• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.05a
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• pp.101-101
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• 1994

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1996.10a
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• pp.12-17
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• 1996

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1992.07a
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• pp.50-50
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• 1992

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.4
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• pp.341-345
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• 2000

We investigated the microstructures and the electrical properties of $ZrO_2$thin films deposited by reactive DC magnetron sputtering on (100) Si with different deposition conditions and annealing treatments. The refractive index of the $ZrO_2$ thin films increased with annealing temperatures and deposition powers, and approached to the ideal value of 2.0~2.2. The $ZrO_2$thin films deposited at the room temperature are amorphous, and the films are polycrystalline at the deposition temperature of $300^{\circ}C$. Both the thickness of the interfacial oxide layer and the root-mean-square (RMS) value of surface roughness increased upon annealing in the oxygen ambient. The Cmax value and leakage current value decreased with the increase of thickness of the interfacial oxide thickness.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.138-138
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• 2016

의료용 공구로 사용되는 합금은 마르텐사이트계 스테인리스강의 대표 강종인 420스테인리스강이 사용되며, 이 합금은 고온의 오스테나이트 상태에서 ?칭하면 마르텐사이트 조직으로 변태하여 현저하게 경화하는 특징을 가지고 있으며, 오스테나이트화 후 템퍼링시 우수한 기계적 성질이 얻어진다. 그러나 템퍼링 온도의 영향으로 석출탄화물이 형성되어 기계적 성질이나 내식성이 저하되는 단점이 있다. 본 연구에서는 STS 420스테인리스강의 템퍼링 온도에 의한 내식성 문제점을 개선시키기 위해 STS630 합금을 사용하여 다양한 석출 열처리 조건 및 플라즈마 질화공정을 연구하였다. 구입한 소재의 균일한 성분 조정을 통한 미세 편석 및 물성부여를 위한 균질화 조건 도출 열처리를 실시하였으며, STS630의 고용화열처리는 오스테나이트 균일조직이 되는 온도영역으로 가열하여 급냉하는 것으로 마르텐사이트 변태시키는 열처리를 진행하였으며, 열처리온도는 $1020{\sim}1060^{\circ}C$로 설정하였다. 석출경화 열처리는 $460{\sim}480^{\circ}C$와 $500{\sim}520^{\circ}C$의 온도에서 실시, 제품에 따른 인성을 부여하였으며, 질화공정은 플라즈마 장비를 이용하여 플라즈마 가열 ${\rightarrow}$플라즈마 이온질화를 통하여 가장 최적의 공정을 도출하였다.- 질화가 마무리 된 시료는 내식성 및 물성 평가를 통해 제품으로서의 특성을 평가하였다. 석출경화 열처리에 의해 STS420합금에 버금가는 인장강도 및 경도값이 나타났으며, 플라즈마 질화에 따라 물성 값의 향상이 나타났다. 용출실험결과 STS420합금의 경우 Fe, Cr원소의 용출이 나타나며 변색이 형성되었으나 STS630합금의 경우 그 현상이 미미하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.06a
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• pp.319-322
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• 1998

본 연구에서는 마스크의 폭을 각각 0.3.mu.m , 0.1.mu.m으로 설정하여 boron이 도핑된 실리콘 기판 위에 arsenic을 주입 시켰을때, 열처리 전과 각각 inert, dry, wet 산화분위기에서 열처리 한 후의 도핑 농도 프로파일과 수직 깊이와 측면으로의 퍼짐을 시뮬레이션하여 2차원적으로 관찰하였다. 마스크 폭을 축소시킴으로 인해 이온의 입사 방향으로 더 깊이 침투됨이 관찰되었으며, 더욱이 측면으로도 퍼짐이 관찰되었다. 열처리 전과 열처리 후의 비교에서도 농도프로파일이 보다 더 기판 내에서 넓게 분포됨이 관찰되었다.

• ETRI Journal
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• v.10 no.4
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• pp.140-145
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• 1988

엘립소메츠리를 이용하여 $B^+$ 및 $As^+$ 이온이 주입된 실리콘층의 굴절률과 소멸계수를 도우즈 및 열처리 조건의 함수로 조사하였다. $B^+$ 이온주입된 실리콘의 경우 n은 $10^13$ 도우즈 이상에서 증가하고, k는 도우즈 증가에 따라 단조 증가를 나타내었다. RTA 열처리가 furnace 열처리 보다 결정성 회복이 우수하였으며, 등온 열처리 시 약 30분이상에서 거의 완전하게 재결정됨을 볼 수 있었다. $As^+$ 이온주입의 경우 $10^15$이상에서 복소굴절률의 변화를 나타내었으며, 열처리에 대해 k가 n보다 민감하였다.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.10 no.1
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• pp.7-13
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• 2010

We have investigated effects of the rapid thermal annealing of GaN epilayers by molecular beam epitaxy in nitrogen atmosphere. The improvement of structural properties of the samples was observed after rapid thermal annealing under optimum conditions. This improvement in crystal quality is due to a reduction of the spread in the lattice parameter in epilayers. The annealing has been performed in a rapid thermal annealing furnace at $950^{\circ}C$. The effect of rapid thermal annealing on the structural properties of GaN was studied by x-ray diffraction. The Bragg peak shifts toward larger angle as the annealing time increases. As the thermal treatment time increases, FWHM(full width at half maximum) of the peak slightly increase with its decreases followed and it increases again. Results demonstrate that rapid thermal annealing did not always promote qualities of GaN epilayers. However, rapid thermal annealing under optimum conditions improve structural properties of the samples, elevating their crystal quality with a reduction of inaccuracy in the lattice parameter of the epilayers.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.4
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• pp.201-206
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• 2002

Pd/Si/Pd/Ti/Au ohmic contact to n-type InGaAs was investigated with rapid thermal annealing conditions. Minimum specific contact resistivity of $3.9\times10^{-7}\Omega\textrm{cm}^2$ was achieved at $400^{\circ}C$/20sec. This was related to the formation of Pd-Si compounds by rapid thermal annealing and the in-diffusion of Si atoms to InGaAs surface. However, the specific contact resistivity increased slightly to low-$10^{-6}\Omega \textrm{cm}^2$ at $400^{\circ}C$ for longer than 30 seconds, and to high-$10^{-7}$ at 425~$450^{\circ}C$ for 10 seconds. This resulted from the formation of Pd-Ga compounds. Superior ohmic contact and non-spiking planar interface between ohmic materials and InGaAs were maintained after annealing at high temperature. Therefore, this thermally stable ohmic contact system is a promising candidate for compound semiconductor devices.

• Journal of Life Science
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• v.18 no.10
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• pp.1447-1454
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• 2008

Effect of heat processing on thermal stability of kudzu root isoflavone was investigated for future use such as various processed foods and functional foods. Kudzu root extracts were heated at 80, 100, 121, 140, 165, and $180^{\circ}C$ for up to 90 minutes before and after concentration, respectively. Changes in the amount of isoflavones were monitored using HPLC and thermal stability was investigated using Arrhenius equation. The amount of both daidzin and genistin decreased slightly during heating at 80, 100 and $121^{\circ}C$ but decreased significantly above $140^{\circ}C$. This indicated that daidzin and genistin are stable at temperatures near the boiling point of water. The degradation of both daidzin and genistin occurred in two steps and each step showed typical first order kinetic. The degradation rates were faster in the first step than the second step in both daidzin and genistin. Additionally, the degradation was accelerated when they heated after concentration compared to the sample heated before concentration. These results suggested that degradation of kudzu root isoflavone was highly dependent on both their concentration and heating temperature. This study provides the basic information on thermal stability of kudzu root isoflavones, which can be used for future processing of functional foods.