은 tress등으로 dense 한 박막을 얻을 수 있기 때문이다. TiN 박막은 Si 기판의 온도를 상온에서 50$0^{\circ}C$까지 유지하면서 TEMAT의 유량을 5-20sccm으로 변화시키면서 증착하였다. 증착 후 TiN 박막의 결정화에 따른 열처리는 Ar과 N2-가스분위기에서 in-situ로 증착하였다. 증착 후 TiN 박막증착 조건수립에 따른 플라즈마 특성진단은 전자의 온도와 밀도, 평균 전자밀도, 이온 에너지 분포, radical 분포, negative 이온분포 등으로 측정하였다. 플라즈마 변수에 따른 TiN 박막의 결정성과 상 변화는 XRD로 분석하였고, 조성비 및 TiN 박막의 원소화학적 상태, 결합에너지, 각 상에 따른 결합 에너지 천이정도, 초기 형성과정 및 반응기구 등은 RBS와 XPS로 조사하였다. TiN 박막의 표면상태, morphology 거칠기, TiN/Si(100)구조에서 계면상태 등은 SEM, AFM, 그리고 HRTEM으로 분석하였다. TiN 구조 박막의 비저항, carrier concentration 그리고 mobility 측정은 박막의 표면이 균일하고 bls-홀이 없는 것으로 하여 4-point probe 방법으로 측정하였다. 이들 분석으로부터 ICP-CVD 방법에 의하여 형성된 TiN 박막이 초고집적 반도체 소자의 contact barrier layer로서의 적용 가능성을 평가하였다.

• Korean Journal of Food Science and Technology
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• v.38 no.4
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• pp.521-525
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• 2006

Korean ginseng was heat treated at various temperatures (110, 120, 130, 140 and $150^{\circ}C$) and times (1, 2, 3, 4, and 5 hr). The heat treated ginseng extract was analyzed for the total polyphenol content, total flavonoid content, DPPH free-radical scavenging, 5-HMF and ginsenoside. The total phenolics and flavonoid content increased with increasing treatment temperature and time. The highest total phenolics content was 29.46 mg/g (d.b) in $150^{\circ}C$ for 1hr (control: 2.68 mg/g). The highest total flavonoid content was 4.75mg/g (d.b) in $150^{\circ}C$ for 2hr (control: 0.39 mg/g). The antioxidant activity increased until $140^{\circ}C$ for 3 hours. An extension of the treatment time did not have any effect, and the antioxidant activity decreased at temperatures higher than $150^{\circ}C$ for more than 2 hours. The content of ginsenoside $Rg_1$, Re, $Rb_2$ and Rb3 rapidly decreased with increasing treatment temperature and time. Ginsenoside $Rg_3$ and $Rh_2$ were newly produced, or their contents increased with increasing treatment temperature and time.