• 대한화학회지
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• 제53권4호
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• pp.427-431
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• 2009

대두 잔기로부터 유기용매를 사용하여 이소플라본을 추출하는 열역학적 메카니즘을 조사하였다. 대두 잔기로부터 유기용매를 사용한 이소플라본 추출과정에서의 분배 계수를 결정하기 위한 간단한 모델을 설정하고 $K,\;{\Delta}H^0,\;{\Delta}S^0\;and\;{\Delta}G^0$ 간에 열역학적 함수를 계산하였다. 그 결과 대두 이소플라본 추출은 흡열과정이며 엔트로피 증가과정임을 발견하였다. 온도가 증가할수록 ${\Delta}G^0$가 감소하였다.

• 한국진공학회지
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• 제2권3호
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• pp.360-367
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• 1993

텅스텐 박막 증착의 메카니즘을 밝히기 위하여 먼저 SiH4와 WF6의 열분해 반응에 관한 열역학적 결과들과 표면 촉매 반응에 대한 이론적인 결과들을 고찰하였다. 실험적으론 저압 화학기상 증착법을 이용하여 WF6를 SiH4로 환원시켜 텅스텐 박막을 Si(100) 기판위에 증착하였으며 증착반응 중의 기판 표면의 변화를 in-situ로 측정하였다. 증착 메카니즘을 밝히기 위하여 반응기체를 WF6, SiH4, WF6＋SiH4, WF6$\longrightarrow$SiH4$\longrightarrow$WF6＋SiH4로 달리하여 반응시켰으며 그 때의 박막 특성과 표면 및 단면 형상을 측정하였다. 이론적인 고찰과 실험적인 결과들로부터 텅스텐 박막은 먼저 Si 기판에 의한 WF6의 환원반응으로 인한 증착과 이어서 SiH4에 의한 WF6의 환원으로 증착됨을 밝혔다.

• 대한화학회지
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• 제41권4호
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• pp.198-204
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• 1997

N-(2,4-dinitrophenyl)benzhydrazonyl bromide 유도체들의 가수분해 반응속도상수를 20$^{\circ}C$의 수용액에서 자외선 분광광도법으로 측정하여 넓은 pH 범위에서의 반응속도식을 구하였다. 반응속도식, 용매효과, 치환기 효과, 염효과, 열역학적 활성화 파라미터 등의 결과로부터 가수분해 반응메카니즘을 제안하였다. 즉, pH 3.0에서는 carbonium ion 중간체를 거쳐 SN1 반응에 의해 진행되며, pH 10.0에서는 1,3-dipolar 반응 메카니즘 또는 SN2 반응에 의해 진행됨을 제안하였다.

• 대한화학회지
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• 제28권4호
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• pp.265-268
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• 1984

9종류의 m-또는 p-치환 phenacyl bromide와 quinoline을 같은 몰 비로 메탄올 용매하에서 반응시켜 반응속도를 전기 전도도법으로 측정하였다. 이들 반응은 $S_N2$과정에서 따라 진행하며 전자 주는 기나 전자 끄는 기가 모두 반응속도를 촉진하였으며 이 사실을 설명할 수 있는 반응메카니즘을 제시하였다. 또 이 반응에 수반하는 열역학적 parameter도 구하였다.

• Tribology and Lubricants
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• 제4권1호
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• pp.36-42
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• 1988

고온, 고속의 가혹한 조건하에서 윤활유의 열분해시 생성되는 수소의 발열반응에 의한 이차적인 열활성화 에너지에 기인되어 금속의 마멸현상을 가속화시키는 열활성화이론을 기본으로 하여 수소의 영향을 제거 혹은 감소시키기 위해 새로운 첨가제인 diethyl-3,5-di-t-butyl-4-hydroxy benzyl phosphonate(DEP)을 합성하였다. Termal degrading 실험과 열역학적 고찰을 통하여 합성첨가제인 DEP가 hydrogen scavenger로서의 작용 가능성을 확인하였다.

• 한국고분자학회지:고분자과학과기술
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• 제24권6호
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• pp.585-589
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• 2013

고분자 시스템에서 동역학은 열역학적 평형상태에 도달하는 메카니즘을 밝히는 중요한 분야이다. 용융 고분자에 비해 상대적으로 블록 공중합체 마이셀에 대한 동역학 연구는 실험적 한계와 이론적 배경의 부재로 인해 충분한 연구가 이루어지지 못하였다. 하지만, 최근 TR-SANS를 이용하여 고분자 마이셀의 동역학 연구가 점차 증가하고 있는 추세이다. 마이셀 동역학과 관련하여 현재까지 이루어진 연구 결과도 충분히 중요한 통찰력을 제시해주고 있지만, 아직 개척되지 못한 부분이 많이 남아있는 것도 사실이다. TR-SANS의 개념은 고분자 마이셀 뿐만 아니라 다양한 고분자 시스템에 적용할 수 있고, 더 나아가 Neutron Reflectivity에 적용할 경우 박막 내에서 고분자의 동역학도 연구할 수 있을 것으로 기대된다. 또한, TR-SANS 개념은 고분자 동역학 연구 분야 외에도 의학/생명공학 등 넓은 분야에서 이용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 대한화학회지
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• 제33권2호
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• pp.164-167
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• 1989

분광광도법을 이용하여 $trans-[Cr(tmd)_2FX]^+(X=F^-,\;Cl^-)$ 착이온의 압력과 온도변화에 따른 수화반응의 속도상수를 구하였다. 속도상수의 변화로부터 열역학적 인자를 구하고 이 값을 이용하여 두 착물의 반응메카니즘을 구하였다. 수화반응의 속도는 온도와 압력이 증가함에 따라 증가하였으며, 이 반응의 활성화엔트로피와 활성화부피는 각각 $trans-[Cr(tmd)_2F_2]^+$착이온의 경우 5.2eu와 $-3∼-2\;cm^3mol^{-1}$ 이고 trans-[Cr(tmd)_2FCl]^+$ 착이온의 경우는 -16.62eu와 $-8∼-7\;cm^3mol^{-1}$ 이었다. 이 값들로 보아 $trans-[Cr(tmd)_2F_2]^+$착이온의 수화반응은 교환회합(Ia) 메카니즘으로 진행되고 $trans-[Cr(tmd)_2FCl]^+$ 착이온의 수화반응은 해리(D) 메카니즘으로 진행되는 것으로 생각된다.

• 대한화학회지
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• 제29권5호
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• pp.472-477
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• 1985

전도도법을 이용하여 $cis-[Co(en)(NH_3)_2Cl_2]^+$ 착이온의 아세톤-물 혼합용매에서 온도, 압력 및 용매의 조성변화에 따른 속도상수를 구하였다. 속도상수의 변화로 부터 열역학적 파라미터들을 구하여 이 반응의 메카니즘을 규명하고, 용매의 조성변화에 따른 반응속도상수의 변화를 조사하여 메카니즘을 재확인 하였다. 수화반응의 일차반응 속도상수는 1기압 25$^{\circ}$C의 순수물 용매에서는 3.47 ${\times}10^{-4}$/sec이고 압력이 증가할 수록 감소하였으며 온도가 10$^{\circ}$C 증가함에 따라 약 3배정도 증가하였다. 한편 아세톤의 함량이 증가할수록 반응속도 상수는 감소하였다. 이 반응의 활성화 부피는 2.82~$8.2cm^3$/mole이며 활성화압축률과 활성화엔트로피는 작은 값들을 나타내므로 이 반응의 메카니즘은 전이상태에서 리간드인 $Cl^-$이온이 중심금속에서 떨어지는 것이$H_2O$가 결합하는 것보다 우세한$I_d$메카니즘일 것으로 추정하였다. 또한 Grunwald-Winstein식에서 구한 m값이 0.25정도로써 이미 $I_d$메카니즘으로 알려진 다른 코발트 착물의 값들과 잘 일치하고 있다. 자유에너지순환도를 이용한 메카니즘의 재확인으로 이 반응착물의 수화는 $I_d$메카니즘으로 진행된다는 것을 확인하였다.

• 대한화학회지
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• 제34권5호
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• pp.483-489
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• 1990

25${\%}$ methanol-수용액 속에서 살충성 2-chloro-l-(2,4,5-trichlorophenyl)-vinyldimethylphosphate(Gardona)의 가수분해 반응을 관찰하였다. 다양한 pH에서의 연구결과는 용매효과(m < 0.4, n < 0.7, |m| ${\ll}$ |l|(화합 S$_N$2 형)), 열역학적 파라미터 (${\{Delta}S^{\neq}$ = -27∼-32 e.u. ${\{Delta}H^{\neq}$ = 13∼18 Kcal/mole), 반응속도(k = k$_A$＋k$_B$ [OH$^-$]), 일반염기 촉매 효과 및 가수분해 생성물 분석에 의하여 Gardona의 가수분해 반응이 전이상태와 carbanion 중간체를 포함하는 2분자적(Ad$_{N-E}$) 메카니즘으로 일어남을 암시하고 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권1호
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• pp.97-105
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• 1998

$Al_2O_3-C$계 내화물에 Al 금속분말을 첨가하여 $800^{\circ}C$에서 $1400^{\circ}C$의 온도영역에서 탄소의 산화억제 메카니즘을 조사하였다. 탄소의 산화는 Al 금속분말을 5wt% 첨가한 $Al_2O_3-C-Al $ 시편에서 억제되었으며, 시편의 표면과 내부계면에 탄소가 비교적 균일하게 분포되어 있었다. Al-C 시편의 조성에서 중간생성물인 $Al_4C_3$ 및 AlN이 $800-1200^{\circ}C$의 온도범위에서 존재하였으며, $1400^{\circ}C$ 이상의 고온에서 모두 $Al_2O_3$로 전이하였다. $1000^{\circ}C$에서 1시간 가열한 Al-C 시편에서 $Al_4C_3$의 생성과 관계있는 cavity structure가 관찰되었다. 열역학적 고찰을 기초로 하여 산환억제 효과와 관계있는 $Al_4C_3$와 AlN의 생성, $Al_2O_3$로의 전이, C(s)의 형성등이 논하였다.