• Proceedings of the Korean Society For Composite Materials Conference
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• 2002.10a
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• pp.257-260
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• 2002

자체적으로 방사된 C-유리섬유와 E-유리섬유의 최적 싸이징제 제거 열처리온도조건을 알아보기 위하여 대류오븐에서 100, 200, 300, 그리고 $400^{\circ}C$에서 2, 4, 8, 16, 32, 64 그리고 128분 동안 체류한 섬유의 인장강도를 측정하였다. 그리고 다른 열처리조건으로 325, 350, 375 그리고 $400^{\circ}C$로 $25^{\circ}C$씩 증가시켜 처리시간은 1.5, 3, 6, 12, 24, 48 그리고 96시간을 선택하여 섬유의 인장강도 변화를 측정하였다. C-유리섬유의 경우 열처리에 의한 인장강도 감소가 최대 1.8%정도 였다. E-유리섬유의 열처리에 의한 인장강도의 감소률은 최대 약 1%정도였다. C-유리섬유의 경우 열처리 온도가 짧은 시간과 긴체류시간에서 일정한 영향을 미쳤다. 즉 높은 열처리 온도에서 높은 인장강도 감소를 나타내었다. 그 반면 E-유리섬유의 경우 짧은 체류시간에 있어서는 C-유리섬유와 유사한 특성을 나타내었으나 긴체류 시간에 있어서는 열처리 온도조건에 의한 영향이 극히 미미하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.5 no.4
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• pp.251-260
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• 1995

It has been reported that Co-based amorphous ferromagnetic alloys annealed in a small magnetic field develop a reproducible, asymmetric hysteresis loop. If the direction of the field during annealing is regarded as +, the magnetization reversal from - to + is smooth and reversible, with its slope determined by the demagnetizing field of the sample. This phenomenon is called the asymmetric magnetization reversal (AMR). The shape of the hyster-esis loop depends sensitively on the condition during the anneal and the alloy composition. Here, we report on the effect of the annealing temperature and time on AMR in a zero magnetostrictive ferromagnetic amorphous alloy. The AMR effect develops in a very short time at a reasonably high temperature, but is stabilized by annealing for a prolonged time.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• v.44 no.5
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• pp.760-766
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• 2016

This study explored the effects of heating temperature and laminae thicknesses on the time required to heat the center of air-dried Paulownia tomentosa, Pinus sp., Abies sp., and Larix sp. laminae to $56^{\circ}C$, which is a minimum core temperature of wood packaging materials defined by ISPM 15 standard, and maintain for 30 minutes in dry heat treatment schedule. Heating times were different among wood species and were Pinus sp. ${\geq}$ Abies sp. > Paulownia tomentosa > Larix sp. in decreasing order. The differences in heating times of some species were significantly different statistically, but were not different enough in practical terms to warrant heating four species separately. Heating times decreased as heating temperature increased and followed approximately power-function relationship. Also, heating times increased linearly with increasing laminae thickness. These relationships make it possible to calculate intermediate heating times relative to experimentally observed heating times. The results of this study will serve as a guideline for heat sterilization of Chinese laminae species to meet heat treatment requirements for protection against invasive pests.

• Composites Research
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• v.18 no.2
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• pp.38-45
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• 2005

Phase transformation behaviors and crystal structures of Nitinol shape memory alloy $(54.5Ni-45.5Tiwt\%)$ are investigated by varying annealing heat treatment conditions through DSC (Differential Scanning Calorimetry) and XRD (X-Ray Diffraction). Annealing heat treatment conditions were considered as heat treated times of 5min, 15min. 30m1n, and 45min, as well as heat treated temperatures of $400^{\circ}C,\;500^{\circ}C,\;525^{\circ}C,\;550^{\circ}C,\;575^{\circ}C,\;600^{\circ}C,\;700^{\circ}C,\;800^{\circ}C,\;and\;900^{\circ}C$ According to the results, annealing heat treatment conditions such as heat treated times and heat treated temperatures were found to affect significantly on phase transformation behaviors and crystal structures of Nitinol shape memory alloy.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.245-245
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• 2012

차세대 디스플레이로 각광받고 있는 AMOLED에 대한 관심이 높아짐에 따라 구동 소자의 연구가 활발히 이루어지고 있다. 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 100 $cm^2$/Vs 이하의 높은 이동도와 우수한 전기적 특성으로 AMOLED 구동 소자로서 학계에서 입증되어왔고, 현재 여러 기업에서 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 제작 연구가 활발히 이루어지고 있다. 본 연구는 열처리 조건을 가변하여 제작한 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 전기적 특성 분석을 목적으로 한다. 실리콘 기판에 oxidation 공정을 이용하여 SiO2 100 nm, DC스퍼터링을 이용하여 ITZO (Indium-Tin-Zinc Oxide) 산화물 반도체 박막 50 nm, 증착된 산화물 반도체 박막의 열처리 후, evaporation을 이용하여 source/drain 전극 Ag 150 nm 증착하여 박막 트랜지스터를 제작하였다. 12 sccm의 산소유량, 1시간의 열처리 시간에서 열처리 온도 $400^{\circ}C$, $200^{\circ}C$의 샘플은 각각 이동도 $29.52cm^2/V{\cdot}s$, $16.15cm^2/V{\cdot}s$, 문턱전압 2.61 V, 6.14 V, $S{\cdot}S$ 0.37 V/decade, 0.85 V/decade, on-off ratio 5.21 E+07, 1.10 E+07이었다. 30 sccm의 산소유량, 열처리 온도 $200^{\circ}C$에서 열처리 시간 1시간, 1시간 30분 샘플은 각각 이동도 $12.27cm^2/V{\cdot}s$, $10.15cm^2/V{\cdot}s$, 문턱전압 8.07 V, 4.21 V, $S{\cdot}S$ 0.89 V/decade, 0.71 V/decade, on-off ratio 4.31 E+06, 1.05 E+07이었다. 산화물 반도체의 열처리 효과 분석을 통하여 높은 열처리 온도, 적은 산소의 유량, 열처리 시간이 길수록 이동도, 문턱전압, $S{\cdot}S$의 산화물 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성이 개선되었다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.10a
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• pp.154-157
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• 2006

ITO(indium tin oxide)/glass 기판 위에 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)]와 PVK[poly(N-vinyl carbazole)] 고분자 물질을 정공 주입 및 수송층으로, 발광층으로 PFO-poss[Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with POSS]를 사용하여 스핀코팅법과 열 증착법으로 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조의 고분자 발광 다이오드를 제작하였다. PFO-poss 유기발광 층의 열처리 조건 (온도, 시간)이 PLED 소자의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 1 wt%의 농도를 갖는 PFO-poss 유기물 발광 층을 200C 온도로 3시간 열처리 할 경우 11 V 인가전압에서 $1497\;cd/m^2$의 최대 휘도를 나타내었다. 동일온도에서 열처리 시간을 1시간에서 3시간으로 증가시킬 경우 휘도의 증가와 함께 발광 개시온도가 감소하는 경향을 보여주었다. 또한 열처리 온도와 시간을 증가시킬 경우 제2발광피크인 excimer 피크가 크게 나타났으며 청색에서 황색 발광 쪽으로 천이되는 경향을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.223-223
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• 2011

적외선 감지기로 사용되는 microbolometer 소자재료로 VOx 또는 비정질 Si이 가장 많이 사용된다. 그 중에서 VOx 물질은 온도저항계수 즉, TCR이 높고 감지도가 우수하기 때문에 비냉각 적외선 검출기에 많이 응용된다. Microbolometer 검출기는 그 응답도는 micromachining 공정에 의해 좌우되는 열 고립구조에 의해 좌우된다. 특히 TCR 값이 크고, 열시상수 값이 작을수록 양질의 감지도를 얻을 수 있으므로 재료의 선택 및 공정이 매우 중요하다. 따라서 본 연구에서는 비냉각 적외선 감지소자로 사용되는 VOx 박막을 DC Sputtering을 사용하여 증착하였으며, 그 특성을 조사하였다. MEMS 공정에 의한 센서의 제작은 적외선을 흡수하여 저항변화를 읽어내어 판독하는 Readout IC(ROIC) 위에 행해진다. Monolithic 공정에 의해 이러한 ROIC 위에서 공정이 동시에 행해지므로 공정온도는 매우 중요한 요소로 작용한다. 따라서 증착된 VOx 박막의 열처리 효과를 연구하였다. 열처리 온도는 $250^{\circ}{\sim}420^{\circ}C$, 열처리 시간은 20~80 min 까지 변화시켰다. 갓 증착된 VOx 박막의 저항은 약 200 $k{\Omega}$이였으며, TCR은 -1.5%/$^{\circ}C$로 나타났다. 열처리 온도가 증가함에 따라 TCR 값은 증가하였으며, 열처리 시간이 증가할수록 역시 TCR 값이 증가하는 경향을 보였다. 열처리 온도 320$^{\circ}C$, 열처리 시간 40 min에서 TCR 값은 약 -2%/$^{\circ}C$의 값을 얻을 수 있었다. 이러한 성능의 VOx 박막을 이용하여 비냉각형 microbolometer 검출소자를 열변형없이 공정을 수행할 수 있을 것으로 기대한다.

• Polymer(Korea)
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• v.27 no.2
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• pp.106-112
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• 2003

Poly(trimethylene terephthalate)(PTT) fibers were treated by passing on the plate heater to study the annealing effect on the change of morphological structure and physical properties. In the X-ray diffraction curves of PTT annealed, a sharp peak at 2$\theta$=15.6$^{\circ}$ appeared and the peak intensity became stronger with the increase of annealing temperature and time. This peak was based on the (010) plane of PTT crystals. The crystallinity determined by density measurement was also increased by annealing. With the increases of temperature and time, the dynamic viscoelastic behaviors were shown to be a large reduction in T(tan $\delta$$_{max}$). The birefringence and $T_g$ were also reduced, but the melting temperature was the same. These results mean that the molecular chains in armorphous region are transfered into the crystalline legion, making the remained chains relaxed during annealing at tensionless state.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.11b
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• pp.527-532
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• 1996

Fe-Cr-Mn계 스테인리스강을 진공 용해하여 최적 소둔 조건인 1,20$0^{\circ}C$에서 30분동안 소둔 열처리한 후 미세 조직, 기계적 특성 및 부식 특성에 미치는 시효 열처리의 영향에 대하여 실험하였다. 미세 조직 분석은 광학 현미경 관찰, XRD분석, SEM분석, TEM분석 등으로 행하였고, 기계적 시험은 인장 시험, 충격 시험, 경도 시험을 행하였다. 부식 저항성을 평가하기 위해 황산, 염산분위기에서 양극 분극 시험을 행하였다. 시효 열처리에 따른 미세 조직간의 상분율 변화는 거의 없었지만 입계를 중심으로 제2상이 석출되었고, 그 양은 시효 시간이 증가함에 따라 증가하였다. 인장 강도 및 연신율은 낮은 시효 온도에서는 시효 온도와 시효 시간에 따라 큰 차이를 보이지 않았지만 고온으로 갈수록 시효 시간이 증가함에 따라 다소 감소하는 경향이 나타났다. 충격에너지는 1시간 시효시에는 시효 온도에 따라 큰 변화를 보이지 않았지만 10시간, 100시간 시효한 경우 시효 온도가 상승함에 따라 감소하였다. 이러한 경향은 고온에서 시효한 경우 입계성장이 가속화되어 나타난 것으로 판단된다. 시효 시간이 증가함에 따라 부식 환경에 관계없이 부식 저항성이 감소하였다. 85$0^{\circ}C$에서 시효한 경우 가장 우수한 내식성을 보였고, $650^{\circ}C$에서 낮은 내식성을 나타냈는데 이는 이 온도 구간에서 탄화물 등의 제2상의 석출에 의한 것으로 판단된다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.11a
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• pp.397-397
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• 2009

c-Si wafer에 HWCVD로 증착된 a-Si:H 박막은 초기에 낮은 passivation 특성을 가지나 열처리 공정을 통해 효과적인 passivation을 가진다. 열처리 공정은 온도와 시간에 따라 큰 차이를 보인다. 이에 열선CVD를 이용하여 n type의 c-Si 기판에 a-Si:H을 증착하여 열처리 온도에 따른 Minority carrier Lifetime를 QSSPC를 통해 passivation 특성을 측정하였다. 온도는 $150^{\circ}C{\sim}270^{\circ}C$로 변화하여 측정하였다. 또한 열처리 시간을 10분씩 증가시켜 열처리 시간에 따른 passivation을 연구, 1ms에 이르는 Minority carrier lifetime을 얻었다.